PSR原邊反饋電源設計的“獨特”方法

因IC內部一般內置VDS耐壓600~650V的MOS，考慮到漏感尖峰，需留50~100V的應力電壓余量，所以反射電壓需控制在100V以?xún)龋?/p>

得：(Vout+VF)*n100,即：n100/(5+1),n16.6,

取n=16.5,得初級匝數NP=15*16.5=247.5

取NP=248，代入上式驗證，(Vout+VF)*(NP/NS)100,

即(5+1)*(248/15)=99.2100,成立。

確定NP=248Ts。

拆下變壓器測量電感量，此時(shí)所測得的電感量作為最大值依據，再根據廠(chǎng)商制造能力適當留+3%~+5%的誤差范圍和余量，如：測量為2mH，則取2-2*0.05=1.9mH，誤差為+/-0.1mH。

現在再來(lái)驗證以上參數變壓器BOBBIN的繞線(xiàn)空間。

已知：E1和E2銅線(xiàn)直徑為0.1mm,實(shí)際外徑為0.12mm;

NP銅線(xiàn)直徑為0.12mm,實(shí)際外徑為0.14mm;

NS銅線(xiàn)直徑為0.4mm,實(shí)際外徑為0.6mm;

TAPE采用0.025mm厚的麥拉膠紙。

A.

NV若采用銅線(xiàn)直徑為0.2mm,實(shí)際外徑為0.22mm

線(xiàn)包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.22+0.025*2=1.77mm.

B.

NV若采用銅線(xiàn)直徑為0.1mm雙線(xiàn)并饒,實(shí)際外徑為0.12mm

線(xiàn)包單邊厚度為：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.12+0.025*2=1.67mm.

測量或查EFD15的BOBBIN的單邊槽深為2.0mm，所以以上2種方式繞制的變壓器都可行。

2.EPC13的變壓器設計

依然沿用以上設計方法，測量或查BOBBIN資料可得EPC13BOBBIN幅寬為6.8mm，

次級匝數為：6.8/0.6=11.3Ts,取11Ts.

初級匝數為：11*16.5=181.5Ts,取182Ts.

反饋匝數為：15/(5+1)*11=27.5Ts,取28Ts.

EPC13的繞線(xiàn)方式同EFD15，在這里就不再重復了。

以上變壓器設計出的各項差數是以控制漏感為出發(fā)點(diǎn)的，各項參數(肖特基的VF,MOS管的電壓應力余量……)都是零界或限值，實(shí)際設計中會(huì )因次級繞線(xiàn)同名端對應輸出PIN位出現交叉，或輸出飛線(xiàn)套鐵氟龍套管，或供應商的制程能力，都會(huì )使次級線(xiàn)圈減少1~2圈，對應的初級和反饋也需根據匝比減少圈數；另，目前市場(chǎng)的競爭導致制造商把IC內置MOS管的VDS耐壓減小一點(diǎn)來(lái)節省成本，為保留更大的電壓應力余量，需再減少初級匝數;以上的修改都會(huì )對EMC輻射造成負面影響，對應的取舍還需權衡，但前提是必須使產(chǎn)品工作在DCM模式。

從08年市場(chǎng)上推出PSR原邊反饋方案到現在我一直都有在用此方案設計產(chǎn)品，回顧看看，市場(chǎng)上也出現了很多不同品牌的PSR方案，但相對以前剛推出的PSR控制IC來(lái)說(shuō)，有因市場(chǎng)反映不良而不斷改進(jìn)的部分，但也有因為惡性競爭而COSTDOWN的部分。主要講講COSTDOWN的部分。

因受一些品牌在IC封裝工藝上的專(zhuān)利限制，所以目前大部分的內置MOS的IC(不僅是PSR控制IC，也包括PWM控制IC)采用的是在基板上置入控制晶圓和MOS晶圓，之間用金線(xiàn)作跳線(xiàn)連接，這樣就有2個(gè)問(wèn)題產(chǎn)品了：

1.金線(xiàn)帶來(lái)的EMC輻射。