高集成度WCDMA/HSDPA PA滿(mǎn)足3G手機關(guān)鍵需求

日益復雜的3G多模式手機需要更多部件，包括雙工器、濾波器和前沿電源管理，因此3G手機設計的挑戰在于如何降低設計復雜度、減少元件數量以及優(yōu)化射頻設計。RF Micro Devices(RFMD)公司高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器(PA)滿(mǎn)足支持下一代多頻段、多模式3G手機和智能電話(huà)所要求的這些關(guān)鍵需求。

RFMD的WCDMA/HSDPA功率放大器RF3267是1頻段(1920至1980MHz)、具有數控低功率模式的WCDMA/HSDPA功率放大器，允許高達19dBm工作，降低了電流消耗。RF3267具有集成的耦合器，從而手機設計人員無(wú)需象以往一樣在功率放大器的輸出端放置外置耦合器。在不增加行業(yè)領(lǐng)先的3×3×0.9mm封裝尺寸的情況下，即可實(shí)現額外功能的整合，這是跟隨上一代功率放大器(RF3266)的成功而首次推出。通過(guò)保持與獲得巨大成功的上一代功率放大器引腳對引腳兼容，RFMD的RF3267有助于手機原始設備制造商(OEM)尋求壓縮手機射頻部分，以支持更小、更薄的設備。

RF3267的主要特性包括：

+28dBm線(xiàn)性輸出功率，ULRMC12.2(26.5dBm, HSDPA)；
在28dBm輸出情況下具有+28dB線(xiàn)性增益；
數字控制HPM/LPM；
支持HSDPA；
低靜態(tài)電流( (LPM20mA)；
具有21% 線(xiàn)性效率@19dBm (LPM)；

集成耦合器

憑借領(lǐng)先的產(chǎn)品系列、制造規模、系統級專(zhuān)業(yè)技能以及封裝與組裝能力，RFMD在3G前沿領(lǐng)域堪稱(chēng)業(yè)界領(lǐng)先者，并在3G手機設計活動(dòng)方面表現出色，所有這些優(yōu)勢可使RFMD最大程度降低復雜性，減少元件數，以及優(yōu)化多頻段、多模式WCDMA/HSPA手機與智能電話(huà)的射頻設計。