工程師參考手冊（一）：D類(lèi)功放設計須知

　　13、D類(lèi)功放中MOSFET選擇的其他考慮

　　*選擇合適的封裝和結構

　　*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響?？s短體二極管恢復時(shí)間（工R的并聯(lián)肖特基二級管的FET）;降低反向恢復電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。

　　*FET結殼熱阻要盡可能小，以保證結溫低于限制。

　　*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結構墊絕緣材料，依賴(lài)于它的成本和尺寸。

　　14、D類(lèi)功放參考設計見(jiàn)圖6所示

　　*拓撲：半橋

　　*選用IR2011S（柵極驅動(dòng)IC，最高工作電壓200V，Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V，ton/off為8060ns，延時(shí)匹配時(shí)間為20ns）;IRFB23N15D （MOSFET功率管ID=23A，R DS=90mΩ，Qg=37nC Bv=150V To-220封裝）

　　*開(kāi)關(guān)頻率：400KHz（可調）

　　*額定輸出：200W+200W/4歐

　　*THD:0.03%-1mhz半功率

　　*頻率響應：5Hz-40KHz（-3dB）

　　*電源：～220v±50V

　　*尺寸：4.0“×5.5”

　　15、結論

　　如果我們在選擇器件時(shí)很謹慎，并且考慮到精細的設計布線(xiàn)，因為雜散參數有很大的影響，那么目前高效D類(lèi)功放可以提供和傳統的AB類(lèi)功放類(lèi)似的性能。