電壓降僅為50mV的MOSFET冗余模塊YR80.241
1前言
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/231448.htm24V直流電源電壓的故障通常意味著(zhù)重大的安全隱患或經(jīng)濟損失。全天候可靠、不間斷地供應24V電源也就變得越來(lái)越重要,尤其是隨著(zhù)電力系統越來(lái)越智能化,過(guò)程越來(lái)越復雜、高效。它不僅適用于工業(yè)體系,也適用于很多其他領(lǐng)域。
在電信行業(yè),過(guò)程工業(yè)和發(fā)電廠(chǎng)基站等領(lǐng)域中,冗余電源系統是當前最常見(jiàn)的應用。在諸如交通控制系統、隧道監視和門(mén)禁系統等領(lǐng)域,冗余工作方式越來(lái)越普遍,越來(lái)越重要。普爾世(PULS)已開(kāi)發(fā)出了兩種新型冗余模塊,用于該領(lǐng)域的大功率應用。和標準24V電源一起可以構建大功率冗余系統。如圖1所示。
圖1普爾世冗余模塊
2冗余技術(shù)現狀
借助于低損耗的金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)技術(shù),普爾世第一次實(shí)現了只需要一個(gè)冗余模塊就可以構建40A冗余系統的目標。在這個(gè)功率范圍內的各個(gè)電源不再需要兩個(gè)單獨的模塊。
在最簡(jiǎn)單的方案中,冗余意味著(zhù)兩個(gè)電源并聯(lián),每個(gè)電源可以獨自供應負載。這種方案稱(chēng)為1+1冗余。如圖2所示。
更高輸出的電流采用N+1冗余系統。在120A負載電流的實(shí)例中,4個(gè)40A的裝置以冗余模式運行。如果其中一個(gè)裝置出現故障,其余三個(gè)電源可以繼續、安全的提供120A電流。
圖240A1+1冗余系統
3普爾世冗余模塊的技術(shù)特點(diǎn)
通常情況下,冗余供電系統為單個(gè)電源的并聯(lián)使用。由于標準電源的輸出端口通常沒(méi)有去耦二極管,這些裝置必須使用冗余模塊連接起來(lái)。這也就意味著(zhù)即使在電源輸出級短路或缺陷的情況下,系統仍保持冗余狀態(tài)。
冗余系統要求監視各個(gè)獨立電源的功能,確保盡早檢測到故障,啟動(dòng)維護程序。為此,可使用電源的DC-OK信號。
3.1電壓降僅為50mV[1]的“去耦二極管”
標準冗余模塊中的外延二極管或肖特基二極管會(huì )在輸入和輸出之間引起(500~800)mV[2]電壓降。根據負載電路的不同,功率損耗可能會(huì )很高,并導致發(fā)熱問(wèn)題。在新型的YR40.241(40A)和YR80.241(80A)冗余模塊中,已經(jīng)首次將傳統的二極管換成了MOSFET。乍看這樣更換并非什么重大的突破,因為類(lèi)似這樣的“同步整流法”已經(jīng)普遍應用于各種電源輸出級。安裝了外部冗余模塊之后,還需要考慮意外的工作狀況,諸如短路、極性反接或負載反饋,這些問(wèn)題一點(diǎn)也不容易解決。
如果負載或電纜敷設時(shí)出現短路,電源電壓降出現故障,導致在冗余模塊上實(shí)際并無(wú)可用電壓。然而,冗余模塊中的MOSFET必需保持供電狀態(tài),使得短路電流的功率損耗更低。如果MOSFET的電源故障,整個(gè)電流會(huì )另外流經(jīng)MOSFET的“體二極管”,導致MOSFET的功率損耗升高15倍左右。為避免出現這種情況,使用了獲得專(zhuān)利權的電路,以便從最低的剩余電壓中產(chǎn)生適當的電源電壓。這種方法在接通電源時(shí)出現短路現象、或者輸入電壓反接的情形下尤其重要。新的電路也允許出現這些情形。
MOSFET冗余模塊的優(yōu)點(diǎn)不言而喻。MOSFET的導通電阻較低,使得電壓降遠遠低于使用二極管時(shí)的電壓降。輸出電流為40A時(shí),YR80.241輸入端和輸出端的差異僅為50mV。如圖3所示。使用傳統的二極管模塊時(shí),電壓降至少為500mV。同樣,二極管的功率消耗至少升高10倍,并且需要大型散熱器進(jìn)行冷卻。如圖4所示。MOSFET冗余模塊YR80.241在輸出電流為40A時(shí),功率損耗僅為2.7W。這不僅包括MOSFET的功率損耗,也包括終端、內部線(xiàn)路和所需電路的功率損耗。不需要散熱器。
圖4冗余模塊的功率損耗曲線(xiàn)
3.2不帶散熱器的80AMOSFET冗余模塊
YR80.241冗余模塊含有兩個(gè)40A輸入端和一個(gè)80A輸出端,短期內可超載160%。這就使得輸出電流達到40A的電源1+1或N+1冗余系統僅使用一個(gè)冗余模塊。由于功率損耗較低,內部無(wú)需安裝散熱器,并且裝置的寬度可以限制到46mm。如圖5所示。該模塊可防止短路、避免極性反接,在-40℃和+70℃之間可實(shí)現全功率運行。諸如制動(dòng)電機之類(lèi)的反饋型負載最高電壓甚至允許達到40Vdc。為適于全球使用,我們正在計劃一種綜合的國際認證包,除了很多安全認證之外,還包括ATEX(防爆指令)認證。
對于小一些的輸出電流,YR40.241冗余模塊的最高輸出電流為40A,寬度限制在36mm。
圖6冗余系統外觀(guān)尺寸
同理,使用YR40.241冗余模塊和20A電源實(shí)現了20A冗余系統的設計。
除了這兩個(gè)高電流冗余模塊之外,普爾世還提供了帶二極管的冗余模塊,適用于較小和中等輸出電路。這些模塊可具備或不具備綜合監控功能。監控器可識別低于固定閾值的電源的輸出電壓,并適時(shí)打開(kāi)信號接點(diǎn)。如果電源本身沒(méi)有DC-OK信號,這種功能就顯得至關(guān)重要。
4總結
由于采用MOSFET新技術(shù),冗余模塊的功率損耗進(jìn)一步降低,實(shí)現了40A的1+1冗余也只需要一個(gè)冗余模塊就能實(shí)現,極大節省了設計成本,降低了功率損耗,在當今以環(huán)保為理念的產(chǎn)品設計中,該技術(shù)必將大放異彩,得到廣泛的應用。
普爾世擁有豐富的產(chǎn)品,通常不需要定制復雜的解決方案,工程師完全可以放心使用設計上乘的、經(jīng)過(guò)全面測試的標準產(chǎn)品。
在設計冗余系統的時(shí)候,推薦的可靠冗余操作方法如下。
⑴每個(gè)電源使用單獨的輸入保險絲。
⑵如有可能,將電源連接到不同的相位或主電路上。
⑶使用三相電源,其中一個(gè)相位故障時(shí),確保功能安全。
⑷一定要使用冗余模塊或去耦二極管。
⑸所有電源必須單獨監控。如出現故障,需盡早檢測,立即矯正。為此,可使用電源的DC-OK信號。
⑹盡量均勻設置輸出電壓。如裝置帶有“并聯(lián)使用”功能,將其設為“并聯(lián)使用”模式。
圖5YR80.241外觀(guān)
3.3強大的產(chǎn)品系列——QT40.241和YR80.241
直到最近,單個(gè)40A電源在DIN-rail上所需的空間超過(guò)全冗余系統所需的空間。全冗余系統包括兩個(gè)三相40A電源(QT40.241)和一個(gè)YR80.241冗余模塊。此處266mm的寬度就足夠了。在單相系統中可以使用QS40.241電源。這就使得總寬度達到296mm。如圖6所示。較高的部分負載效率和新型的40A電源的“并聯(lián)使用”模式尤其具有優(yōu)勢。這種模式確保單個(gè)電源的負載電流保持唯一,這樣有利于整個(gè)系統的可靠性和使用壽命。集成輸入保險絲、主動(dòng)功率因數校正(PFC)、寬廣的溫度范圍以及較高的功率和電流儲備(4秒60A),只不過(guò)是新型QT40和QS40電源的眾多創(chuàng )新特征中的幾個(gè)。集成DC-OK信號監控電源功能,確保盡早檢測到故障,啟動(dòng)維護程序。
圖3YR80.241電壓降VON與輸出電流IT的關(guān)系
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