適用于寬電源電壓幅度的高精度雙極帶隙基準電路
設計并實(shí)現了一種bipolar工藝下的高精度帶隙基準電路,通過(guò)Hspice驗證,具有2.28×10-6 K-1的溫度系數,在△V=10V的寬電源電壓幅度范圍作用下,具有1.2mV/V電源抑制特性及直流PSRR=79dB的高電源抑制比。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/228155.htm引言
電壓基準廣泛地應用在模擬電路中,在A(yíng)/D、D/A的集成電路設計中,也需要基準來(lái)確定其輸入或輸出的全程范圍。隨著(zhù)電路系統的不斷復雜化,對基準源的要求也越來(lái)越高。盡管MOS器件的許多參數已被考慮用于基準產(chǎn)生,但雙極電路,因其晶體管的特征參數具有最好的重復性,并能提供正溫度系數和負溫度系數的、嚴格定義的量,形成了此類(lèi)電路的核心。由于基準源的精度與溫度有關(guān),提高精度必須降低溫度系數。因此本文采用溫度補償及負反饋的方法,大大的降低了基準電壓的溫度系數,并且在寬電源電壓幅度范圍作用下,使其仍具有很好的電源抑制特性和很高的電源抑制比PSRR(Power-Supply RejectiON Ratio)。
帶隙基準源原理
基準是直流量,它與電源的關(guān)系很小,與溫度和工藝有一定的關(guān)系。由于基準源的精度與溫度有關(guān),提高精度必須降低溫度系數。采用溫度補償的方法,即在溫度區域內找到一點(diǎn),使得基準源的輸出在該點(diǎn)的溫度導數為零,只要此點(diǎn)選取合適,就能獲得較小的溫度系數。
圖1為帶隙基準源的原理示意圖。
圖1 帶隙基準源的原理示意圖
利用熱電壓VT的正溫度系數與雙極型晶體管B、E結電壓VBE的負溫度系數相互補償,以減小溫度漂移。其中VBE的溫度系數在室溫時(shí)大約為-2mV/°C。而熱電壓VT=KT/q,其溫度系數在室溫時(shí)大約為+0.086mV/°C。將電壓VT乘以常數K以后與電壓VBE相加,便可得輸出電壓VREF為:
將式(1)兩端同時(shí)對溫度T求微分,并將VBE和VT的溫度系數值代入,令等式值為零,就可求得K的值,它使得帶隙基準電壓的溫度系數值在理論上為零。由于VT與電源值無(wú)關(guān),而VBE受電源變化的影響極小,故VREF受電源的影響也很小。
高精度帶隙基準電路
等效電路結構與分析
圖2為文本文介紹的一種雙極帶隙基準電路的等效電路圖。
圖2 帶隙基準電路的等效電路圖
此帶隙基準電路基本工作原理是通過(guò)負反饋,保證穩定的輸出電壓。在電路中,雙極型晶體管Q2提供發(fā)射極偏壓為VBE,由取樣電阻R2上的電壓mVREF產(chǎn)生了nVT,其中n/m=K。由以上分析知,選擇適當K,可使兩個(gè)電壓的溫度漂移相互抵消,即令:
其中:?????
將式(3)、(4)代入式(2),有:
即理論值K≈26.23,從而由式(1)得到了在某一溫度下溫度系數為零的基準電壓。當然由于不同工藝下的VBE的負溫度系數有很大的差別,K的實(shí)際值略有不同。
此電路中的運放與常規運放的不同之處在于其輸入差分對尺寸不同,故亦可理解成為加入一失調電壓。當電阻R2上的電壓等于此失調電壓時(shí),運放處于平衡狀態(tài)。當輸出電壓增加時(shí),R2上的電壓增加,差分信號增大,運放輸出電壓升高,輸出電流減小以抑制輸出電壓的上升;同時(shí),當輸出電壓減小時(shí),差分信號減小,運放輸出電壓降低,輸出電流增大以抑制輸出電壓的下降,從而達到穩定輸出電壓的目的。下文將作對此詳細討論。
實(shí)際電路結構與分析
圖3為本文介紹的雙極帶隙基準電路的實(shí)際電路圖。
圖3 高精度帶隙基準電路的實(shí)際電路圖
基準源中的運放AREF由四級組成,輸入級為差分對輸入,經(jīng)過(guò)兩級射隨后,最后經(jīng)過(guò)一級反向放大輸出。晶體管Q7、Q8、Q9構成威爾遜電流源,作為差分對的有源負載,同時(shí)完成雙端輸入到單端輸出的轉換。威爾遜電流源具有大的動(dòng)態(tài)內阻,并且輸出電流受β的影響也大大減小,在設計中選用它使基準電壓的溫度系數有了極大改善。
下面以電流關(guān)系來(lái)闡述此電路補償原理。在圖3中,用ixn表示電流,當x為C、B、E時(shí),表示流經(jīng)三極管Qn的集電極、基極、發(fā)射極的電流;當x為R時(shí),表示流經(jīng)電阻Rn的電流。通過(guò)分析可以得到:
其中i B4、i E5 、i R4為定值,即i C6與i R5、i C4與i B1同方向變化。當該電路處于平衡態(tài)時(shí),i C5也為定值,繼而有:i B4 → i R4 → i B1 → i C1皆為定值
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