基于器件特性進(jìn)行精確的高亮度LED測試

　　高亮發(fā)光二極管（High brightness light emitting diodes，HBLED）綜合具備了高輸出、高效率和長(cháng)壽命等優(yōu)勢。制造商們正在開(kāi)發(fā)可以實(shí)現光通量更高、壽命更長(cháng)、色彩更豐富而且單位功率發(fā)光度更高的器件。要確保其性能和可靠性，就必須在生產(chǎn)的每個(gè)階段實(shí)施精確的、成本經(jīng)濟的測試。

　　圖1顯示了典型的二極管的電I-V特性曲線(xiàn)。雖然一個(gè)完整的測試程序可以包括數百個(gè)點(diǎn)，但對一個(gè)有限的樣本的探查一般就足以提供優(yōu)值。許多HBLED測試需要以一個(gè)已知的電流信號源驅動(dòng)器件并相應測量其電壓，或者反過(guò)來(lái)，同時(shí)具備了可同步動(dòng)作的信號源和測量功能可以加速系統的設置并提升吞吐率。測試可以在管芯層次（圓片和封裝）或者模塊/子組件水平上進(jìn)行。在模塊/子組件水平上，HBLED可以采取串聯(lián)/并聯(lián)方式；于是一般需要使用更高的電流，有時(shí)達50A或者更高，具體則取決于實(shí)際應用。有些管芯級的測試所用的電流在5A～10A的范圍內，具體取決于管芯的尺寸。

　　正向電壓測試

　　要理解新的結構單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線(xiàn)或者量子點(diǎn)，在未來(lái)的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那

　　光學(xué)測試

　　光學(xué)測量中也需要使用正向電流偏置，因為電流與HBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來(lái)捕捉發(fā)射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個(gè)電流，并用電流計或者一個(gè)信號源測量單元的單個(gè)通道來(lái)測量該電流。

　　反向擊穿電壓測試

　　對HBLED施加的反向偏置電流可以實(shí)現反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設置應當使所測得的電壓值不再隨著(zhù)電流的輕微增加而顯著(zhù)上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著(zhù)。VR的測試方法是，在一段特定時(shí)間內輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結果一般為數十伏特。

　　漏電流測試

　　當施加一個(gè)低于擊穿電壓的反向電壓時(shí)，對HBLED兩端的漏電流（IL）的測量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測試中，常見(jiàn)的做法是僅確保漏電流不不至于超過(guò)一個(gè)特定的閾值。

　　提升HBLED的生產(chǎn)測試的吞吐率

　　過(guò)去，HBLED的生產(chǎn)測試的所有環(huán)節都由單臺PC來(lái)控制。換言之，在測試程序的每個(gè)要素中，必須針對每次測試配置信號源和測量裝置，并在執行預期的行動(dòng)后，將數據返回給PC?？刂芇C根據通過(guò)/不通過(guò)的標準進(jìn)行評估，并決定DUT應歸入哪一類(lèi)。PC發(fā)送指令和結果返回PC的過(guò)程將耗費大量的時(shí)間。