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低待機功耗手機充電器電源管理IC應用

作者: 時(shí)間:2011-08-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

  油價(jià)飛漲,原物料價(jià)格屢創(chuàng )新高,全球能源管里瀕臨崩潰邊緣,“節約能源”再次成為最熱門(mén)的議題。而在環(huán)保的觀(guān)念持續強化下,現代人對于日常節約能源的觀(guān)念越來(lái)越健全,但節約能源除了把不用的電器關(guān)閉或是采取定時(shí)開(kāi)關(guān)方式節約能源外,其實(shí)這些電子裝置本身因電源電路設計的限制。平日開(kāi)啟運作及待機的電源功耗日益增多,使得能源的應用效率低下,有效的,才能讓“節能”的效益更加立竿見(jiàn)影。方面最重要的趨勢,就是使待機功耗降至最低。一般可能認為,與工作時(shí)電源的耗電量比起來(lái),電子設備待機時(shí)所消耗的電量是微乎其微。其實(shí)這與事實(shí)相去甚遠,所以美國加州能源委員會(huì )(CaliforniaEnergyCommission,CEC)節能規范,以及能源之星(Energy Star)標識計劃等,在所有電源的規劃當中,對于“待機功耗”的規范極為重視。因此在國際能源總署(IEA)的推動(dòng)和倡導下提出“1瓦計劃”的能源規劃,目標是到2010時(shí)將大部份電器產(chǎn)品的待機功耗降到1瓦,而美國也在2007年12月頒布了“2007美國能源獨立與安全法案”,為消費類(lèi)電器設備制定了第一個(gè)強制性的聯(lián)邦能源標準。

  其中令人注目的是在2008年11月世界主要手機供貨商公布的新的待機規范,明確定義出不同的待機功耗有不同的標識星級,如圖1所示為新的待機功耗標準,其中最高五顆星的待機功耗必須降低至30mW以下,因此,要如何使電源轉換器達到更低的待機功耗,將會(huì )是電源設計工程師未來(lái)所需要迎接的挑戰。

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  FAN302HL待機功耗來(lái)源分析與解決方案

  如何使FAN302HL的待機功耗降低到30mW以下,甚至達到更低10mW,以下會(huì )有詳細的分析介紹。首先可以先以基本常用的反激式轉換器的電源架構來(lái)做分析,如圖2所示。

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  圖2:典型的反激式轉換器電路

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  圖3:待機功耗各部份的分析示意圖

  從圖3可看出待機功耗的分布,對一個(gè)反激式轉換器而言,主要的待機功耗包括了開(kāi)關(guān)功耗(switching loss)和傳導功耗(conduction loss)以及PWM控制電路所造成的功耗。表1、表2、表3、表4分別對這些主要功耗,列出估算公式與改善對策。

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  1、控制電路損失(15%):由表1與等式(1)中可知,在待機時(shí)為了使PWM 維持正常的工作,在輔助線(xiàn)路設計上必須確認能夠提供足夠的電壓供應(VDD),由于FAN302HL的最低工作電壓(VDD_OFF)為5V,所以通常設計在7V附近最為理想。而在PWM 工作電流方面,FAN302HL擁有多段的電流工作控制,如圖4所示,當工作在脈沖模式(Burst mode)時(shí),會(huì )以極低的工作電流,來(lái)降低FAN302HL的待機功耗。

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  2、初級端組件損失:由表2中可知,初級端組件損失主要是由激活電阻損失、緩沖器損失與功率晶體管(Power MOSFET) 損失的總和。

  激活電阻損失(1%):為了使PWM 在正常工作前能獲得電源電壓,通常會(huì )設置有激活電路,如圖5,所示,但PWM IC從輔助繞組獲得電源供應之后,激活電路便失去作用,但此時(shí)激活電阻上的跨壓仍然會(huì )持續造成功耗,等式(2)所示,FAN302HL內建高壓激活電路(HV)代替傳統激活電路的設置,可減少激活電阻造成的功耗并可加速開(kāi)機時(shí)間與高壓的激活能力。

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  緩沖器損失(13%):當功率晶體管關(guān)閉的同時(shí),會(huì )在漏極/源極之間的電壓(VDS)上產(chǎn)生較高的尖峰電壓,如圖6所示,這是由于變壓器上的泄漏電感所導致,因此避免泄漏電感的產(chǎn)生與峰值電流的增加,就能有效地改善消耗損失,如等式(3)

  

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  功率晶體管損失(29%):在功率晶體管損失的部份中,主要包含了開(kāi)關(guān)與傳導損失,如等式(4)(5)所示,而在的應用中又以開(kāi)關(guān)損失占大多數,因此除了挑選合適的功率晶體管外,經(jīng)由脈沖模式(Burst mode)技術(shù),減少單位時(shí)間內功率晶體管的開(kāi)關(guān)次數來(lái)降低開(kāi)關(guān)損失并維持輸出電壓的穩定,可有效改善此部份的功耗,圖7為Power MOSFET相關(guān)參數。

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  3、變壓器鐵芯損失(2%):變壓器傳輸電能時(shí)的消耗主要分為銅損和鐵損,銅損是初級端電流流經(jīng)變壓器線(xiàn)圈阻抗上造成的耗損,但是在空載待機的情況下流經(jīng)變壓器線(xiàn)圈上的電流很小,因此在此條件下銅損的影響可被忽略。表5與等式(6)所列為鐵損的功耗公式,從式中可知降低開(kāi)關(guān)頻率與磁通密度可以改善鐵芯損失,而調整磁通密度時(shí),勢必會(huì )提高匝數比,而線(xiàn)圈匝數增加也會(huì )導致銅損上升,如等式(7)所示,因此需要合理的設計磁芯的磁通密度和工作頻率來(lái)達到功耗的改善

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  4、次級端組件損失:由表4中可知,次級端組件損失主要是由輸出二極管、分流調節電阻與光耦合器損失的總合。

  輸出二極管損失(2%):圖8所示為輸出二極管功耗路徑,當電流在流過(guò)二極管為正向時(shí),會(huì )與PN兩極體上所產(chǎn)生的正向導通電壓來(lái)造成損失,如等式(8)所示,因此挑選較低正向導通電壓的輸出二極管是必備條件之一。

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  分流調節電阻損失(2%):由于在分流調節器必需經(jīng)由分流調節電阻來(lái)導通動(dòng)作并與參考電位來(lái)做比較,以達到恒定輸出電壓,但此調節電阻仍會(huì )占據少量功耗,如等式(9)所式,因此提高調節電阻可以有效改善功耗,但同時(shí)也會(huì )影響到反饋穩定度,因此在這部份的取舍也是要仔細考慮,圖9為功耗路徑。

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  光耦合器損失(35%):光耦合器用來(lái)提供次級端到初級端間的訊號傳遞并免于噪聲干擾,同時(shí)也提供了穩壓控制的訊號路徑,經(jīng)由電流限制電阻器(Rbias)來(lái)提供光耦合器正常工作電流,以達到穩定的工作,但是所流經(jīng)的電流限制電阻器也會(huì )對系統造成一定的功耗產(chǎn)生,如等式(10)所式,因此這部份的取舍也需要好好考慮,路徑圖如圖9所示。

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  由上述的論述可以很明顯的看出,無(wú)論是開(kāi)關(guān)功耗(switching loss)和傳導功耗(conduction loss)或是由PWM控制電路所造成的功耗,大


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