太陽(yáng)能電池光電轉換原理及技術(shù)改進(jìn)詳解

在N區中：光生電子--空穴對產(chǎn)生以后，光生空穴便向P-N結邊界擴散，一旦到達P-N結邊界，便立即受到內建電場(chǎng)作用，被電場(chǎng)力牽引作漂移運動(dòng)，越過(guò)耗盡區進(jìn)入P區，光生電子（多子）則被留在N區。

在P區中：的光生電子（少子）同樣的先因為擴散、后因為漂移而進(jìn)入N區，光生空穴（多子）留在P區。如此便在P-N結兩側形成了正、負電荷的積累，使N區儲存了過(guò)剩的電子，P區有過(guò)剩的空穴。從而形成與內建電場(chǎng)方向相反的光生電場(chǎng)。

1.光生電場(chǎng)除了部分抵消勢壘電場(chǎng)的作用外，還使P區帶正電，N區帶負電，在N區和P區之間的薄層就產(chǎn)生電動(dòng)勢，這就是光生伏打效應。當電池接上一負載后，光電流就從P區經(jīng)負載流至N區，負載中即得到功率輸出。2.如果將P-N結兩端開(kāi)路，可以測得這個(gè)電動(dòng)勢，稱(chēng)之為開(kāi)路電壓Uoc。對晶體硅電池來(lái)說(shuō)，開(kāi)路電壓的典型值為0.5～0.6V。

3.如果將外電路短路，則外電路中就有與入射光能量成正比的光電流流過(guò)，這個(gè)電流稱(chēng)為短路電流Isc。
影響光電流的因素：

1.通過(guò)光照在界面層產(chǎn)生的電子-空穴對愈多，電流愈大。

2.界面層吸收的光能愈多，界面層即電池面積愈大，在太陽(yáng)電池中形成的電流也愈大。

3.太陽(yáng)能電池的N區、耗盡區和P區均能產(chǎn)生光生載流子；

4.各區中的光生載流子必須在復合之前越過(guò)耗盡區，才能對光電流有貢獻，所以求解實(shí)際的光生電流必須考慮到各區中的產(chǎn)生和復合、擴散和漂移等各種因素。

太陽(yáng)能電池等效電路、輸出功率和填充因數

⑴ 等效電路

為了描述電池的工作狀態(tài)，往往將電池及負載系統用一個(gè)等效電路來(lái)模擬。

1.恒流源: 在恒定光照下，一個(gè)處于工作狀態(tài)的太陽(yáng)電池，其光電流不隨工作狀態(tài)而變化，在等效電路中可把它看做是恒流源。

2.暗電流Ibk : 光電流一部分流經(jīng)負載RL，在負載兩端建立起端電壓U，反過(guò)來(lái)，它又正向偏置于PN結，引起一股與光電流方向相反的暗電流Ibk。3.這樣，一個(gè)理想的PN同質(zhì)結太陽(yáng)能電池的等效電路就被繪制成如圖所示。

4.串聯(lián)電阻RS:由于前面和背面的電極接觸，以及材料本身具有一定的電阻率，基區和頂層都不可避免地要引入附加電阻。流經(jīng)負載的電流經(jīng)過(guò)它們時(shí)，必然引起損耗。在等效電路中，可將它們的總效果用一個(gè)串聯(lián)電阻RS來(lái)表示。

5.并聯(lián)電阻RSh:由于電池邊沿的漏電和制作金屬化電極時(shí)在微裂紋、劃痕等處形成的金屬橋漏電等，使一部分本應通過(guò)負載的電流短路，這種作用的大小可用一個(gè)并聯(lián)電阻RSh來(lái)等效。

當流進(jìn)負載RL的電流為I，負載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

式中的P就是太陽(yáng)能電池被照射時(shí)在負載RL上得到的輸出功率。

⑵ 輸出功率

當流進(jìn)負載RL的電流為I，負載RL的端電壓為U時(shí)，可得：

式中的P就是太陽(yáng)能電池被照射時(shí)在負載RL上得到的輸出功率。