用通量場(chǎng)定向材料優(yōu)化無(wú)線(xiàn)充電的設計
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圖2：在三種環(huán)境中對線(xiàn)圈和相關(guān)通量場(chǎng)進(jìn)行建模：在具有確定通量場(chǎng)的自由空間中的線(xiàn)圈（a），因渦流損耗而減少了通量場(chǎng)的、靠近金屬表面的線(xiàn)圈（b），在線(xiàn)圈和金屬之間有FFDM的、靠近金屬的線(xiàn)圈（c）。后者顯示了顯著(zhù)改進(jìn)的通量場(chǎng)性能。
在典型的EMIC-WP系統配置中，移動(dòng)設備在進(jìn)入初級線(xiàn)圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線(xiàn)圈感應（圖3）。使用FFDM可以增強初級線(xiàn)圈通量場(chǎng)，并確保組件的其它部分具有明確的通量場(chǎng)和低損耗。接收線(xiàn)圈的FFDM可以優(yōu)化經(jīng)過(guò)線(xiàn)圈的通量場(chǎng)，從而建立高度的感應耦合效果。
圖3：典型EMIC-WP系統裝置中的移動(dòng)設備在進(jìn)入初級線(xiàn)圈通量場(chǎng)時(shí)，使用FFDM優(yōu)化接收線(xiàn)圈感應
EMIC-WP系統可以采用單個(gè)線(xiàn)圈或多個(gè)線(xiàn)圈進(jìn)行設計，以簡(jiǎn)化在初級線(xiàn)圈表面上的器件定位，實(shí)現最優(yōu)的充電周期。FFDM可以與兩種系統一起使用，并且可以根據磁導率、厚度、多層設計、材料組合、幾何形狀等改變實(shí)現。所有措施都是為了優(yōu)化通量場(chǎng)路徑特性和能量傳輸效率。
許多FFDM在其他移動(dòng)設備應用中也很有用，例如：近場(chǎng)通信（NFC）或射頻標簽（RFID）應用。與EMIC-WP能量通量場(chǎng)不同，NFC/RFID應用具有初級（發(fā)送）和接收線(xiàn)圈（或天線(xiàn)），用于發(fā)送數據通量場(chǎng)。FFDM可以用來(lái)提高線(xiàn)圈效率，改善距離和誤碼率方面的通信性能。
FFDM還可以用于許多電子設備中因電流流動(dòng)產(chǎn)生的低頻磁噪聲的EMI屏蔽應用。FFDM能夠與流動(dòng)電流產(chǎn)生的輻射磁通量場(chǎng)發(fā)生交互，并改變其方向，從而保護其它器件、系統線(xiàn)路或相鄰元器件免受流動(dòng)電流磁通量場(chǎng)的影響。
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