一種基于隔離式半橋驅動(dòng)器的H電橋驅動(dòng)電路

電路功能與優(yōu)勢

本電路是一個(gè)由高功率開(kāi)關(guān)MOSFET組成的H電橋，MOSFET受低壓邏輯信號控制，如圖1所示。該電路為邏輯信號和高功率電橋提供了一個(gè)方便的接口。H電橋的高端和低端均使用低成本N溝道功率MOSFET。該電路還在控制側與電源側之間提供電流隔離。本電路可以用于電機控制、帶嵌入式控制接口的電源轉換、照明、音頻放大器和不間斷電源(UPS)等應用中。

現代微處理器和微控制器一般為低功耗型，采用低電源電壓工作。2.5 V CMOS邏輯輸出的源電流和吸電流在μA到mA范圍。為了驅動(dòng)一個(gè)12 V切換、4 A峰值電流的H電橋，必須精心選擇接口和電平轉換器件，特別是要求低抖動(dòng)時(shí)。

ADG787是一款低壓CMOS器件，內置兩個(gè)獨立可選的單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)。采用5 V直流電源時(shí)，有效的高電平輸入邏輯電壓可以低至2 V。因此，ADG787能夠提供驅動(dòng)半橋驅動(dòng)器ADuM7234所需的2.5 V控制信號到5 V邏輯電平的轉換。

ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅動(dòng)器，采用ADI公司iCoupler?技術(shù)，提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因而可以專(zhuān)門(mén)在H電橋中使用N溝道MOSFET。使用N溝道MOSFET有多種好處：N溝道MOSFET的導通電阻通常僅為P溝道MOSFET的1/3，最大電流更高；切換速度更快，功耗得以降低；上升時(shí)間與下降時(shí)間是對稱(chēng)的。

ADuM7234的4 A峰值驅動(dòng)電流確保功率MOSFET可以高速接通和斷開(kāi)，使得H電橋級的功耗最小。本電路中，H電橋的最大驅動(dòng)電流可以高達85 A，它受最大容許的MOSFET電流限制。

ADuC7061 是一款低功耗、基于A(yíng)RM7的精密模擬微控制器，集成脈寬調制(PWM)控制器，其輸出經(jīng)過(guò)適當的電平轉換和調理后，可以用來(lái)驅動(dòng)H電橋。

使用隔離式半橋驅動(dòng)器的H電橋驅動(dòng)電路 (CN0196)

圖1. 使用ADuM7234隔離式半橋驅動(dòng)器的H電橋(原理示意圖：未顯示去耦和所有連接)

電路描述

2.5 V PWM控制信號電平轉換為5 V

EVAL-ADuC7061MKZ提供2.5 V邏輯電平PWM信號，但ADuM7234在5 V電源下的最小邏輯高電平輸入閾值為3.5 V。由于存在這種不兼容性，因此使用ADG787開(kāi)關(guān)作為中間電平轉換器。ADG787的最小輸入邏輯高電平控制電壓為2 V，與ADuC7061的2.5 V邏輯兼容。ADG787的輸出在0 V與5 V之間切換，足以驅動(dòng)3.5 V閾值的ADuM7234輸入端。評估板提供兩個(gè)跳線(xiàn)，便于配置控制PWM信號的極性。

H電橋簡(jiǎn)介

圖1所示的H電橋具有4個(gè)開(kāi)關(guān)元件(Q1、Q2、Q3、Q4)。這些開(kāi)關(guān)成對導通，左上側(Q1)和右下側(Q4)為一對，左下側(Q3)和右上側(Q2)為一對。注意，電橋同一側的開(kāi)關(guān)絕不會(huì )同時(shí)導通。開(kāi)關(guān)可以利用MOSFET或IGBT(絕緣柵極雙極性晶體管)實(shí)現，使用脈寬調制(PWM)信號或控制器的其它控制信號接通和斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，從而改變負載電壓的極性。

低端MOSFET(Q3、Q4)的源極接地，因此其柵極驅動(dòng)信號也以地為參考。另一方面，高端MOSFET(Q1、Q2)的源極電壓會(huì )隨著(zhù)MOSFET對的接通和斷開(kāi)而切換，因此，最佳柵極驅動(dòng)信號應參考或“自舉”到該浮空電壓。

ADuM7234的柵極驅動(dòng)信號支持在各輸入與各輸出之間實(shí)現真正的電流隔離。相對于輸入，各路輸出的工作電壓最高可達±350 VPEAK，因而支持低端切換至負電壓。因此，ADuM7234可以在很寬的正或負切換電壓范圍內，可靠地控制各種MOSFET配置的開(kāi)關(guān)特性。為了確保安全和簡(jiǎn)化測試，選擇12 V直流電源作為本設計的電源。

自舉柵極驅動(dòng)電路

高端和低端的柵極驅動(dòng)器電源是不同的。低端柵極驅動(dòng)電壓以地為參考，因此它直接產(chǎn)生自以地為參考的直流電源。然而，高端是懸空的，因此需要使用自舉驅動(dòng)電路，其工作原理如下所述。

觀(guān)察圖1所示H橋電路的左側，自舉驅動(dòng)電路利用電容C1、電阻R1和R3、二極管D1實(shí)現。上電后，PWM不會(huì )立即發(fā)生，所有MOSFET都處于高阻態(tài)，直到所有直流電壓完成建立。在此期間，電容C1由直流電源通過(guò)路徑R1、D1、C1和R3充電。充電后的電容C1提供高端柵極驅動(dòng)電壓。C1充電的時(shí)間常數為τ = (R1 + R3) C1。

當MOSFET在PWM信號的控制下切換時(shí)，低端開(kāi)關(guān)Q3接通，高端開(kāi)關(guān)Q1斷開(kāi)。高端的GNDA下拉至地，電容C1充電。當Q1接通時(shí)，Q3斷開(kāi)，GNDA上拉至直流電源電壓。二極管D1反向偏置，C1電壓將ADuM7234的VDDA電壓驅動(dòng)到約24 V。因此，電容C1在A(yíng)DuM7234的VDDA和GNDA引腳之間保持約12 V的電壓。這樣，高端MOSFET Q1的柵極驅動(dòng)電壓始終參考Q1的懸空源極電壓。高端MOSFET源極上的電壓尖峰

當Q1和Q4接通時(shí)，負載電流從Q1經(jīng)過(guò)負載流到Q4和地。當Q1和Q4斷開(kāi)時(shí)，電流仍然沿同一方向流動(dòng)，經(jīng)過(guò)續流二極管D6和 D7，在Q1的源極上產(chǎn)生負電壓尖峰。這可能會(huì )損害某些采用其它拓撲結