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霍爾傳感元器件及其應用

作者: 時(shí)間:2011-03-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
1、 引言

霍爾器件是一種磁。用它們可以檢測磁場(chǎng)及其變化,可在各種與磁場(chǎng)有關(guān)的場(chǎng)合中使用?;魻柶骷曰魻栃獮槠涔ぷ骰A。

霍爾器件具有許多優(yōu)點(diǎn),它們的結構牢固,體積小,重量輕,壽命長(cháng),安裝方便,功耗小,頻率高(可達1MHZ),耐震動(dòng),不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕?;魻柧€(xiàn)性器件的精度高、線(xiàn)性度好;霍爾開(kāi)關(guān)器件無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)磨損、輸出波形清晰、無(wú)抖動(dòng)、無(wú)回跳、位置重復精度高(可達μm級)。取用了各種補償和保護措施的霍爾器件的工作溫度范圍寬,可達-55℃~150℃。

按照霍爾器件的功能可將它們分為:霍爾線(xiàn)性器件和霍爾開(kāi)關(guān)器件。前者輸出模擬量,后者輸出數字量。

按被檢測的對象的性質(zhì)可將它們的應用分為:直接應用和間接應用。前者是直接檢測出受檢測對象本身的磁場(chǎng)或磁特性,后者是檢測受檢對象上人為設置的磁場(chǎng),用這個(gè)磁場(chǎng)來(lái)作被檢測的信息的載體,通過(guò)它,將許多非電、非磁的物理量例如力、力矩、壓力、應力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、轉數、轉速以及工作狀態(tài)發(fā)生變化的時(shí)間等,轉變成電量來(lái)進(jìn)行檢測和控制。

2、 霍爾效應和霍爾器件

2.1 霍爾效應

如圖1所示,在一塊通電的半導體薄片上,加上和片子表面垂直的磁場(chǎng)B,在薄片的橫向兩側會(huì )出現一個(gè)電壓,如圖1中的VH,這種現象就是霍爾效應,是由科學(xué)家愛(ài)德文?霍爾在1879年發(fā)現的。VH稱(chēng)為霍爾電壓。

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(a)霍爾效應和霍爾元件

這種現象的產(chǎn)生,是因為通電半導體片中的載流子在磁場(chǎng)產(chǎn)生的洛侖茲力的作用下,分別向片子橫向兩側偏轉和積聚,因而形成一個(gè)電場(chǎng),稱(chēng)作霍爾電場(chǎng)?;魻栯妶?chǎng)產(chǎn)生的電場(chǎng)力和洛侖茲力相反,它阻礙載流子繼續堆積,直到霍爾電場(chǎng)力和洛侖茲力相等。這時(shí),片子兩側建立起一個(gè)穩定的電壓,這就是霍爾電壓。

在片子上作四個(gè)電極,其中C1、C2間通以工作電流I,C1、C2稱(chēng)為電流電極,C3、C4間取出霍爾電壓VH,C3、C4稱(chēng)為敏感電極。將各個(gè)電極焊上引線(xiàn),并將片子用塑料封裝起來(lái),就形成了一個(gè)完整的霍爾元件(又稱(chēng)霍爾片)。

佳工機電網(wǎng)佳工機電網(wǎng)

在上述(1)、(2)、(3)式中VH是霍爾電壓,ρ是用來(lái)制作霍爾元件的材料的電阻率,μn是材料的電子遷移率,RH是霍爾系數,l、W、t分別是霍爾元件的長(cháng)、寬和厚度,f(I/W)是幾何修正因子,是由元件的幾何形狀和尺寸決定的,I是工作電流,V是兩電流電極間的電壓,P是元件耗散的功率。由(1)~(3)式可見(jiàn),在霍爾元件中,ρ、RH、μn決定于元件所用的材料,I、W、t和f(I/W)決定于元件的設計和工藝,霍爾元件一旦制成,這些參數均為常數。因此,式(1)~(3)就代表了霍爾元件的三種工作方式所得的結果。(1)式表示電流驅動(dòng),(2)式表示電壓驅動(dòng),(3)式可用來(lái)評估霍爾片能承受的最大功率。

為了精確地測量磁場(chǎng),常用恒流源供電,令工作電流恒定,因而,被測磁場(chǎng)的磁感應強度B可用霍爾電壓來(lái)量度。

在一些精密的測量?jì)x表中,還采用恒溫箱,將霍爾元件置于其中,令RH保持恒定。

若使用環(huán)境的溫度變化,常采用恒壓驅動(dòng),因和RH比較起來(lái),μn隨溫度的變化比較平緩,因而VH受溫度變化的影響較小。

為獲得盡可能高的輸出霍爾電壓VH,可加大工作電流,同時(shí)元件的功耗也將增加。(3)式表達了VH能達到的極限——元件能承受的最大功耗。

2.2 霍爾器件

霍爾器件分為:霍爾元件和霍爾集成電路兩大類(lèi),前者是一個(gè)簡(jiǎn)單的霍爾片,使用時(shí)常常需要將獲得的霍爾電壓進(jìn)行放大。后者將霍爾片和它的信號處理電路集成在同一個(gè)芯片上。

2.2.1 霍爾元件

霍爾元件可用多種半導體材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質(zhì)結構量子阱材料等等。

InSb和GaAs霍爾元件輸出特性見(jiàn)圖1(a)、圖1(b).

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(a)霍爾效應和霍爾元件

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(b)InSb霍爾元件的輸出特性

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(c)GaAs霍爾元件的輸出特性
圖1 霍爾元件的結構和輸出特性

這些霍爾元件大量用于直流無(wú)刷電機和測磁儀表。

2.2.2.1 霍爾線(xiàn)性電路

它由霍爾元件、差分放大器和射極跟隨器組成。其輸出電壓和加在霍爾元件上的磁感強度B成比例,它的功能框圖和輸出特性示于圖2和圖3。

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圖2 霍爾線(xiàn)性電路的功能框圖

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圖3 霍爾線(xiàn)性電路UGN3501的磁電轉換特性曲線(xiàn)

這類(lèi)電路有很高的靈敏度和優(yōu)良的線(xiàn)性度,適用于各種磁場(chǎng)檢測?;魻柧€(xiàn)性電路的性能參數見(jiàn)表3。

2.2.2.2 霍爾開(kāi)關(guān)電路

霍爾開(kāi)關(guān)電路又稱(chēng)霍爾數字電路,由穩壓器、霍爾片、差分放大器,斯密特觸發(fā)器和輸出級組成。在外磁場(chǎng)的作用下,當磁感應強度超過(guò)導通閾值BOP時(shí),霍爾電路輸出管導通,輸出低電平。之后,B再增加,仍保持導通態(tài)。若外加磁場(chǎng)的B值降低到BRP時(shí),輸出管截止,輸出高電平。我們稱(chēng)BOP為工作點(diǎn),BRP為釋放點(diǎn),BOP-BRP=BH稱(chēng)為回差?;夭畹拇嬖谑归_(kāi)關(guān)電路的抗干擾能力增強?;魻栭_(kāi)關(guān)電路的功能框見(jiàn)圖4。圖4(a)表示集電極開(kāi)路(OC)輸出,(b)表示雙輸出。它們的輸出特性見(jiàn)圖5,圖5(a)表示普通霍爾開(kāi)關(guān),(b)表示鎖定型霍爾開(kāi)關(guān)的輸出特性。

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(a) 單OC輸出 (b)雙OC輸出
圖4 霍爾開(kāi)關(guān)電路的功能框圖

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(a)開(kāi)關(guān)型輸出特性 (b)鎖定型輸出特性
圖5 霍爾開(kāi)關(guān)電路的輸出特性

一般規定,當外加磁場(chǎng)的南極(S極)接近霍爾電路外殼上打有標志的一面時(shí),作用到霍
爾電路上的磁場(chǎng)方向為正,北極接近標志面時(shí)為負。

鎖定型霍爾開(kāi)關(guān)電路的特點(diǎn)是:當外加場(chǎng)B正向增加,達到BOP時(shí),電路導通,之后無(wú)論B增加或減小,甚至將B除去,電路都保持導通態(tài),只有達到負向的BRP時(shí),才改變?yōu)榻刂箲B(tài),因而稱(chēng)為鎖定型。

2.2.2.3 差動(dòng)霍爾電路(雙霍爾電路)

它的霍爾電壓發(fā)生器由一對相距2.5mm的霍爾元件組成,其功能框圖見(jiàn)圖6。

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圖6 差動(dòng)霍爾電路的工作原理圖

使用時(shí)在電路背面放置一塊永久磁體,當用鐵磁材料制成的齒輪從電路附近轉過(guò)時(shí),一對霍爾片上產(chǎn)生的霍爾電壓相位相反,經(jīng)差分放大后,使器件靈敏度大為提高。用這種電路制成的汽車(chē)齒輪具有極優(yōu)的性能。

2.2.2.4 其它霍爾電路

除上述各種霍爾器件外,目前還出現了許多特殊功能的霍爾電路,如功率霍爾電路,多重雙線(xiàn)霍爾。

3 霍爾器件的應用

3.1 應用的一般問(wèn)題

3.1.1 測量磁場(chǎng)

使用霍爾器件檢測磁場(chǎng)的方法極為簡(jiǎn)單,將霍爾器件作成各種形式的探頭,放在被測磁場(chǎng)中,因霍爾器件只對垂直于霍爾片的表面的磁感應強度敏感,因而必須令磁力線(xiàn)和器件表面垂直,通電后即可由輸出電壓得到被測磁場(chǎng)的磁感應強度。若不垂直,則應求出其垂直分量來(lái)計算被測磁場(chǎng)的磁感應強度值。而且,

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