降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇(圖)

同步整流降壓式dc/dc轉換器都采用控制器和外接功率mosfet的結構?？刂破魃a(chǎn)商會(huì )在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶(hù)的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據實(shí)際情況改變功率mosfet的參數。

對功率mosfet的要求

同步整流降壓式dc/dc轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動(dòng)mosfet的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(q1)及同步整流管(q2)等組成。目前，q1和q2都采用n溝道功率mosfet，因為它們能滿(mǎn)足dc/dc轉換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。

圖1 同步整流降壓式dc/dc轉換器的輸入及輸出部分電路簡(jiǎn)圖

開(kāi)關(guān)管與同步整流管的工作條件不同，其損耗也不一樣。開(kāi)關(guān)管有傳導損耗(或稱(chēng)導通損耗)和柵極驅動(dòng)損耗(或稱(chēng)開(kāi)關(guān)損耗)，而同步整流管只有傳導損耗。

傳導損耗是由mosfet的導通電阻r_ds(on)造成的，其損耗與i²d、r_ds(on)及占空比大小有關(guān)，要減少傳導損耗需要選用r_ds(on)小的功率mosfet。新型mosfet的r_ds(on)在v_gs=10v時(shí)約  10mω左右，有一些新產(chǎn)品在v_gs=10v時(shí)可做到r_ds(on)約2～3mω。

柵極驅動(dòng)損耗是在開(kāi)關(guān)管導通及關(guān)斷瞬間，在一定的柵源電壓v_gs下，對mosfet的極間電容(如圖2所示)進(jìn)行充電(建立v_gs電壓，使mosfet導通)和放電(讓v_gs=0，使mosfet關(guān)斷)造成的損耗。此損耗與mosfet的輸入電容c_iss或反饋電容c_rss、柵極驅動(dòng)電壓v_gs及開(kāi)關(guān)頻率f_sw成比例。要減小此損耗，就要選擇c_iss或c_rss小、閾值電壓v_gs(th)低的功率mosfet。

圖2 mosfet的極間電容

同步整流管也是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)(其開(kāi)關(guān)頻率與開(kāi)關(guān)管相同)，但因同步整流管工作于零電壓(v_gs≈0v)狀態(tài)(如圖3所示)，其開(kāi)關(guān)損耗可忽略不計。

圖3 同步整流管導通時(shí)，vds≈0v

為滿(mǎn)足dc/dc轉換器的工作安全、可靠及高效率，所選的功率mosfet要在一定的柵極驅動(dòng)電壓下滿(mǎn)足以下的條件：mosfet的耐壓要大于最大的輸入電壓，即v_dss>v_in(max) ；mosfet的漏極電流要大于或等于最大輸出電流，即i_d≥i_out(max)；選擇c_iss或c_rss盡量小的開(kāi)關(guān)管，選擇r_ds(on)盡量小的同步整流管，使mosfet的損耗最小，并滿(mǎn)足其損耗值小于p_d(p_d為一定條件下的mosfet允許耗散功率)。另外，還要選擇價(jià)格適中、封裝尺寸小的(如so-8、dpak或d2pak封裝)貼片式mosfet。

mosfet的v_dss、i_d及r_ds(on)等參數可直接從mosfet的樣本或數據資料中找到，而其損耗則要在一定條件下經(jīng)計算才能確定。

mosfet的損耗計算

dc/dc控制器生產(chǎn)廠(chǎng)家在數據資料中給出開(kāi)關(guān)管及同步整流管的損耗計算公式，其中開(kāi)關(guān)損耗的計算往往是經(jīng)驗公式，因此各dc/dc控制器生產(chǎn)廠(chǎng)家的公式是不相同的，要按該型號資料提供的損耗公式計算，否則會(huì )有較大的計算誤差。

損耗計算的方法是，根據已知的使用條件先初選一個(gè)功率mosfet，要滿(mǎn)足v_dss>v_in(max)、i_d≥i_out(max)、c_iss或c_rss小、r_ds(on)小的要求，然后按公式計算其損耗。若計算出來(lái)的損耗小于一定條件下的p_d，則計算有效，可選用初選的功率mosfet；若計算出來(lái)的損耗大于p_d，則重新再選擇或采用兩個(gè)功率mosfet并聯(lián)，使1/2(計算出來(lái)的損耗)d。

計算前要已知：輸入電壓vin(或 v_in(max)及vin(min))、輸出電壓vout、最大輸出電流i_out(max)、開(kāi)關(guān)頻率f_sw。一般所選的mosfet的p_d往往是1～1.5w，其目的是減小損耗、提高效率。

本文介紹美信公司的max8720單相降壓式dc/dc控制器及飛兆公司的多相降壓式dc/dc控制器fan5019b組成的電路中的mosfet損耗計算。損耗計算公式是非常簡(jiǎn)單的，關(guān)鍵是如何從mosfet樣本或數據資料中正確地選取有關(guān)參數。

mosfet主要參數的選取

• i_d及p_d值的選取
  
  mosfet的資料中，漏極電流i_d及允許耗散功率p_d值在不同條件下是不同的，其數值相差很大。例如，n溝道功率mosfet irf6617的極限參數如表1所示。
  
  表1 連續工作狀態(tài)下的極限值
  
  
  最大漏極電流idm=120a(以最大結溫為限的脈沖狀態(tài)工作)。
  
  不同的mosfet生產(chǎn)廠(chǎng)家對i_d及p_d的表達方式不同。例如，安森美公司的ntmfs4108n的i_d及p_d參數如表2所示。
  
  表2最大極限值(tj=25℃，否則另外說(shuō)明)
  
  注：*安裝條件1為mosfet安裝在敷銅鈑面積為6.5cm2的焊盤(pán)上(見(jiàn)圖4)
     **安裝條件2為mosfet安裝在敷銅鈑面積為2.7cm2的焊盤(pán)上(見(jiàn)圖4)
  
  最大漏電流idm=106a(脈沖狀態(tài)，tp=10μs)。
  
  在dc/dc轉換器中，mosfet工作在占空比變化的脈沖狀態(tài)，但也不是工作于窄脈沖狀態(tài)；工作溫度范圍是-40～85℃。表1、表2中無(wú)這種工作條件下的i_d及p_d值。i_d可在下面的范圍內選?。?ta=70～85℃時(shí)的i_d)d≤連續或短時(shí)的最大值。例如，表1中的i_d可取11～55a，表2中的i_d可取16～35a。p_d一般選最小值。
  
• r_ds(on)值的選取
  
  mosfet資料中給出結溫tj=25℃及v_gs=10v及v_gs=4.5v時(shí)的典型  r_ds(on)值及最大r_ds(on)值。另外，r_ds(on)也隨結溫上升而增加。一般r_ds(on)是在已知的v_gs條件下(由驅動(dòng)器或控制器的vcc決定)，取r_ds(on)最大值為計算值。
  
• c_iss及c_rss的選取
  
  在計算開(kāi)關(guān)管損耗時(shí)要用到輸入電容c_iss(c_iss=c_gd+c_gs)或反饋電容c_rss(c_rss=c_gs)值。為減小開(kāi)關(guān)損耗，要選擇c_iss或c_rss小的mosfet。c_iss一般為上千到數千pf，而c_rss一般為幾十到幾百pf。
  “mosfett選擇指南”或“簡(jiǎn)略表”中往往沒(méi)有c_iss或c_rss參數，但有總柵極電容qg值。由于qg小的mosfet，其c_iss或c_rss也小。所以可先找出qg小的mosfet型號，然后再在數據資料中找出c_iss或c_rss值。有的數據資料的參數表中無(wú)c_iss或c_rss參數，但有c_iss和c_rss與vds的特性曲線(xiàn)，可取vds=15v時(shí)的c_iss或c_rss值作為計算值，如圖5所示。

圖4 mosfet焊盤(pán)(敷銅板)尺寸

圖5 c_iss和c_rss與vds的特性曲線(xiàn)

應用實(shí)例

• max8720電路中的mosfet選擇
  
  由max8720組成的降壓式dc/dc轉換器電路如圖6所示?，F使用條件為vin=7～24v、vout=1.25v、i_out(max)=15a、f_sw=300khz，控制器的工作電壓(偏置電壓)vcc=5v，選合適的開(kāi)關(guān)管(nh)及同步整流管(nl)。
  
  
  
  圖6 由max8720組成的降壓式dc/dc電路
  
  
  初選vishay公司的si7390dp作nh(其qg僅10nc)；si7356dp作nl (r_ds(on)=4mω)。其封裝都是8引腳、有散熱墊的so-8封裝，主要參數如表3所示。
  
  表3
  注：*由特性曲線(xiàn)中求得；**印制板焊盤(pán)面積最小的值。
  
  
  1. 開(kāi)關(guān)管傳導損耗pd(n_hr)計算
     
     pd(n_hr)=(vout/vin(min))(i_out(max))2