面向未來(lái)節能汽車(chē)的大功率高壓產(chǎn)品
最終,我們的汽車(chē)產(chǎn)品組合(見(jiàn)圖2)能夠在很寬的電壓與功率范圍內滿(mǎn)足節能汽車(chē)市場(chǎng)的要求。
利用這項高性能IC技術(shù)和當前的產(chǎn)品組合,IR提供了相應的電源開(kāi)關(guān)來(lái)滿(mǎn)足擊穿電壓要求。如圖3所示,IR提供了電壓范圍為30V~300V的高性能MOSFET,其采用了高度穩定的平面技術(shù)以及具有領(lǐng)先RDSON和最佳開(kāi)關(guān)性能的溝槽MOSFET解決方案。對于電壓不低于300V的應用,我們提供了汽車(chē)高壓開(kāi)關(guān) - IGBT(絕緣柵雙極晶體管),我們可以利用它滿(mǎn)足應用需求,從而在600V~1200V(或者兩者之間的任何定制中間電壓范圍)的電壓范圍內實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗或低導通損耗。
◆高效率
◆大載流能力
◆出色的機械和電氣性能
◆低EMI和低寄生電感
因此,IR開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的封裝技術(shù)平臺,即COOLiR2 TM,其囊括了各種封裝解決方案,從分立無(wú)引線(xiàn)封裝到更復雜的電源模塊解決方案。
日本汽車(chē)制造商和供應商已經(jīng)證明節能汽車(chē)的突破性轉變與成功是可以實(shí)現的。IR的汽車(chē)團隊致力于通過(guò)創(chuàng )新型半導體和封裝產(chǎn)品組合來(lái)實(shí)現汽車(chē)架構領(lǐng)域的“發(fā)展與變革”,讓汽車(chē)制造商、汽車(chē)系統供應商和汽車(chē)終端用戶(hù)都能夠從中受益,從而在保持駕車(chē)樂(lè )趣的同時(shí),節約燃料,保護環(huán)境。
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