改進(jìn)光耦電路 減少電流消耗 延緩LED老化
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改進(jìn)光耦電路，可以提升零電壓測量的精度。
有不同潛路工作的電路中，用光耦建立電流隔離看上去似乎很簡(jiǎn)單。光耦從隔離電路中獲取能量，由于led老化，開(kāi)關(guān)相對慢且不穩定。若不用光耦，可使用如Analog Devices公司的ADUM12xx或Texas Instruments 公司的ISO72x替代。本設計方案闡述了一個(gè)簡(jiǎn)單改進(jìn)光耦電路的方法。
圖1顯示了兩個(gè)通用的0V同步交流設計。通過(guò)光耦負載電阻的減少，開(kāi)關(guān)變得更慢更不確定，但減少了光耦的LED電流，嘗試減少隔離電路中的能量消耗。為實(shí)現更快更迅速的開(kāi)關(guān)，將不得不犧牲能量效率；然而，由于能量效率和交流電壓大小的反向關(guān)系，這個(gè)犧牲的好處是有限的。
光耦的LED在近似全交流循環(huán)過(guò)程中超乎尋常的幾乎連續發(fā)光，導致功耗效率低，且使光耦老化得相對較快：一個(gè)顯著(zhù)的缺點(diǎn)是過(guò)原點(diǎn)誤差過(guò)大且幾乎不可控；電路的靈敏度范圍依靠光耦的參數。圖1的設計不是一個(gè)理想方案。就效率而言，依靠光耦的電流轉換率和交流幅值，它們能輸出5到100 mA。
圖2的設計克服了能耗過(guò)大、不確定開(kāi)關(guān)和LED老化的問(wèn)題。它非常適用于寬交流范圍的應用。與圖1的電路相比，圖2的LED只在過(guò)原點(diǎn)附近發(fā)光，且由前置充電電容接收能量，所以通過(guò)10到100的因數減少平均電流消耗。設計也提供更快、更確定和更敏銳的開(kāi)關(guān)。更甚者，希望延緩LED老化。圖1中電阻R1和R2消耗的熱功率不小于1.5W，所以在同一電路板區域用0.1W設備替換外部器件（圖2）。
電路的主要部分由幅值檢波器D1、電容C1和Schmitt觸發(fā)器Q1/Q2組成，控制流過(guò)光耦的LED電流。D2和D3穩定Q2的基電壓，從而其集電極電流驅動(dòng)光耦。電容C1通過(guò)R1、R2和D1充電。
幾乎所有交流周期中，除了過(guò)原點(diǎn)附近，Q1為開(kāi)，Q2為關(guān)。然后，接近過(guò)原點(diǎn)時(shí)，
一些應用不需要Schmitt觸發(fā)器固有的磁滯性；圖3顯示了這樣的一個(gè)設計。它也顯示了怎樣處理不需要的D1最小反轉電流。然而，電路更適用于純同步和非晶閘管控制。由于LED電流的穩定性，這些設計使輸入交流電壓的范圍擴大，其有利于多標準交流供電設計；有機會(huì )在LED沒(méi)有過(guò)載危險的情況下設置LED電流；減少光耦不穩定的影響。這樣設計的另一個(gè)優(yōu)勢為其固有更安全的特性。在其終端短路的情況下，光耦在隔離與非隔離側之間傳遞的電流比圖1電路中少10到100倍。光耦也有優(yōu)勢。由于低占空比，可以不損失功率而任意減少光耦負載電阻R8的值。這個(gè)減少將使過(guò)原點(diǎn)誤差降低。
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