工程師分享：反激變壓器電感線(xiàn)圈詳細的設計步驟(二)

設計的要點(diǎn)：圖表讀取的補正

?縱軸為每單位體積的磁芯損耗，因此要在從此圖表中所得到的值中加上實(shí)際使用的磁芯的實(shí)效體積。

?從此圖表中所得到的磁芯損耗，要將在磁束變動(dòng)為正弦波狀的情況下做為前提。磁束密度是在三角波形中變動(dòng)的反激變壓器時(shí)，與從圖表中所得到的數據相比，損失會(huì )變大。

?從此圖表中所得到的磁芯損耗，要將磁束密度周期性正負兩方向變動(dòng)的情況作為前提。當磁束的方向為一方向，而且是增減的比率較少的反激變壓器時(shí)，與在此圖表中所得出的數據相比，損耗會(huì )變小。

設計的要點(diǎn)：磁芯損失的標準

?磁芯損失的標準是以定格輸出功力的2～3%為標準。但是，由于冷卻條件，即使超出此范圍也沒(méi)有問(wèn)題。另外，輸出功力較大的情況下，與此標準相比，需要更減低比率。

接下來(lái)，如圖1-9所示，使用根據磁芯廠(chǎng)家的數據表所提供的溫度上升-總損耗特性圖表等，算出容許最大損失。用此值來(lái)判定在以上算出的磁芯損失是否正確。圖1-9，比如說(shuō)在周?chē)鷾囟?0℃的條件下，希望在90℃以下使用磁芯的溫度時(shí)，容許最大損失為1.4W以下。

算出二次側卷線(xiàn)卷數?線(xiàn)徑(基本設計步驟-變壓器構造設計)

以在1.2.2項中算出的卷線(xiàn)比為基準，從在1.3.3.2項中算出的一次卷線(xiàn)卷數算出二次卷線(xiàn)卷數。

二次卷線(xiàn)線(xiàn)徑與在1.3.3.2項中算出的一次卷線(xiàn)線(xiàn)徑相同，用以下公式算出。對于其它注意點(diǎn)，參照1.3.3.2項。

算出 半導體元器件耐壓(基本設計步驟)

求出圖1-10中的開(kāi)關(guān)元器件Q1、整流元器件D1的耐壓。