用0.18um CMOS設計2.5Gb/s收發(fā)器的復用器電路

　　1 引言

　　近年來(lái)，隨著(zhù)傳統電信業(yè)務(wù)和互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展，它們對網(wǎng)絡(luò )帶寬提出了越來(lái)越高的要求，由此導致了高速串行接口的出現。目前國內關(guān)于2.5 Gb/s超高速串行收發(fā)器CMOS芯片及IP核研究開(kāi)發(fā)尚處于起步階段。設計開(kāi)發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的高性能串行收發(fā)器芯片及IP核，打破國外對高端路由器、交換器芯片的壟斷，不僅能夠直接大幅度降低通信、網(wǎng)絡(luò )設備成本，產(chǎn)生顯著(zhù)的經(jīng)濟效益，還能帶來(lái)巨大的社會(huì )效益。本文所設計的復用器，應用在2.5Gb/s收發(fā)器系統中，該收發(fā)器的系統框圖如圖1所示。

圖1 Transceiver結構示意圖

　　眾所周知在高速的數據傳輸系統中，收發(fā)器對于實(shí)現整個(gè)系統的功能起著(zhù)至關(guān)重要的作用。而在收發(fā)器系統中，復用器是工作在最高速度的電路單元之一，因此復用器電路設計的好壞直接影響整個(gè)系統的性能。本文所設計的復用器，采用SMIC 0.18μm CMOS工藝實(shí)現。

　　2 電路結構及其設計

　　2.1 16:1復用器結構設計

　　本文設計的16:1復用器是將發(fā)送數據選擇模塊輸出的16位156.25Mb/s并行數據轉換為2.5Gb/s串行數據輸出，其實(shí)現框圖如圖2所示，該電路主要由1個(gè)16:4復用器電路和1個(gè)采用樹(shù)形結構（包括3個(gè)2:1復用器）實(shí)現的4:1的復用器電路構成。其中16:4復用器用數字電路實(shí)現，4:1復用器電路用模擬電路實(shí)現。該電路接收從PLL送出的2.5GHz、1.25GHz和625MHz差分時(shí)鐘，為16:4復用器和2:1復用器電路提供所需要的時(shí)鐘。16位并行輸入數據經(jīng)過(guò)16:4復用器后輸出4位并行數據送入4:1復用器,經(jīng)4:1復用器后，數據變換成1比特寬度的串行數據流，發(fā)送順序最低位在前，即TXD_P[0]最先出現在TXD_S上,TXD_P[15]最后發(fā)出。由于本電路是數?；旌闲盘栐O計，仿真時(shí)需要給數字電路和模擬電路分別加激勵，對于4:1復用器電路，輸入采用互補的方波電壓源，峰峰值為0.4V。對于16:4復用器電路，通過(guò)用Verilog語(yǔ)言描述的方式加激勵。由于兩個(gè)模塊分別用數字電路和模擬電路實(shí)現，因此在兩個(gè)模塊的連接處要進(jìn)行電平的轉換。Virtuoso AMS Simulator中將接口模型劃分為A2D型和D2A型兩類(lèi)。本設計是由數字電路送信號給模擬電路，因此要用到D2A接口模型，該模型主要有4個(gè)參數:d2a_tf,d2a_tr,d2a_vh和d2a_vl。其中d2a_tf和d2a_tr分別表示接口模型的輸出從當前值上升到d2a_vh所需要的時(shí)間和下降到d2a_vl所需要的時(shí)間；d2a_vh和d2a_vl分別表示對應數字電路中的邏輯“1”和“0”而轉換成的最終電壓值。本設計的設置如下: d2a_tf=20ps, d2a_tr=20ps，d2a_vh=1.8V，d2a_vl=1.4V。

圖2 16:1復用器實(shí)現框圖

　　2.2 單元電路設計

　　2.2.1 16:4復用器電路

　　16:4復用器電路由4個(gè)4:1復用器模塊和一個(gè)賦值語(yǔ)句模塊構成，本電路均采用Verilog語(yǔ)言來(lái)描述。4個(gè)4:1復用器的作用是將16路156.25M數據TXD_P[15:0]復用為4路625M數據，這里我們用移位寄存器實(shí)現4:1復用器。首先將16位并行數據，分為四個(gè)4位并行數據，然后將4位并行數據送入4:1復用器，數據經(jīng)過(guò)4位移位寄存器后的輸出如圖3所示。由于后級的模擬電路需要差分輸入，因此本模塊輸出均為互補輸出。

圖3 16:4復用器實(shí)現時(shí)序圖

　　4:1復用器電路的Verilog實(shí)現的關(guān)鍵代碼如下：

　　2.2.2 4:1復用器電路

　　4:1復用器采用樹(shù)形結構實(shí)現，其實(shí)現如圖2所示，它主要由三個(gè)2:1的高速復用器和一個(gè)主從D觸發(fā)器（MSDEF）構成。2:1復用器由一個(gè)主從D觸發(fā)器（由兩個(gè)鎖存器級連構成），一個(gè)主從主D觸發(fā)器（由三個(gè)鎖存器級連構成）和一個(gè)2:1數據選擇器構成。

　　本文所設計的鎖存器和2:1數據選擇器均采用CML(電流模式邏輯)邏輯實(shí)現，其基本結構如圖4(a)所示，按其功能可分為下拉邏輯網(wǎng)絡(luò )、尾電流源和上拉電阻三個(gè)部分。它可以在電壓擺幅較小的情況下正常工作。由于尾電流源的存在，CML電路的功耗近似為恒定值P=vdd*I，其中vdd是電源電壓，I為直流尾電流。眾所周知，傳統CMOS電路的功耗為P=CL`*f*vdd2，其中f是電路的開(kāi)關(guān)頻率，CL`是輸出節點(diǎn)的負載電容。因此，在高速率的條件下，CML電路的功耗比與其相似的CMOS電路的功耗要小得多。此外，降低CML電路的電壓擺幅，還可以減小整個(gè)電路的延時(shí)，從而提高電路的工作速度。

圖4 鎖存器及2:1數據選擇器電路圖

　　3仿真結果

　　該電路采用SMIC 0.18μm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。輸入信號為16位156.25Mb/s并行數據，如圖5(a)所示。仿真的corner包括：ff（fast model）、tt(typical model)、ss(slow model)。不同corner下的仿真輸出波形如圖5(b)-(d)所示。從仿真的結果可以看出，輸入數據為156.25Mb/s時(shí)，能較好的實(shí)現復用功能，輸出數據速率為2.5Gb/s，整個(gè)電路的功耗約為6mW。

　　圖5 不同corner下的仿真波形

　　4結論

　　隨著(zhù)CMOS工藝的發(fā)展，采用CMOS工藝已經(jīng)可以設計出高性能、低功耗、成本低的高速電路。本次設計采用0.18μm CMOS工藝，采用CML電路設計技術(shù)和數?；旌显O計技術(shù)，設計出了2.5Gb/s 16:1復用器電路。該電路能夠在電源電壓為1.8V，工作溫度范圍為0－70。C時(shí)，工作速率可達到2.5Gb/s，功耗約為6mW。

　　本文作者創(chuàng )新觀(guān)點(diǎn)：本文將16:1復用器電路進(jìn)行了模塊化分解，采用數?；旌系脑O計技術(shù)分別用Verilog語(yǔ)言描述的方式和CML電路邏輯設計了16:4復用器電路和4:1復用器電路，并采用混合信號仿真的驗證方式對所設計的16:1復用器進(jìn)行了驗證。用該種方法大大縮短設計和驗證所需要的時(shí)間。