IR2110實(shí)現高壓大功率直流開(kāi)關(guān)電源

　　2.2.3 IR2110結合隔離變壓器電路

　　上面2種方法已經(jīng)得到了廣泛的應用，但是也有他的缺點(diǎn)，首先電路比最簡(jiǎn)單的應用電路要復雜的多，其次所用的器件數目增多，成本增加，再次效果也并不是非常好，這主要是因為IR2110芯片本身很容易受到開(kāi)關(guān)管的影響。

　　負載增大，電壓升高，IR2110的輸出波形就會(huì )變得很混亂，所以用常規的變壓器隔離和IR2110結合起來(lái)使用其電路圖如6所示，這種電路結合了經(jīng)典電路的部分內容，大大地減小了負載對驅動(dòng)的影響，可以用于大功率場(chǎng)合，電路也比較簡(jiǎn)單，非常實(shí)用。

　　其工作原理為：電源電壓為20 V，在上電期間，電源通過(guò)Rg給Cg充電，Cg保持5 V的電壓，在LIN為高電平的時(shí)候，LO輸出0 V，此時(shí)S2柵極上的電壓為-5 V，從而實(shí)現了關(guān)斷時(shí)負壓。

　　對于上管S1，HIN為高電平時(shí)，HO輸出為20 V，加在柵極上的電壓為15 V。當HIN為低電平時(shí)，HO輸出0 V，S1柵極為-5 V。

　　IGBT為電壓型驅動(dòng)器件，所以負壓負壓電容C5，C6上的電壓波動(dòng)較小，維持在5 V，自舉電容上的電壓也維持在20 V左右，只在下管S2導通的瞬間有一個(gè)短暫的充電過(guò)程。

　　IGBT的導通壓降一般小于3 V，負壓電容C5的充電在S2導通時(shí)完成。對于C5，C6的選擇，要求大于IGBT柵極輸入寄生電容Ciss。自舉電容電電路中的二極管D1必須是快恢復二極管，應留有足夠的電流余量。此電路與一般的帶負壓驅動(dòng)芯片產(chǎn)生負壓原理相同，直流母線(xiàn)上疊加了5 V的電壓。

2.2.3 IR2110結合隔離變壓器電路

　　上面2種方法已經(jīng)得到了廣泛的應用，但是也有他的缺點(diǎn)，首先電路比最簡(jiǎn)單的應用電路要復雜的多，其次所用的器件數目增多，成本增加，再次效果也并不是非常好，這主要是因為IR2110芯片本身很容易受到開(kāi)關(guān)管的影響。

　　負載增大，電壓升高，IR2110的輸出波形就會(huì )變得很混亂，所以用常規的變壓器隔離和IR2110結合起來(lái)使用其電路圖如6所示，這種電路結合了經(jīng)典電路的部分內容，大大地減小了負載對驅動(dòng)的影響，可以用于大功率場(chǎng)合，電路也比較簡(jiǎn)單，非常實(shí)用。

　　3 結 語(yǔ)

　　本文所提供的幾種抗干擾措施也應該根據具體情況進(jìn)行分析，當然根據具體電路的不同應該按照實(shí)際情況選擇電路，傳統的驅動(dòng)電路也有他優(yōu)點(diǎn)，光電藕合器也可以廣泛使用。