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MB39C601:恒流AC-DC LED驅動(dòng)器重點(diǎn)特性介紹

作者: 時(shí)間:2013-09-09 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

產(chǎn)品描述

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/258517.htm

是反激式開(kāi)關(guān)調節控制器IC。它根據負載來(lái)控制開(kāi)關(guān)導通時(shí)間或控制開(kāi)關(guān)頻率,從而實(shí)現對電流的調節。它非常適合用于常規照明應用,如商鋪和住宅照明燈泡等。

特點(diǎn)

• 單次轉換提供高功率因數

• 輕載且在開(kāi)關(guān)頻率控制方式下的低功耗模式時(shí)間歇動(dòng)作,具有高效率

• 根據 FB 引腳電流進(jìn)行頻率設置:30 kHz 到 130 kHz

• 無(wú)需額外采樣電阻即可控制初級繞組的電流

• 通過(guò)連接 TRIAC 相位檢測器實(shí)現 TRIAC 可調光 照明

• 通過(guò)檢測變壓器零能量,實(shí)現高效率并降低 EMI

• 內置低電壓鎖止功能

• 內置過(guò)載保護功能

• 內置輸出過(guò)電壓保護功能

• 內置過(guò)溫保護功能

• 輸入電壓范圍 VDD :9 V 到 20 V

• LED 照明應用的輸入電壓范圍:AC110 VRMS, AC230 VRMS

• 封裝:SOP-8(3.9 毫米 × 5.05 毫米 × 1.75 毫米 [ 最大])

應用

  • LED 照明
  • TRIAC 可調光 LED 照明等

引腳分配

功能說(shuō)明

(1) LED 電流控制功能

是反激式開(kāi)關(guān)調節控制器。它根據 LED 負載來(lái)控制開(kāi)關(guān)導通時(shí)間或控制開(kāi)關(guān)頻率,從而實(shí)現對 LED 電流的調節。與 LED 串聯(lián)的感應電阻 (Rs) 將 LED 電流轉換為檢測電壓 (Vs)。外部誤差放大器 (Err AMP) 對 Vs 進(jìn)行比較。當 Vs 降低到參考電壓以下時(shí),Err AMP 輸出上升,進(jìn)入光電耦合器的電流減小。導通時(shí)間控制方式,由光耦控制OTM 引腳的電流從而對導通時(shí)間控制模塊控制。當OTM 引腳電流減小時(shí)導通時(shí)間增加。提供給LED 的電流同時(shí)被調節,因為導通時(shí)間控制通常在固定開(kāi)關(guān)頻率下使用。

頻率控制方式,由光耦控制FB 引腳電流從而對開(kāi)關(guān)頻率控制模塊控制。當FB 引腳電流減小時(shí)開(kāi)關(guān)頻率增加。提供給LED的電流同時(shí)被調節,因為開(kāi)關(guān)頻率控制通常在固定導通時(shí)間下使用。

(2) 級聯(lián)開(kāi)關(guān)

初級繞組中的開(kāi)關(guān)采用級聯(lián)連接。外部 MOSFET 的柵極與 VCG 引腳連接,源極與內部驅動(dòng)器 MOSFET 的漏極連接。開(kāi)關(guān)處于導通狀態(tài)時(shí),內部驅動(dòng)器 MOSFET 開(kāi)啟,內部 HS 驅動(dòng)器 MOSFET 關(guān)閉,外部 MOSFET 的源極電壓下降至 GND。在該過(guò)程中,直流偏置通過(guò)VCG 引腳對外部MOSFET 柵極供能,而使外部MOSFET 開(kāi)啟。開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),內部驅動(dòng)器 MOSFET 關(guān)閉,HS 驅動(dòng)器 MOSFET 開(kāi)啟,外部 MOSFET 的源極電壓上升至 VCG 電壓。外部 MOSFET 關(guān)閉。此外,進(jìn)入內部驅動(dòng)器 MOSFET 的電流等于初級繞組的電流。因此,可以在不使用采樣電阻的情況下對進(jìn)入初級繞組的峰值電流進(jìn)行檢測。

(3) 固有功率因數自調節(Power Factor Control)功能在交流電壓輸入中,當使輸入電流波形接近正弦波,并使相位差接近零時(shí),功率因數會(huì )得到改善。當在不連續傳導模式下采用反激方式工作時(shí),如果將輸入電容設置得比較小,則初級繞組的峰值電流 :

在導通時(shí)間控制中,如果將誤差放大器的環(huán)路響應設置為低于交流頻率(交流頻率的 1/10),則可以使導通時(shí)間保持不變。因此,輸入電流與輸入電壓成正比,從而使功率因數得到調節。

(4) 上電過(guò)程

當電壓輸入 VBULK 時(shí),電荷通過(guò)啟動(dòng)電阻 (Rst) 充入 VCG 引腳的電容 (CVCG)。因此,VCG 引腳的電壓會(huì )上升。當 VCG引腳電壓達到外部 HVMOSFET 的閾值電壓時(shí),源極跟隨器使 DRN 引腳電壓上升。

DRN 引腳通過(guò)內部 VDD 開(kāi)關(guān)與 VDD 引腳連接,VDD 電容 (CVDD) 從該 DRN 引腳充電。當 VDD 引腳電壓達到 UVLO閾值電壓時(shí),VDD 開(kāi)關(guān)關(guān)閉,內部偏置電路工作,開(kāi)關(guān)啟動(dòng)。

開(kāi)關(guān)啟動(dòng)后,VDD 電壓由輔助繞組通過(guò)外部二極管(DBIAS)提供。輔助繞組與次級繞組的繞線(xiàn)圈數之比以及次級繞組的電壓決定了輔助繞組的電壓。因此,只有在輔助繞組的電壓上升至高于 VDD 引腳電壓時(shí),才會(huì )提供 VDD 引腳電壓。必須設置 VDD 引腳的電容,以防止在此期間 VDD 引腳電壓下降到 UVLO 閾值電壓以下。DRN 引腳和 VDD 引腳之間需要一個(gè)外部肖特基二極管 (D1)。該二極管用于防止電流經(jīng)過(guò) VDD 開(kāi)關(guān)的體二極管。

(5) 掉電過(guò)程

從交流線(xiàn)路移除交流電源時(shí),即使有開(kāi)關(guān)動(dòng)作,電流也不會(huì )流到次級繞組。LED 電流從輸出電容提供,并逐漸減小。與此相似,由于電流不會(huì )流到輔助繞組中,因此 VDD 引腳電壓會(huì )下降。當 VDD 引腳電壓下降到 UVLO 閾值電壓以下時(shí),開(kāi)關(guān)停止, 關(guān)閉。

(6) OTM 部分

通過(guò)將電阻 (ROTM) 與 OTM 引腳連接,為其設置導通時(shí)間。如下圖所示,從 OTM 通過(guò)電阻連接光電耦合器的集電極,可以控制導通時(shí)間。

(7) FB 部分

通過(guò)設置 FB 引腳的電流,控制開(kāi)關(guān)頻率。在導通時(shí)間控制中,通過(guò)電阻將 FB 引腳上拉到 VDD,從而設置開(kāi)關(guān)頻率。此外,如下圖所示,可以通過(guò)電阻從 FB 引腳連接光電耦合器的發(fā)射極,從而控制開(kāi)關(guān)頻率。電阻 (RFB) 為光電耦合器的暗電流泄放電路。

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MB39C601:恒流AC-DC LED驅動(dòng)器快速入門(mén)指南

摘 要:MB39C601是一款恒流AC-DC LED驅動(dòng)器,驅動(dòng)功率5W~25W,支持世界范圍85V~265V AC電壓輸入。該芯片支持可控硅調光,并帶主動(dòng)PFC,具有高效率、高PF值、低EMI等特點(diǎn)。適用于室內LED照明,如LED燈泡,LED燈管,PAR 燈,吸頂燈等。



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