低電壓音頻功率放大器TPA711的特性及其應用
一、簡(jiǎn)介:
TPA711集成電路是TI專(zhuān)為內置揚聲器,外接耳機,為低電壓場(chǎng)合應用而開(kāi)發(fā)的橋式(BTL)或單端(SE)音頻功率放大器。在3.3V工作電壓下,它可在音頻范圍內,BTL (8Ω負載)工作模式下,輸出總諧波失真與噪聲值小于0.6%,250mW的連續功率。盡管TPA711具有20kHz以上的工作特性,但其在更窄頻段的應用場(chǎng)合,如無(wú)線(xiàn)通信場(chǎng)合,效果最佳。BTL電路在大多數應用場(chǎng)合,輸出端可以省掉耦合電容器,這點(diǎn)對小型電池的供電設備特別重要。當需要驅動(dòng)耳機時(shí),TPA711不尋常的特點(diǎn)是可使放大器快速實(shí)現從BTL到SE模式切換。這樣,省掉了使用機械開(kāi)關(guān)或附屬連接裝置。對功率敏感的應用場(chǎng)合,TPA711可以在關(guān)斷模式下工作,借助于專(zhuān)用消噪聲電路消除揚聲器的噪聲。TPA711有8腳SOIC和MSOP兩種表面安裝的封裝形式,它們可以減少50%的電路板面積和40%的高度。圖1、圖2分別表示其外形圖和內部工作框圖。表1表示其引腳功能。
二、工作特性和外形圖
1. 工作電壓范圍3.3V~5V;
2. 額定工作電壓范圍2.5V~5.5V;
3. 輸出功率;
① 700mV,當VDD=5V,BTL,RL=8Ω
② 85mV,當VDD=5V,BE,RL=32Ω
③ 250mV,當VDD=3.3V,BTL,RL=8Ω
④ 37mV,當VDD=3.3V,SE,RL=32Ω
4. 關(guān)斷控制
① IDD=7μA,當3.3V;
② IDD=50μA,當5V;
5.BTL/SE轉換控制;
6.熱保護和短路保護;
7.集成消噪聲電器;
8.表面安裝封裝;
① SOIC
② PowerPADTMMSOp
外形如圖1所示。
圖1 D或DGN封裝頂視圖
D-小外形塑封(SOIC)
DGN-有導熱焊盤(pán)的小外形塑封(MSOP)
三、工作框圖及引腳功能:
圖2示出的是工作框圖,表1列出了引腳功能。
圖2 工 作 框 圖
表1 引 腳 功 能
引 腳 | 輸入/輸出 | 功 能 | |
名 稱(chēng) | 引腳號 | ||
旁 路 | 2 | 輸入 | 當用作音頻放大時(shí),這個(gè)端子應加一個(gè)0.1μF-2.2μf的電容 |
地 | 7 | 輸入 | 接地 |
音頻輸入 | 4 | 輸入 | 音頻信號輸入 |
SE/BTL轉換 | 3 | 輸入 | 當SE/BTL為低時(shí),TPA711工作于BTL模式,反之,SE模式 |
關(guān) 斷 | 1 | 輸入 | 這個(gè)端子為高時(shí),(IDD=7μA)器件關(guān)斷 |
電 源 | 6 | 輸入 | 電源電壓端 |
V0+ | 5 | 輸出 | SE/BTL的輸出正端 |
V0- | 8 | 輸出 | SE/BTL的輸出負端 |
四、參數測試電路:
圖3、4分別表示BTL、SE模式測試電路圖,用以測量電路的參數。
圖3 BTL模式測試電路
圖4 SE模式測試電路
五、典型應用
1. 橋式輸出與單端輸出(BTL/SE)模式:
圖5給出了工作于BTL模式下的音頻功放電路圖。TPA711內有兩個(gè)線(xiàn)性功放來(lái)驅動(dòng)負載。它們工作于差動(dòng)方式。這樣相對于參考地電位,它的輸出功率較大。
圖5 橋式電路圖
輸出功率可由下式計算:
(1)
在便攜式音頻設備中,電路供電電壓為3.3V。在8Ω負載單端輸出62.5mW的情況下,橋式可輸出4×62.5=250mW。即有6dB的功增加。在增加功率輸出的同時(shí),對頻率響應也應加以注意。
在圖6 所示的SE(單端)輸出情況下,接至負載的隔直耦合電容Cc是必不可少的,該電容器的容量比較大(3.3μF~1000μF),重量也較大,占印刷電路板的面積大,價(jià)格較貴。這個(gè)電容對系統的低頻響應影響很大。這是由于這個(gè)電容和負載間形成的高通濾波而造成的。角頻率可由下式計算:
(2)
圖6 單端電路和頻率響應圖
例如,在8Ω負載,輸出耦合電容為68μF時(shí),將對293Hz以下的頻率加以衰減。而在BTL模式下,抵消了直流失調電壓,省掉了輸出輸出耦合電容,低頻特性只取決于輸出回路和揚聲器特性。同時(shí)電路體積和造價(jià)也相應降低。
2. BTL放大器效率:
線(xiàn)性放大器的效率低,這主要是因于輸出功率管上的管壓降。首先是功率輸出管上的直流壓降和輸出功率成反比,其次是由于正弦波本身的原因。管壓降可由VDD減去輸出電壓的RMS(均方根值)值得到,管壓降乘以電源電流的RMS,即可算出管耗。
雖然流過(guò)BTL,SE功率負載的電壓,電流都是正弦波,但是電源電流的波形是很不相同的。在SE模式下的電流波形是半波,而在BTL模式下是全波,這就意味著(zhù)它們的波形因數(因子)不同,參見(jiàn)圖7。利用下面的公式可以計算放大器的效率:
(3)
式中:
圖7 BTL放大器的電壓、電流波形
(4)
表2給出了輸出功率不同條件下計算得到的效率。當輸出功率低時(shí),電路效率也低,隨著(zhù)輸出功率的增加,電路的功率也增加。在正常工作范圍內,內部功耗幾乎為恒定值。從方程(4)可以看出,電源電壓VDD下降,電路效率增加。
表2 3.3V 8Ω BTL模制中效率與輸出功率的關(guān)系
輸出功率(W) | 效率(%) | 峰值到峰值的電壓 | 內部功耗 |
0.125 | 33.6 | 1.41 | 0.26 |
0.25 | 47.6 | 2.00 | 0.29 |
0.375 | 58.3 | 2.45 | 0.28 |
*高的峰值電壓值引起總諧波失真增大。
3.典型應用電路
圖8是一個(gè)典型便攜式音頻放大電路,電路電壓增益為-10。
圖8 TPA711應用電路
下面討論圖8中電路元器件的選用。
4.元件選用:
增益設定電阻RF,R1。
在BTL工作模式下,TPA711的增益由RF,R1由公式5決定:(5)
公式(5)中系數-2是由于BTL電路在輸出端橋式電路輸出對稱(chēng)波形幅度較SE大一倍的原因。假定TPA711是一個(gè)MOS放大器。輸入阻抗很高,那么輸入電流就很小,電路噪聲隨RF的增加而增加。同時(shí),RF的取值應有一個(gè)范圍,以確保電路正常工作。假定放大器的反相輸出端等效阻抗為5~20kΩ,則電路等效阻抗可由等式(6)決定。(6)
舉例,假定R1=10 kΩ,RF=50 kΩ,則在BTL模式下電路電壓效益為-10,反相端輸入等效阻抗為8.3 kΩ,這個(gè)取值在推薦范圍內。
對于高性能應用場(chǎng)合,R1,RF選用金屬膜電阻,這樣可降低電路噪聲。當RF大于50 kΩ時(shí),由于RF和MOS輸入回路容抗的作用,會(huì )使電路工作不穩定。這時(shí)可在RF兩端并一個(gè)5pF的電容。這樣RF,CF可形成一個(gè)低通濾波回路,回路的截止效率可由等式(7)決定。(7)
例如,當RF=100 kΩ,CF=5pF時(shí),fco=318kHz,這足以超過(guò)音頻范圍。
5.輸入電容C1:
在實(shí)際應用中,C1可使TPA711的偏置電壓穩定,這對確保電路穩定工作很重要。在本例中,C1,R1形成一個(gè)高通濾波回路,其角頻率由方程(8)決定。 (8)
電容C1的取值對穩定電路偏置電壓影響較大。當R1=10 kΩ時(shí),為得到低至40Hz的平坦響應特性,可由等式(9)決定C1取值。(9)
在本例中,C1為0.40μF,實(shí)際應用中C1取值范圍為0.40μF~1μF。C1取值還要考慮的影響是通過(guò)R1,RF的漏電流,這個(gè)漏電流會(huì )在電路輸出端產(chǎn)生一個(gè)失調電壓,從而影響輸出功率,這點(diǎn)在高增益場(chǎng)合下的影響更明顯,所以實(shí)用中C1應選用鉭電容或瓷片電容。當使用有極性電容時(shí),正極應接在電路的輸入端,這是因為輸入端的直流電位為VDD/2的原因,它比信號源的直流電壓要高,電容的極性要正確,這點(diǎn)在使用中很重要。
6.電源去耦電容CS:
TPA711是一個(gè)高性能的CMOS音頻放大器,為了使電路的總諧波失真盡可能低,則要求電源的去耦要好。電源的去耦還可以消除由于電路的揚聲器引線(xiàn)過(guò)長(cháng)而引入的振蕩。比較好的去耦是采用不同類(lèi)型的兩個(gè)電容并聯(lián),小容量,低等效串聯(lián)電阻(ESR)的小容量電容用來(lái)吸收高頻噪聲干擾,如電火花,在引線(xiàn)上數字雜亂干擾躁聲等。而對濾除低頻噪聲信號,應選用鋁電解電容器,容量應大于10μF。
7.中路旁通電容CB:
電容CB有幾個(gè)作用:
1) 在電路啟動(dòng)或由關(guān)斷模式的再啟動(dòng)情況下,CB決定電路的啟動(dòng)速率;
2) 可降低因輸出驅動(dòng)信號耦合引起電源產(chǎn)生的噪聲信號;
3) 可減少電路啟動(dòng)的撲撲聲。為使電路啟動(dòng)撲撲聲盡量小,CB可由方程(10)決定:(10)
作為一個(gè)例子,取CB=2.2μF,C1=0.47μF,CF=50 kΩ,R1=10 kΩ,將這些值人入方程(10)得出:
可見(jiàn)滿(mǎn)足方程(10)。為使電路總諧波失真小,CB應該用等效串聯(lián)電阻ESR小的瓷片電容或鉭電容。
8.單端工作狀態(tài)
在單端(SE)工作狀態(tài)下(見(jiàn)圖9),負載由VO+驅載。在單端模式下,增益由等式(11)的RF,R1決定。 (11)
在SE模式下,輸出耦合電容的選擇也很重要,CC對電路其它元件的取值也有影響。它應滿(mǎn)足以下公式(12)。 (12)
9.輸出耦合電容CC:
在典型的單電源單端(SE)情況下,CC用來(lái)在電路輸出端與負載間隔直,電路的高通頻率由等式(13)決定。 (13)
電容CC的缺點(diǎn)是影響電路頻響的下限值,從而影響電路的低頻響應。為使下限頻率足夠低,CC取值應足夠大。一般對4Ω,8Ω,32Ω,47Ω的負載,CC應選用330μF以上。表3給出了不同的取值情況下,電路的頻響特性。
表3 單端輸入時(shí)負載阻抗與電路低頻特性間的關(guān)系
RL | CC | 最低頻率響應 |
8 | 330μF | 60Hz |
32 | 330μF | 15Hz |
47000Ω | 330μF | 0.01Hz |
如表3所示,8Ω負載比較合適,耳機頻響特性也很好。
10.SE/BTL工作模式:
PA711可以很方便地在SE和BTL工作模式下實(shí)現轉換,這是它最重要的特性,這對電路負載既有揚聲器又有耳機的場(chǎng)合下特別有用。當控制端SE/BTL為L(cháng)時(shí),電路工作于BTL模式,當SE/BTL為H時(shí),電路工作于SE模式。SE/BTL的控制輸入可以是一個(gè)TTL邏輯電源,更常用的是采用圖9所示的電阻分壓網(wǎng)絡(luò )。
圖9 TPA711電阻分壓網(wǎng)絡(luò )電路
當耳機未插入時(shí),耳機開(kāi)關(guān)閉合,由100 kΩ電阻分壓網(wǎng)絡(luò )提供一個(gè)低電平SE/BTL端子,當耳機插入時(shí),電阻1 kΩ切斷,分壓網(wǎng)絡(luò )為SE/BTL端子提供一個(gè)高電平,從而完成SE/BTL工作模式轉換。
11.采用低等效串聯(lián)電阻電容:
本電路所有電容都應采用低等效串聯(lián)電阻的電容,這對提高電路性能很有意義。
12.5V和3.3V工作:
TPA711可以在3.3V~5V范圍內正常工作。提供電壓不同,輸出功率不同。每個(gè)TPA711的動(dòng)態(tài)范圍為(VDD-1)伏,而對3.3V工作電壓下,當VO(PP)=2.3V時(shí),電路出現限幅,對5V供電,VO(PP)=4V時(shí),電路出現限幅。
13.動(dòng)態(tài)范圍和熱設計:
在正常工作狀態(tài)下,線(xiàn)性放大器會(huì )產(chǎn)生很大的功耗,對典型的CD需要12dB~15dB的動(dòng)態(tài)范圍。對TPA711在5V供電電壓,負載為8Ω的情況下,它可以輸出700mW的峰值功率?,F將功率值轉變?yōu)閐B值。有:PdB=101gPw=101g700mW=-1.5dB
可得到無(wú)失真條件下的電路動(dòng)態(tài)范圍
-1.5dB-15dB=-16.5(15dB的動(dòng)態(tài)范圍)
-1.5dB-12dB=-13.5(12dB的動(dòng)態(tài)范圍)
-1.5dB-9dB=-10.5(9dB的動(dòng)態(tài)范圍)
-1.5dB-6dB=-7.5(6dB的動(dòng)態(tài)范圍)
-1.5dB-3dB=-4.5(3dB的動(dòng)態(tài)范圍)
再次將分貝值轉換為功率值:
Pw=10PDB/10
=22mW(15dB動(dòng)態(tài)范圍)
=44mW(12dB動(dòng)態(tài)范圍)
=88mW(9dB動(dòng)態(tài)范圍)
=175mW(6dB動(dòng)態(tài)范圍)
=350mW(3dB動(dòng)態(tài)范圍)
表4給出了TPA711在額定功率5V,8Ω,BTL模式下的峰值輸出功率,平均輸出功率,功耗,最高環(huán)境溫度間的關(guān)系。
表4表明,TPA711可以在DGN封裝條件下不使用散熱片,在環(huán)境溫度高達110℃時(shí)輸出700Mw。D封裝下環(huán)境溫度34℃,不使用散熱片,輸出功率700Mw。
峰值輸出功率(mW) | 平均輸出功率 | 功耗(mW) | D封裝(SOIC) | DGW封裝(MSOP) |
最高環(huán)境溫度 | 最高環(huán)境溫度 | |||
700 | 700Mw | 675 | 34℃ | 110℃ |
700 | 350mW(3Db) | 595 | 47℃ | 115℃ |
700 | 176mW(6dB) | 475 | 68℃ | 122℃ |
700 | 88mW(9dB) | 350 | 89℃ | 125℃ |
700 | 44mW(12dB) | 225 | 111℃ | 125℃ |
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