LDO的工作原理詳細分析二

　　綜上，輸出電容是用來(lái)補償LDO穩壓器的，所以選擇時(shí)必須謹慎?；旧纤械?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/LDO">LDO應用中引起的振蕩都是由于輸出電容的ESR過(guò)高或過(guò)低。

　　LDO的輸出電容，通常鉭電容是最好的選擇（除了一些專(zhuān)門(mén)設計使用陶瓷電容的LDO，例如：LP2985）。測試一個(gè)AVX的4.7uF鉭電容可知它在25℃時(shí)ESR為1.3Ω，該值處在穩定范圍的中心（圖16）。

　　另一點(diǎn)非常重要，AVX電容的ESR在－40℃到＋125℃溫度范圍內的變化小于2:1。鋁電解電容在低溫時(shí)的ESR會(huì )變大很多，所以不適合作LDO的輸出電容。

　　必須注意大的陶瓷電容（≥1uF）通常會(huì )用很低的ESR（＜20mΩ），這幾乎會(huì )使所有的LDO穩壓器產(chǎn)生振蕩（除了LP2985）。如果使用陶瓷電容就要串聯(lián)電阻以增加ESR。大的陶瓷電容的溫度特性很差（通常是Z5U型），也就是說(shuō)在工作范圍內的溫度的上升和下降會(huì )使容值成倍的變化，所以不推薦使用。

　　準LDO補償

　　準LDO（圖3）的穩定性和補償，應考慮它兼有LDO和NPN穩壓器的特性。因為準LDO穩壓器利用NPN導通管，它的共集電極組合也就使它的輸出極（射極）看上去有相對低的阻抗。

　　然而，由于NPN的基極是由高阻抗PNP電流源驅動(dòng)的，所以準LDO的輸出阻抗不會(huì )達到使用NPN達林頓管的NPN穩壓器的輸出阻抗那樣低，當然它比真正的LDO的輸出阻抗要低。

　　也就是說(shuō)準LDO的功率極點(diǎn)的頻率比NPN穩壓器的低，因此準LDO也需要一些補償以達到穩定。當然了這個(gè)功率極點(diǎn)的頻率要比LDO的頻率高很多，因此準LDO只需要很小的電容，而且對ESR的要求也不很苛刻。

　　例如，準LDO LM1085可以輸出高達3A的負載電流，卻只需10uF的輸出鉭電容來(lái)維持穩定性。準LDO制造商未必提供ESR范圍的曲線(xiàn)圖，所以準LDO對電容的ESR要求很寬松。

　　低ESR的LDO

　　國半（NS）的兩款LCO，LP2985和LP2989，要求輸出電容貼裝象陶瓷電容一樣超低ESR。 這種電容的ESR可以低到5～10mΩ。 然而這樣小的ESR會(huì )使典型的LDO穩壓器引起振蕩（圖18）。

　　為什么LP2985在如此低ESR的電容下仍能夠穩定工作？ 國半在IC內部放置了鉭輸出電容來(lái)補償零點(diǎn)。這樣做是為了將可穩定的ESR的上限范圍下降。LP2985的ESR穩定范圍是3Ω到500MΩ，因此它可以使用陶瓷電容。未在內部添加零點(diǎn)的典型LDO的可穩定的ESR的范圍一般為100mΩ-5Ω，只適合使用鉭電容并不適合使用陶瓷電容。

　　要弄清ESR取之范圍上限下降的原因，請參考圖15。上文提到，此LDO的零點(diǎn)已被集成在IC內部。因此外部電容產(chǎn)生的零點(diǎn)必須處在足夠高的頻率，這樣就不能使帶寬很寬。否則，高頻極點(diǎn)會(huì )產(chǎn)生很大的相移從而導致振蕩。

　　使用場(chǎng)效益管（FET）作為導通管LDO的優(yōu)點(diǎn)

　　LDO穩壓器可以使用P-FET（P溝道場(chǎng)效應管）作為導通管（圖19：P溝道場(chǎng)效應管LDO內部結構框圖）。為了闡述使用Pl-FET LDO 的好處，在PNP LDO（圖2）中要驅動(dòng)PNP功率管就需要基極電流?；鶚O電流由地腳（ground pin）流出并反饋回反相輸入電壓端。因此，這些基極驅動(dòng)電流并未用來(lái)驅動(dòng)負載。它在LDO穩壓器中耗損的功耗由下式計算：

　　PWR（Base Drive）＝Vin × Ibase （11）

圖19

　　需要驅動(dòng)PNP管的基極電流等于負載電流除以β值（PNP管的增益）。在一些PNP LDO穩壓器中β值一般為15～20（與負載電流相關(guān)）。此基極驅動(dòng)電流產(chǎn)生的功耗可不是我們期望的（尤其是在電池供電的低功耗應用中）。P溝道場(chǎng)效應管（P-FET）的柵極驅動(dòng)電流極小，較好地解決這個(gè)問(wèn)題。

　　P-FET LDO穩壓器的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，是通過(guò)調整場(chǎng)效應管（FET）的導通阻抗（ON-resistance）可以使穩壓器的跌落電壓更低。 對于集成的穩壓器而言，在單位面積上制造的場(chǎng)效應功率管（FET power transistors）的導通阻抗會(huì )比雙極型開(kāi)關(guān)管（Bipolar ONP Devices）的導通阻抗低。這就可以在更小封裝（Packages）下輸出更大的電流。