兼顧高耐壓與低Vce性能的650V溝槽IGBT受熱捧

圖3 逆變器採用不同IGBT在10安培、20安培電流情況的效率表現

基于前述比較結果，可進(jìn)一步估算系統中的功率損耗。假定目標系統為3kW額定混頻全橋式逆變器，內建兩個(gè)低端IGBT以線(xiàn)頻進(jìn)行切換，兩個(gè)高端IGBT以17kHz進(jìn)行切換，圖4即為其功率損耗估算摘要。為驗證功率損耗估算，可分別採用50安培/650伏特IGBT，以及功率損耗與其類(lèi)似的3號IGBT做評比。

圖4 新型IGBT與其他競爭方案的功率損耗預估

如圖5所示，3kW系統在滿(mǎn)載時(shí)，3號IGBT與50安培/650伏特IGBT的功耗相當接近，此狀況完全符合估算，此外，效率斷層會(huì )隨著(zhù)負載減少而逐漸變大，此狀況亦符合圖3的效率變化，在低電流位準時(shí)，50安培/650伏特IGBT的表現最優(yōu)異。

圖5 混頻全橋式逆變器應用不同IGBT的效率比較

新型650伏特場(chǎng)截止溝槽式IGBT已于近期問(wèn)世，且效能亦已通過(guò)系統廠(chǎng)評估，相較于舊型IGBT，新方案提供更好的DC及交流電(AC)特性，且抗短路時(shí)間及漏電流問(wèn)題均有改善，可支援效率更高且更可靠的轉換器系統。