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VDMOS器件損傷的DC/DC轉換器輻射預兆單元設計
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時(shí)間：2013-06-17
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由于電路采用抗輻射加固設計，其他器件輻射損傷對輸出影響不大，仿真結果沒(méi)有變化，在此不再給出仿真結果。航天用DC／DC轉換器工作在很大的溫度范圍內，預兆單元溫度變化仿真結果，如圖6所示，輸出電壓不受影響，跳變點(diǎn)微小變化對報警影響不大。仿真結果證實(shí)所設計的預兆單元電路和預警方案是合理可行的。
4 結束語(yǔ)
文中把預警和健全管理(PHM)方法用于DC／DC轉換器抗輻射可靠性研究，研究了VDMOS器件和DC／DC轉換器之間的輻射損傷關(guān)系。結合輻射損傷關(guān)系和預兆單元技術(shù)原理設計了基于VDMOS器件損傷的DC／DC轉換器輻射預兆單元，仿真結果證實(shí)所設計的預兆單元可以對DC／DC轉換器輻射損傷失效提前報警。
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