未來(lái)展望——FSI 和BSI 圖像傳感器技術(shù)

FSI的缺點(diǎn)

從一開(kāi)始，FSI就面臨著(zhù)使入射光通過(guò)硅片金屬層到達光電檢測器的挑戰。要加大孔徑，以提高光聚集度，可采用共享元件來(lái)設計像素，以盡量減少光電二極管上的電路。這種方法在提高QE的同時(shí)，也帶來(lái)了不對稱(chēng)性，其后必須予以補償。此外，這些孔徑又產(chǎn)生衍射效應，而且更大的像素堆疊高度使得串擾抑制變得更為困難。雖然光導管可以減輕這些效應，但光導管本身也存在損耗。

像素從1.4微米縮小到1.1微米，有關(guān)光導管的設計挑戰大幅度增加。隨著(zhù)像素的不斷縮小，即使采用光導管，衍射效應也會(huì )妨礙光的接收。此外，FSI無(wú)法利用所有可用金屬互連層來(lái)進(jìn)行片上處理，在1.1微米像素下，這個(gè)缺陷可能更為突出。

BSI技術(shù)概述

采用BSI構建像素，光線(xiàn)無(wú)需穿過(guò)金屬互連層(見(jiàn)圖3)。然而，這仍然對光路徑帶來(lái)一些限制，幸運的是，促使FSI技術(shù)不斷改進(jìn)的許多知識和技術(shù)進(jìn)步可以直接應用于BSI技術(shù)，從而為提高 BSI 性能打下了堅實(shí)的基礎。

圖4 30 lux照度下，800萬(wàn)像素、1.4微米像素尺寸的FSI傳感器產(chǎn)生的圖像

BSI技術(shù)的第一步是匯聚進(jìn)入光電二極管光學(xué)區域的入射光，其光學(xué)要求與FSI相同，不過(guò)現在微透鏡的位置更接近光電二極管，需要淀積更厚的微透鏡材料層，以獲得更短的焦距。與由互連層創(chuàng )建的自然孔徑的FSI技術(shù)不同，BSI需要最大限度地減小串擾，因而必需通過(guò)在光電二極管上淀積金屬柵格（metal grid）來(lái)增加一個(gè)孔徑。