光伏逆變器中功率電子器件的選擇技巧

　　簡(jiǎn)介

　　太陽(yáng)能光伏系統的應用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛。尤其是移動(dòng)系統，不用花一分錢(qián)，就從太陽(yáng)能中受益。同時(shí)由于常規電能成本不斷攀升，太陽(yáng)能對家庭應用具有很大的吸引力。太陽(yáng)能電池本身和連接太陽(yáng)能電池與公共電網(wǎng)或分布電源的太陽(yáng)能逆變器的能源效率，是這一技術(shù)取得成功的關(guān)鍵所在。如今，最大輸出功率為5kW的高級太陽(yáng)能逆變器擁有兩級拓撲。圖1顯示了此類(lèi)太陽(yáng)能逆變器的多組配置。

　　每組都和自己的功率調節器相連，然后連接至共用直流母線(xiàn)。功率調節器能夠使太陽(yáng)能電池以最大效率工作。太陽(yáng)能逆變器可產(chǎn)生饋入市電的交流電壓。請注意，圖1所示的電源網(wǎng)是一種可用于任何逆變器拓撲的虛設電路，外加一個(gè)市電變壓器和一個(gè)輸出濾波器，變壓器可阻止直流分量進(jìn)入市電。

　　但是，也有一些系統是不用變壓器的，這取決于太陽(yáng)能逆變器銷(xiāo)售所在國家的法律背景。允許不采用變壓器的國家的目的是提高系統效率，因為變壓器導致效率下降1~2個(gè)百分點(diǎn)。另一方面，逆變器必需避免直流分量， 要求電流小于5mA。雖然這很難做到，但是為了獲得更高的效率，我們還是成功地實(shí)現了。表1給出了每一級對系統損耗、系統尺寸和系統成本的貢獻值。

　　很容易可以看出，變壓器是系統損耗和成本的主要貢獻者。然而，變壓器在許多國家是必須使用的，因此，它不在減小損耗的考慮范圍之內。輸出濾波器可減弱由輸出逆變器級產(chǎn)生的電流紋波，該濾波器的大小和成本與逆變器開(kāi)關(guān)頻率成反比。開(kāi)關(guān)頻率越高，濾波器的尺寸越小、價(jià)格越便宜。但是，這種關(guān)系與硬轉換狀態(tài)下開(kāi)關(guān)頻率和開(kāi)關(guān)損耗之間的關(guān)系形成了折衷——開(kāi)關(guān)頻率越高，損耗越大，因此效率就越低。從16kHz~20kHz的開(kāi)關(guān)頻率，由于具備較低音頻噪聲和較高效率，可以滿(mǎn)足太陽(yáng)能逆變器的要求。因此，功率電路還有待于進(jìn)一步研究。

　　下文將比較適用于這兩級的幾種半導體技術(shù)的優(yōu)勢。

　　用于DC/AC升壓變換器的功率半導體

　　DC/DC變換器是在100kHz或以上的開(kāi)關(guān)頻率下?tīng)顟B(tài)下運行的。變換器以連續模式運行，這意味著(zhù)，升壓電感器內的電流在額定條件下會(huì )產(chǎn)生連續波形。當晶體管關(guān)閉時(shí)，二極管作為續流二極管使用時(shí)，晶體管可為電感器充電。這就是說(shuō)，當晶體管再次打開(kāi)時(shí)，二極管可以主動(dòng)關(guān)閉。下圖給出了常用硅二極管的典型反向恢復特性（圖2中的黑色和紅色曲線(xiàn)）。

　　硅二極管的反向恢復特性，在升壓晶體管和相應的二極管中都會(huì )產(chǎn)生較高的損耗。而碳化硅二極管就沒(méi)有這一問(wèn)題（如圖2中藍色曲線(xiàn)所示）。只是由于電容性產(chǎn)生一個(gè)二極管瞬間負電流，這是由二極管的結電容電荷引起的。碳化硅二極管可大大減少晶體管的開(kāi)通損耗和二極管的關(guān)斷損耗，還可減少電磁干擾，因為波形非常平滑，沒(méi)有振蕩。

　　以往曾經(jīng)報道過(guò)很多避免由二極管的反向恢復特性造成損耗的工藝，例如零電壓開(kāi)關(guān)的零電流開(kāi)關(guān)等。所有這些都會(huì )大大增加元件數量和系統的復雜程度，結果經(jīng)常使穩定性下降。特別值得提出的是，即使是在硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)下通過(guò)使用碳化硅肖特基二極管，也可以用最少的元件實(shí)現軟開(kāi)關(guān)相同的效率。

　　高開(kāi)關(guān)頻率同樣要求高性能的升壓晶體管。超級結晶體管（如 CoolMOS）的引進(jìn)，為進(jìn)一步降低MOSFET 的單位面積導通電阻RDS（on） 帶來(lái)了希望，如圖3所示。

　　很容易可以看出，與標準工藝相比，單位面積RDS（on）大概比CoolMOS低4倍~5倍。這意味著(zhù)，在標準封裝中，CoolMOS可實(shí)現最低絕對導通電阻值。這將帶來(lái)最低導通損耗和最高效率。CoolMOS 工藝的單位面積RDS（on）表現出更好的線(xiàn)性度。當電壓為600V時(shí)，CoolMOS的優(yōu)勢顯而易見(jiàn)，如果電壓更高，其優(yōu)勢就會(huì )加大。目前，最高的電壓級為800V。

　　經(jīng)多次研究表明：使用碳化硅二極管和超級結MOSFET如CoolMOS，優(yōu)于采用標準的MOSFET和二極管工藝（如圖4所示）解決方案。

　　用于逆變器的功率半導體

　　輸出逆變器連接直流母線(xiàn)和電網(wǎng)。通常，開(kāi)關(guān)頻率沒(méi)有DC/DC變換器的高。輸出變換器必須處理由所有組變換器產(chǎn)生的電流總和。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是在這一逆變器使用的理想器件。圖5給出了IGBT工藝的兩個(gè)橫截面。

　　兩種工藝都采用了晶圓減薄工藝，旨在降低導通損耗以及由襯底厚度太大造成的開(kāi)關(guān)損耗。標準工藝和 TrenchStop工藝是非外延 IGBT工藝，沒(méi)有采用晶體管生長(cháng)工藝，因為此類(lèi)工藝流程的成本很高，因為阻斷電壓是根據增長(cháng)晶體的厚度來(lái)決定的。

　　在斷開(kāi)狀態(tài)下，標準NPT 單元在半導體內部形成了一個(gè)三角形的電場(chǎng)。所有阻斷電壓都被襯底的n區域

　　吸收（取決于其厚度），以使電場(chǎng)在進(jìn)入集電極區域之前降到0。600V芯片的厚度是120mm，1200V芯片的厚度是170mm。 飽和電壓為正溫度系數，從而簡(jiǎn)化了并聯(lián)使用。

　　TrenchStop 工藝是先進(jìn)的溝槽柵（trench gate）和場(chǎng)終止層（fieldstop）概念的結合，可以進(jìn)一步降低導通損耗。 Trench gate工藝提供更高的溝道寬度，從而減小了溝道電阻。ndoped 場(chǎng)終止層只執行一項任務(wù)：以極低的斷態(tài)電壓值抑制電場(chǎng)。這為設計出電場(chǎng)在n襯底層中幾乎是水平分布的創(chuàng )造了條件。這說(shuō)明，材料的電阻非常低，因而在導通過(guò)程中，電壓降很低。電場(chǎng)終止層的優(yōu)勢，可通過(guò)進(jìn)一步降低芯片的厚度得以發(fā)揮，從而實(shí)現上述所有優(yōu)越性。采用TrenchStop工藝也可實(shí)現并聯(lián)。

　　表2給出了阻斷電壓為600V和1200V的IGBT的比較。對于這三種工藝來(lái)說(shuō)，所使用的晶體管的額定功率都保持恒定。這就是說(shuō)，電壓為600V時(shí)器件的電流，是電壓為1200V時(shí)器件的兩倍。也就是說(shuō)，一個(gè)50A/600V的器件相當于兩個(gè)25A/1200V的器件。

　　從上表可以看出，與1200V的器件相比較，600V TrenchStop工藝可以將開(kāi)關(guān)和導通損耗降低50%。因此， 對于整個(gè)系統來(lái)說(shuō)，盡可能地使用600V工藝的優(yōu)異性能是很重要的。1200V TrenchStop工藝專(zhuān)為實(shí)現低導通損耗而進(jìn)一步優(yōu)化。因此，Fast工藝或 TrenchStop產(chǎn)品家族哪個(gè)更具有優(yōu)異性能， 取決于開(kāi)關(guān)頻率。

　　IGBT通常還需要一個(gè)續流二極管，以使其能夠續流，這是EmCon工藝的一個(gè)特殊優(yōu)化版本。它是根據600V系列器件的15kHz開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行優(yōu)化的。過(guò)去認為，續流二極管必須具備非常低的導通電壓以實(shí)現最低總損耗。根據應用要求可進(jìn)行其它優(yōu)化，以使二極管和IGBT中的總損耗更低。這說(shuō)明，在頻率約為16kHz的IGBT和二極管的應用中，為實(shí)現低開(kāi)關(guān)損耗，更高的正向電壓降更為合適。

　　這一點(diǎn)在圖6（600V系列）中得以說(shuō)明。左柱表示TrenchStop IGBT和EmCon3工藝中EmCon 二極管的損耗。右柱表示TrenchStop IGBT和為實(shí)現低傳導損耗而進(jìn)行優(yōu)化后的二極管（稱(chēng)為Emcon2工藝）的損耗。右柱中的同一二極管與采用英飛凌的Fast工藝（600V）的IGBT結合使用。條形圖中黃色和橙色的部分分別代表IGBT的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。深藍色和淺藍色部分分別是二極管的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

　　很容易看出，在開(kāi)關(guān)頻率為16kHz，負荷角的余弦值為 0.7和額定電流的情況下，Emcon3二極管在導通過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生更高損耗（深藍色），但能得到更好的開(kāi)關(guān)性能。因此，就這一點(diǎn)而言，二極管本身已經(jīng)是很好的選擇了。 此外，它還降低了IGBT在開(kāi)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。上述第2部分的考慮事項同樣適用于此處。 使用優(yōu)化的EmCon二極管可使損耗降低1W左右，這是它的一個(gè)優(yōu)勢。請注意，當負荷角接近1的時(shí)候，開(kāi)關(guān)損耗將成為主要的損耗，因為二極管只在輸出逆變器死區期間導通。

　　結論

　　功率半導體器件需要具備