du/df與負載電流大小的關(guān)系

　　功率開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的du/dt是開(kāi)關(guān)電源中的主要干擾源之一，IGBT與功率MOSFET在開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的|du /dt|的大小是不同的，這是在分析和處理電力電子裝置和系統的干擾時(shí)必須注意的一個(gè)問(wèn)題。如圖是一臺IGBT電壓型橋式逆變器電路的測試結果，圖（a）表明隨著(zhù)負載電流的加大，關(guān)斷產(chǎn)生的|du/dt|值變大，而圖（b）表明負載電流的變化對開(kāi)通的|du/dt|影響不大。實(shí)驗和分析都表明，由于開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的|du/dt|不同，從而對外部產(chǎn)生的干擾脈沖也是不同的。

　　圖 IGBT開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)的電壓跳變和負載電流的關(guān)系