短路保護電路基于高壓MOS/IGBT模塊的設計

帶短路保護鎖定的驅動(dòng)的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅動(dòng)地;1腳為驅動(dòng)輸出。

　　當電路存在短路的時(shí)候流過(guò)MOS的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導致三極管由截止進(jìn)入導通(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關(guān)系)，因此驅動(dòng)電阻上面有壓降，MOS進(jìn)入放大區。這個(gè)時(shí)候高電壓不會(huì )通過(guò)MOS進(jìn)行強電流放電，因而芯片不會(huì )有局部過(guò)熱的可能，在很短的時(shí)間內保護電路檢測到短路存在關(guān)閉并鎖定驅動(dòng)電壓輸出，MOS僅承受了動(dòng)作時(shí)間內的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。

　　此電路僅作為理解原理使用具體參數看實(shí)際工況選取。

　　S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個(gè)不是主要因數;這里三極管并不工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)他只是根據MOS的瞬態(tài)電流值調整MOS的驅動(dòng)電壓,保證在短路出現的時(shí)候IDM不至于超出安全工作范圍,這個(gè)時(shí)候由于在1US甚至更短的時(shí)間內驅動(dòng)已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定,所以不存在過(guò)功損耗.三極管的反映時(shí)間越快越好.其實(shí)這個(gè)電路是電流負反饋電路演變過(guò)來(lái)的.電路如下: