技術(shù)圍觀(guān) 針對開(kāi)關(guān)電源的沖擊電流控制方法講解

電路描述：

圖9所示為基于MOS管的自啟動(dòng)有源沖擊電流限制法電路。MOS管 Q1放在DC/DC電源模塊的負電壓輸入端，在上電瞬間，DC/DC電源模塊的第1腳電平和第4腳一樣，然后控制電路按一定的速率將它降到負電壓，電壓下降的速度由時(shí)間常數C2*R2決定，這個(gè)斜率決定了最大沖擊電流。

圖9. 有源沖擊電流限制法電路

D1用來(lái)限制MOS管 Q1的柵源電壓。元器件R1，C1和D2用來(lái)保證MOS管Q1在剛上電時(shí)保持關(guān)斷狀態(tài)。

上電后，MOS管的柵極電壓要慢慢上升，當柵源電壓Vgs高到一定程度后，二極管D2導通，這樣所有的電荷都給電容C1以時(shí)間常數R1×C1充電，柵源電壓Vgs以相同的速度上升，直到MOS管Q1導通產(chǎn)生沖擊電流。

其中Vth為MOS管Q1的最小門(mén)檻電壓，VD2為二極管D2的正向導通壓降，Vplt為產(chǎn)生Iinrush沖擊電流時(shí)的柵源電壓。Vplt可以在MOS管供應商所提供的產(chǎn)品資料里找到。

MOS管選擇

以下參數對于有源沖擊電流限制電路的MOS管選擇非常重要：

漏極擊穿電壓 Vds

必須選擇Vds比最大輸入電壓Vmax和最大輸入瞬態(tài)電壓還要高的MOS管，對于通訊系統中用的MOS管，一般選擇Vds≥100V。

柵源電壓Vgs

穩壓管D1是用來(lái)保護MOS管Q1的柵極以防止其過(guò)壓擊穿，顯然MOS管Q1的柵源電壓Vgs必須高于穩壓管D1的最大反向擊穿電壓。一般MOS管的柵源電壓Vgs為20V，推薦12V的穩壓二極管。

其中Pout為DC/DC電源的最大輸出功率，Vmin為最小輸入電壓，η為DC/DC電源在輸入電壓為Vmin輸出功率為Pout時(shí)的效率。η可以在DC/DC電源供應商所提供的數據手冊里查到。MOS管的Rds_on必須很小，它所引起的壓降和輸入電壓相比才可以忽略。

圖10. 有源沖擊電流限制電路在75V輸入