基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開(kāi)關(guān)電源的方案

設計考慮：

ICE3AR2280JZ的最大占空比為0.7，為了合理利用占空比以覆蓋超寬的電壓范圍，取反射電壓為150V.根據最低輸入電壓，滿(mǎn)載條件可知最大占空比為0.62.因此電感為：1.024mH


選原邊匝數Np=72，副邊主5V匝數Ns1=3，芯片Vcc匝數Nvcc=8；考慮到輸出采用直流層疊的方式，故12V繞組圈數取4（12V繞組疊加于主5V輸出，而非5V繞組端）。變壓器結構如下：




測試結果：

負載調整率及輸入調整率：



上下MOSFET的開(kāi)關(guān)波形及輸出紋波：

結語(yǔ)：

通過(guò)測試可以看出：當CoolSET內部MOSFET的Vds電壓達到550V左右時(shí)，電壓被TVS所鉗位；通過(guò)原邊電流的續流將外置MOSFET徹底關(guān)斷，從而使得整個(gè)關(guān)斷的電壓應力由兩個(gè)MOSFET串聯(lián)分擔。采用二級LC濾波后，輸出紋波為：24mV（5V），79mV（12V），20mV（隔離5V）；交叉調整率方面可以在輸出不外加線(xiàn)性穩壓器情況下實(shí)現10%以?xún)鹊慕徊嬲{整（》10%負載）。對于更高壓的設計，可以采用多個(gè)TVS串聯(lián)方式，以800VCoolSET和800VCoolMOS為例，最高耐壓可達1600V.可以完全適應高壓輸入應用的要求。