IDT 與eSilicon 合作開(kāi)發(fā)下一代RapidIO 交換
IDT 公司與 eSilicon 公司今天宣布,將合作加快下一代 RapidIO 交換的開(kāi)發(fā)進(jìn)程,以滿(mǎn)足用于無(wú)線(xiàn)、嵌入式和計算基礎架構中的新系統架構對性能不斷增長(cháng)的要求。兩家公司將共同致力于初期研究,開(kāi)發(fā)基于 RapidIO 10xN 標準的每端口 40 Gbps 的 RapidIO 交換機。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/249741.htm在這一計劃下開(kāi)發(fā)的交換將幫助下一代無(wú)線(xiàn)基站、Cloud RAN(無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng))、移動(dòng) Edge 計算和其他演進(jìn)運營(yíng)網(wǎng)絡(luò )的制造商能夠相對于便攜式設備的廣泛使用帶來(lái)數據量的迅速增長(cháng)先行一步。
eSilicon 公司首席執行官 Jack Harding 表示:“從設計到實(shí)現再到量產(chǎn),這一協(xié)作的研發(fā)努力正在確立并會(huì )將新一代的 RapidIO 產(chǎn)品快速推向市場(chǎng),以滿(mǎn)足更高容量、更大帶寬基站和其他運營(yíng)平臺的需求。eSilicon 在 28 納米領(lǐng)域的專(zhuān)長(cháng),包括高速串行器部署和定制內存設計,對于 IDT 在 RapidIO 設計上的專(zhuān)長(cháng)是一個(gè)很好的補充。”
RapidIO 10xN 交換器將為網(wǎng)絡(luò )提供一個(gè)理想的組合,包括 100ns 低延遲、每端口 40 Gbps 帶寬和大于 40 億節點(diǎn)的可擴展性。雙方共同研發(fā)的設備將應用于新一代基站平臺,例如 LTE 演進(jìn)版本(LTE-A)、C-RAN 和 5G,但也可應用于例如與高性能計算(HPC)平臺同地協(xié)作的基站的新興架構中。
IDT 每端口 20 Gbps 交換機產(chǎn)品目前是 DSP 集簇、微處理器以及在全球范圍內部署的現有 3G 和 4G 基站中 ASIC 的事實(shí)上的互連標準。在這一合作下,兩家公司將基于現有的交換和橋產(chǎn)品組合,計劃在 2015 年下半年推出首款合作開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。
IDT 公司首席執行官 Gregory Waters 表示:“互連的發(fā)展對通信基礎架構的持續演進(jìn)必不可少,我們目前的 RapidIO 交換幾乎為全球每一個(gè) 4G 基站所打造。但是下一代基站和 C-RAN 已然到來(lái),要求比以往任何時(shí)候都更高的性能。與 eSilicon 的合作將使我們加快 RapidIO 開(kāi)發(fā),我們的客戶(hù)和整個(gè)通信行業(yè)都將因此受益。”
RapidIO.org 執行總裁 Rick O’Connor 表示:“IDT 和 eSilicon 的此次合作將使RapidIO 技術(shù)朝向每端口 40 Gbps 以及未來(lái) 100 Gbps 的方向發(fā)展,這是邁向成長(cháng)的RapidIO 生態(tài)系統的重要一步。毫無(wú)疑問(wèn),這一合作將廣受需要高帶寬和高容量的性能關(guān)鍵型計算應用開(kāi)發(fā)者們的歡迎,并將通過(guò)處理器、DSP 和 RapidIO 生態(tài)系統內的 FPGA 合作,促進(jìn) RapidIO 10xN 技術(shù)的發(fā)展。”
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