安森美半導體用于白家電各功能模塊的高能效方案

　　圖3為基于安森美半導體NCP1129設計的25 W高壓市電供電電源，它提供12 V恒壓輸出，采用峰值電流模式控制，帶可調節斜坡補償，確保在連續導電模式(CCM)的穩定性;優(yōu)化短路保護及實(shí)際過(guò)載檢測;輕載條件下頻率反走至26kHz。

　　同時(shí)安森美半導體還為客戶(hù)提供高集成度功率因數控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二極管及晶體管等完整系列的電源半導體產(chǎn)品。

　　電機驅動(dòng)功能

　　安森美半導體為白家電變頻驅動(dòng)提供分立及模塊式設計：

　　分立設計器件：安森美半導體用于MOSFET/IGBT門(mén)極驅動(dòng)器NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高達600V的輸入電壓，具有每納秒50V的dv/dt抗擾度，并兼容于3.3V和5V輸入邏輯，這些器件使用啟動(dòng)電路(bootstrap)技術(shù)來(lái)確保驅動(dòng)高邊功率開(kāi)關(guān)，并提供強固的設計。

　　安森美半導體用于功率因數控制器的IGBT產(chǎn)品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60，帶續流二極管;用于電機驅動(dòng)被動(dòng)功率因數校正的IGBT產(chǎn)品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F，不帶續流二極管。

　　安森美半導體用于電機控制的MOSFET產(chǎn)品具有低導通阻抗、低電容、低門(mén)極電荷等特性，能將器件導通損耗、開(kāi)關(guān)損耗以及驅動(dòng)器損耗降至最低，提供高抗雪崩能力及大電流通過(guò)能力。

　　模塊式設計：安森美半導體采用IMST(絕緣金屬基板技術(shù))技術(shù)使分立無(wú)源器件(電阻、電容)、分立有源器件(二極管、晶體管)及集成電路(門(mén)驅動(dòng)器、DSP、邏輯)等封裝到同一智能功率模塊(IPM)中。

　　智能功率模塊(IPM)內含門(mén)極驅動(dòng)、欠壓保護(UVLO)、過(guò)溫檢測及電流檢測等功能，通過(guò)內部?jì)?yōu)化布線(xiàn)來(lái)改善EMI及散熱性能，可集成PFC。

　　安森美半導體用于白家電電機運動(dòng)控制的步進(jìn)電機驅動(dòng)器提供高精度微步進(jìn)，提供平順、安靜的運行。AMIS-30622集成無(wú)傳感器停轉檢測，能動(dòng)態(tài)控制速度、轉矩及位置，維持連續運行;LB1948MC及LV8548MC能提供雙極及BiDCMOS選擇，支持單通道步進(jìn)電機/雙通道直流電機，勵磁模式支持滿(mǎn)步、半步，具有低飽和電壓、低導通阻抗等特性;LV8712T采用單通道PWM恒流控制，勵磁模式包括滿(mǎn)步、半步、1/4步、1/8步，集成過(guò)熱關(guān)閉、低壓檢測以及有源反激等保護。

　　安森美半導體提供應用于無(wú)刷直流電機(BLDC)驅動(dòng)的單相及三相電機驅動(dòng)器，LB11685AV采用無(wú)傳感器設計，脈沖幅度調制(PAM)控制，軟啟動(dòng)有利于提升啟動(dòng)時(shí)的穩定性，軟開(kāi)關(guān)則有助于提供靜音驅動(dòng)，內置限流器、過(guò)熱關(guān)閉及抖動(dòng)鎖定(beat lock)保護;LV8136V是一款三相BLDC電機用PWM系統預驅動(dòng)IC，提供高能效、150°PWM靜音驅動(dòng)。