飛思卡爾的先進(jìn)射頻功率處理技術(shù)LDMOS降低蜂窩發(fā)射器成本和功耗

飛思卡爾半導體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿(mǎn)足蜂窩發(fā)射器降低功耗的迫切需求。飛思卡爾的第八代高壓（HV8）射頻功率 LDMOS 技術(shù)沿襲了公司一貫領(lǐng)先的射頻功率晶體管技術(shù)，專(zhuān)門(mén)用來(lái)滿(mǎn)足W-CDMA和WiMAX等高數據速率應用以及LTE和多載波GSM等新興標準的嚴苛要求?；贖V8技術(shù)的系列器件針對先進(jìn)功率放大器架構中的運行做了優(yōu)化，包括與數字預失真（DPD）結合使用的Doherty。

飛思卡爾HV8技術(shù)的首要優(yōu)勢是提高了運行效率，這樣就幫助降低了基站系統的總功耗，進(jìn)而降低了運營(yíng)成本。此外，HV8還能夠適應先進(jìn)系統架構的更嚴苛的操作環(huán)境要求。

“飛思卡爾實(shí)現了大幅的性能提高，使LDMOS繼續作為功率放大器的主導技術(shù)，”飛思卡爾副總裁兼射頻事業(yè)部總經(jīng)理Gavin P. Woods表示，“當與先進(jìn)架構結合使用或者在傳統系統中使用時(shí)，我們的HV8系列都有望在下一代發(fā)射器設計中實(shí)現相當高的系統效率水平?！?

最初幾款產(chǎn)品的功率水平將在100W至300W之間。此外，HV8產(chǎn)品還能夠利用并擴大飛思卡爾的低成本模壓封裝系列，具有極高的價(jià)值，覆蓋了700 MHz至2.7 GHz范圍的主要頻帶。

針對900 MHz頻帶內的運行做了優(yōu)化的晶體管有望率先從HV8 射頻功率 LDMOS技術(shù)中受益，以有效滿(mǎn)足多載波GSM系統的嚴苛要求。Doherty參考設計專(zhuān)門(mén)針對MC-GSM市場(chǎng)做了優(yōu)化，顯示出出色的效率和DPD校正性能，即使是在一些最嚴格的信號配置條件下。

HV8 性能

作為HV8性能的一個(gè)示例，采用雙MRF8S9260H/HS晶體管的對稱(chēng)Doherty參考設計（針對多載波GSM應用）能夠提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏極效率（在49.4 dBm (87W)的平均輸出功率水平情況下）以及良好的寬帶線(xiàn)性。DPD評估也顯示，在高達20 MHz的信號帶寬中，使用6個(gè)GSM載波能夠很好地校正這種參考設計。 RF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶體管也達到了類(lèi)似的性能結果。

飛思卡爾的HV8 LDMOS平臺有效滿(mǎn)足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求，彰顯了飛思卡爾致力于成為通信系統射頻領(lǐng)導者的承諾 。