使用內置波形發(fā)生器的示波器進(jìn)行元器件測試

圖7：通用硅二極管測試與測量。

以圖8中的小信號二極管為比照，小信號二極管的正向偏壓斜率較大，因而具有較高的導通電阻特性。圖9顯示的是一個(gè)肖特基二極管，這類(lèi)二極管需要較低的導通電壓值(0.26V)。

圖8：小信號硅二極管測試與測量。

圖9：肖特基二極管的測試與測量。

故障二極管顯示為開(kāi)路或短路。開(kāi)路二極管的圖像如圖6所示，而短路二極管則像是一條水平線(xiàn)。LED也可通過(guò)這種方法進(jìn)行測試。如果需要，通過(guò)提高波形發(fā)生器的偏置，可為L(cháng)ED提供更多的電壓。

雙極晶體管測試

雙極晶體管測試可采用與二極管測量相同的方法。首先要確定發(fā)射極-基極和集電極-基極的連接能夠像二級管一樣運行。隨后要確認集電極-發(fā)射極不會(huì )短路，也就是說(shuō)要像開(kāi)路電路一樣運行。

電纜測試

對于電纜測試，波形發(fā)生器可配置為輸出一個(gè)100Hz、0V～1V的方波，如圖10所示。取平均法可以降低噪聲；觸發(fā)點(diǎn)的位置設在左側。使用光標對波形參數進(jìn)行手動(dòng)測量。這種測試方法等效于一個(gè)低速時(shí)域反射計(TDR)。

圖10：電纜測試與測量(未連接被測件時(shí))。

圖11顯示了對長(cháng)度未知的雙絞線(xiàn)進(jìn)行測量。雙絞線(xiàn)的阻抗可通過(guò)下面公式計算：

圖11：雙絞線(xiàn)的測試與測量。

公式3

為第一個(gè)步進(jìn)的電壓(在觸發(fā)點(diǎn)的步進(jìn))，使用示波器光標進(jìn)行手動(dòng)測量而得。在本例中，是660mV，因此可算出約為97Ω(這類(lèi)電纜的典型值)。雙絞線(xiàn)的遠端是開(kāi)路電路，顯示為突然增加的電平，即最右側X光標所在的位置。

圖12顯示了對長(cháng)度未知的RG-58電纜進(jìn)行測試。根據測量，可得出阻抗值為51Ω。這個(gè)值是RG-58的預期值。測量結果還顯示電纜的終端是短路的，此時(shí)電壓回零。如果已知電纜的傳播時(shí)延，可通過(guò)下面公式計算出它與短路的距離：

圖12：RG-58電纜(含短路)測試與測量。

公式4

RG-58的傳播時(shí)延是1.54ns/ft。通過(guò)光標可測得的值為191ns。由此得知，電纜與短路的距離是62英尺