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利用數字控制技術(shù)改善功率密度和電源管理

作者: 時(shí)間:2013-05-16 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏

在一個(gè)電源系統中有許多地方可以采用數字技術(shù),一個(gè)是電源內部電路本身,還有就是在系統級實(shí)現功率管理和監控功能[4].本文將針對第一種情況進(jìn)行詳細討論。文中比較了板載電源(BMPS)的內部控制功能采用數字技術(shù)和更傳統的模擬方法的系統級實(shí)現效果。對于比較中所提到的每一個(gè)方案,BMPS的最終用戶(hù)都可以采用傳統的方式來(lái)使用器件,而無(wú)需額外的系統級數字技術(shù)。比較依賴(lài)了實(shí)際的案例研究,利用了實(shí)際的產(chǎn)品單元作為參考基準。研究中使用了兩種數字設計方案。一種是尺寸優(yōu)化設計,它提供與模擬設計相近的輸出功率,但具有較小的物理尺寸。另一種方案則是輸出優(yōu)化設計,即維持與模擬設計類(lèi)似的外形尺寸,但使輸出功率增加。在所有的三種設計方法中,基本的功率傳遞拓撲結構保持不變,從而將比較的焦點(diǎn)集中在如何利用實(shí)現設計的靈活度方面。比較中感興趣的一些方面包括電氣性能、效率、元器件數量、、成本和可靠性。比較是站在最終用戶(hù)而不是BMPS設計師的利益角度上進(jìn)行的。

  本案例比較中所用的BMPS是愛(ài)立信公司的PMH8918L(POL)穩壓器[1].這是一款電流為18A的非隔離同步降壓穩壓器,其輸出電壓可編程,額定輸入電壓為12V.該產(chǎn)品是一款最新的產(chǎn)品,其多項指標都具有競爭性,所以它是使用模擬控制的穩壓器的最好代表。在先前發(fā)表的文章中,曾經(jīng)估計到對于相同的18A的輸出電流,采用數字技術(shù)可以使PCB面積減小40-50%,或者說(shuō),對于相同的封裝尺寸,輸出電流可以增加到35A.本文將證明在采用時(shí),這些估計實(shí)際上還太過(guò)保守,甚至有可能實(shí)現更高的功率和電流密度。

  除了考慮POL穩壓器的數字控制本身為用戶(hù)帶來(lái)的好處之外,在數字部分還增加了一個(gè)新的接口連接器,從而使得電源系統中可以隨意地利用數字電源管理技術(shù)。該連接器的增加并不改變POL的性能,或者說(shuō)不會(huì )改變模擬和數字控制方法學(xué)的比較結果。該連接器的增加,證明了這項可選系統功能的實(shí)現對BMPS的成本和體積并沒(méi)有實(shí)質(zhì)的不利影響。

  如上所述,本文內容局限于BMPS層級上的技術(shù)和性能的折衷。為了獲取更多的相關(guān)內容,包括數字技術(shù)在電源系統管理領(lǐng)域中的擴展,讀者可以直接參見(jiàn)參考目錄[4]中的白皮書(shū)。

  案例研究設計

  1. 現有的18A模擬產(chǎn)品

  愛(ài)立信PMH8918L(POL)穩壓器的額定輸出電流為18A.它采用非隔離的同步降壓技術(shù),帶有一個(gè)傳統的模擬控制環(huán)路,開(kāi)關(guān)頻率為320kHz.輸出電壓可編程,范圍為1.2-5.5V,輸入電壓為12V.輸出電壓為3.3V時(shí)的效率大于92%,計算出來(lái)的MTBF為380萬(wàn)小時(shí)。

  圖1左上方MOSFET的RDS-ON為8.8mΩ,柵極電荷Qg為11nC.而圖1左下方MOSFET的相應參數則分別為4.0mΩ和27nC.輸出電感的額定值為1.2μH,其電阻為2.3mΩ。

MOSFET的RDS-ON為8.8mΩ,柵極電荷Qg為11nC

MOSFET的相應參數則分別為4.0mΩ和27nC.輸出電感的額定值為1.2μH,其電阻為2.3mΩ

  PMH8918LPOL穩壓器的尺寸為38.1x22.1x9.0mm.通孔版的圖片如圖1左所示。

  2. 尺寸優(yōu)化的20A數字設計

  構建的數控POL穩壓器能夠提供與模擬PMH8918L大致一樣的輸出電流和功率。所采用的基本拓撲結構是一樣的。為了優(yōu)化尺寸重新設計了PCB版圖。最終POL穩壓器的尺寸為25.4x12.7x8.5mm,所能提供的最大輸出電流為20A.

  重要的是應該知道在該設計中,已經(jīng)將尺寸大幅減小變?yōu)榭赡?,這是因為減少了與數字控制實(shí)現相關(guān)的元器件數量。高集成度省去了模擬設計中所用的幾個(gè)輔助分立器件。通過(guò)仔細選擇MOSFET,并將MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗之和減到最小,來(lái)實(shí)現效率的最優(yōu)化。圖1右上方的FET的RDS-ON為3.4mΩ,Qg為30nC;而圖1右下方的FET的相應值則分別為1.8mΩ和47nC.輸出電感的額定值為1.2μH,其電阻為2.3mΩ。由于新器件RDS-ON的降低,加上源極電感的減小,使得總的傳導和開(kāi)關(guān)損耗降低,從而實(shí)現了滿(mǎn)負載時(shí)的最佳效率。輸出電感為1.0μH,電阻為2.3mΩ。另外PCB的覆銅量也有所改變,從而改進(jìn)了熱管理,降低了傳導損耗。

  本設計中所用的控制芯片具備“效率優(yōu)化的空載時(shí)間控制”功能。該功能導致了效率的提高,這將在下面進(jìn)行論證。在參考資料[2]中可以看到有關(guān)該技術(shù)的更多細節。這種POL穩壓器的開(kāi)關(guān)頻率為320kHz.

  在本案例研究中,為數字控制POL穩壓器加入了一個(gè)新型信號接口,不過(guò)它并不影響設計的性能,也并非基本功能所必需。沒(méi)有采用適合電源連接的大電流引腳,而是設計了一個(gè)簡(jiǎn)單的、標準的和高性?xún)r(jià)比的10芯連接器。如果最終用戶(hù)需要,該連接器可以用來(lái)與系統級電源管理電路進(jìn)行通信并配置POL穩壓器。設計中引入連接器時(shí),并不影響封裝尺寸。圖1右所示的是一個(gè)完整的20A尺寸優(yōu)化的數字設計。

  3. 輸出優(yōu)化的40A設計

  構建的另一個(gè)數控POL穩壓器的尺寸與模擬PMH8918L基本相同,但輸出電流得到了提高。最終的尺寸比模擬設計的尺寸略小一點(diǎn),為30.0x20.0x8.5mm.而該POL穩壓器的輸出電流提高到了40A.

  為了提供更高的輸出電流,該設計中采用了并聯(lián)MOSFET.FET器件的選用準則與尺寸優(yōu)化設計中相同。圖2右上方的FET的參數如下:RDS-ON為1.7mΩ,Qg為60nC.而圖2右下方的FET相應參數則分別為0.6mΩ和141nC.電感為0.82μH而電阻為1.7mΩ,進(jìn)一步降低了電阻損耗。該設計的開(kāi)關(guān)頻率也是320kHz.所用的控制芯片與20A數字設計中的相同。

  圖2右顯示的是40A輸出優(yōu)化設計的照片。

40A輸出優(yōu)化設計的照片

40A輸出優(yōu)化設計的照片

 性能比較

  根據通常所采用的電氣性能參數對上述三種設計進(jìn)行了表征。這些參數包括輸出能力、負載調整、效率、紋波、噪聲和動(dòng)態(tài)響應。但由于篇幅有限,這里只詳細地討論效率,因為它對最終用戶(hù)來(lái)說(shuō)是一個(gè)最重要的關(guān)鍵參數。對于上述的其它參數,總體說(shuō)來(lái)兩種數字設計的性能要等同于或更高于模擬設計。參考資料[3]中給出了一些初步的比較結果。

  1. 效率

  比較中所用的PMH8918L是一款大電流POL穩壓器。對于這類(lèi)產(chǎn)品,轉換效率是最重要的,因為它對系統的熱設計、最終封裝密度、以及確定終端設備所需的輸入電源具有很大的影響。因此,如果要求數字設計在效率上進(jìn)行折衷的話(huà),將是一個(gè)難以接受的方案。

三種設計的效率與輸出電流的關(guān)系

  圖3、4、5中的曲線(xiàn)分別為上述三種設計的效率與輸出電流的關(guān)系。每組數據都是在輸入電壓為12V,輸出電壓為3.3V以及環(huán)境溫度為25℃的條件下獲得的。比較20A的數字設計和18A的模擬設計,發(fā)現盡管數字模塊的尺寸小了許多,但數字設計在全部的負載范圍上的效率都得到了改善。在半負載點(diǎn)上,數字POL穩壓器的效率改善了1.1%(為93.8%),而在滿(mǎn)負載點(diǎn)上效率提高了1.2%(達到92.5%)。數字設計效率的改善主要歸功于輔助電路的減少、空閑時(shí)間控制以及更優(yōu)化的功率傳遞。

三種設計的效率與輸出電流的關(guān)系

  由于基準模擬POL穩壓器的特性是在12V的輸入電壓下獲得的,故在數字設計中也采用相同的輸入電壓以便比較。順便說(shuō)明,對于數字設計來(lái)說(shuō),采用更低的輸入電壓時(shí)效率會(huì )更高。例如,當輸入電壓為9.6V時(shí),在半負載點(diǎn)上效率又提高1%(達到94.8%)。關(guān)于這點(diǎn)在研究整體電源系統優(yōu)化時(shí)將是非常有趣的問(wèn)題。

  40A的數字設計專(zhuān)為大電流作了優(yōu)化,這反映在圖5中15-30A范圍內的效率性能曲線(xiàn)上。當輸出電流低于10A時(shí),它包括了18A模擬設計的可用工作范圍的絕大部分,其效率要比模擬POL穩壓器略微低一些,這是由于較高的開(kāi)關(guān)損耗所致。但在半負載點(diǎn)上(20A),其效率達到93.7%,比相同輸出電流的模擬設計提高了2.4%.即便是在40A的滿(mǎn)負載點(diǎn)上,效率仍達91.9%,也比相應的模擬POL穩壓器高0.6%.故在所有關(guān)注的設計范圍內,40A數字設計的效率也優(yōu)于模擬設計。改善的原因歸結于所采用的元器件數量與20A設計一樣多。而當輸入電壓為9.6V時(shí),40A設計的效率也能夠再提高1%.

  盡管40A數字設計的效率比模擬POL穩壓器高且尺寸相當,但由于

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