基于MC9S08QG8單片機的EEPROM虛擬技術(shù)

使用C語(yǔ)言而不是匯編語(yǔ)言編寫(xiě)這個(gè)函數是因為C語(yǔ)言表達更清晰，另外目前的C編譯器能夠產(chǎn)生高效的匯編代碼。函數的入口參數cmd為Flash操作命令，具體命令內容及其命令字節如表1所列；ProgAddr為待操作的Flash的地址，若是擦除操作則為Flash頁(yè)內或者整個(gè)Flash內的任意地址；buff-erAddr為緩沖區首地址；buff-ersize為待寫(xiě)入的數據長(cháng)度。

2．2 存儲信息區的設計
存儲信息區由5個(gè)字節構成。其中第一個(gè)字節為長(cháng)度信息，記錄的是空白Flash第一次被寫(xiě)入的數據大小。另外四個(gè)字節為寫(xiě)入控制信息，用來(lái)記錄Flash的寫(xiě)入情況。每次寫(xiě)入成功后，將該信息區按從低到高的順序將對應的位由1變?yōu)?。這里需要提到的一點(diǎn)是：Flash被擦除后，每個(gè)字節的數據都變?yōu)?xFF，對Flash編程，其實(shí)是將Flash中每一位由“1”狀態(tài)變?yōu)椤癘”狀態(tài)，或者保持“1”狀態(tài)。正是利用這一點(diǎn)，控制信息可以記錄當前Flash數據的寫(xiě)入情況。例如，若長(cháng)度信息為16，則會(huì )用到控制信息的31位；若長(cháng)度信息為63，則僅用到低8位，寫(xiě)入8次后，若要進(jìn)行下一次寫(xiě)入操作，由于該頁(yè)剩余的長(cháng)度僅有3字節(512—5—63×8)，小于63，所以需要擦除后才能進(jìn)行。為了減少擦除次數，這里規定每次寫(xiě)入的數組長(cháng)度不能超過(guò)63，同時(shí)由于控制信息位數的限制，數字長(cháng)度至少為16字節。