TNY256原理及性能分析

1 TNY256的性能特點(diǎn)

　　·內置自動(dòng)重啟電路，不需外接元件，一旦發(fā)生輸出短路或控制環(huán)開(kāi)路故障，可將占空比降低以保護芯片。

　　·在輸入直流高壓電路中，不需要使用瞬態(tài)電壓抑制器構成的鉗位保護電路，僅用簡(jiǎn)單的RC吸收回路即可衰減視頻噪聲。

　　·輸入欠壓檢測電路僅需外接1只電阻，目的是在上電時(shí)將片內的功率MOSFET關(guān)斷，直到直流輸入電壓VI達到欠壓保護門(mén)限電壓(100V)為止;正常工作后若VI突然降低，對芯片也能起到保護作用。

　　·開(kāi)關(guān)頻率抖動(dòng)可降低電磁輻射。

　　·輸入電壓范圍寬(85～265VAC或120～375VDC)且交、直流兩用。效率高，265VAC輸入時(shí)的空載功耗低于100mW。

　　·控制方式簡(jiǎn)單。采用開(kāi)/關(guān)控制器來(lái)代替傳統的PWM脈寬調制器對輸出電壓進(jìn)行調節，開(kāi)關(guān)控制器可等效為脈沖頻率調制器(PFM)，其調節速度更快，對紋波的抑制能力也更強。

　　·外圍電路簡(jiǎn)單，可選用低成本的外圍元件。無(wú)論在啟動(dòng)時(shí)還是正常工作時(shí)，芯片所消耗的能量均由漏極電源提供，無(wú)需再加反饋繞組及相關(guān)電路，也不用回路補償。

　　·利用使能端可從部關(guān)斷功率MOSFET，采用跳過(guò)時(shí)鐘周期的方式來(lái)調節負載電壓，并且在快速上電時(shí)輸出電壓無(wú)過(guò)沖現象，掉電時(shí)，功率MOSFET也不會(huì )出現頻率倍增現象。

　　·高效、小功率輸出，適合構成0～16W的小功率、低成本開(kāi)關(guān)電源。

　　2 TNY256的封裝及引腳功能

　　TNY256的三種封裝形式如圖1所示。該器件實(shí)際上只有4個(gè)有效引腳，D、S分別為功率MOSFET的漏極和源極;同時(shí)S也是控制電路的公共端。BP(BYPASS)為旁路端，該端與地(S極)間需接一只0.1μF的旁路電容器，通過(guò)漏極和內部電路產(chǎn)生5.8V的電源電壓給該芯片供電。EN/UV為使能/欠壓端，正常工作時(shí)由此端控制內部功率MOS管的通斷，當IEN≥50μA時(shí)，MOSFET關(guān)斷，該端還可用于輸入欠壓檢測，具體方法是將EN/UV端經(jīng)一只2MΩ的電阻器接VI。

　　3 TNY256的工作原理

　　TNY256內含一個(gè)700V功率MOSFET開(kāi)關(guān)管和一個(gè)電源控制器，與傳統的PWM脈寬調制控制方式不同，該器件采用簡(jiǎn)單的開(kāi)/關(guān)控制來(lái)調節輸出電壓使之穩定。TNY256的內部結構如圖2所示，主要包括振蕩器、使能輸入、5.8V穩壓器、BP腳欠壓保護電路、過(guò)熱保護電路、過(guò)流保護電路、自動(dòng)重啟動(dòng)計數器、輸入欠壓檢測電路、700V功率MOSFET。