高容量Flash MCU需求漲

　　據了解，瑞薩電子在智慧化嵌入式系統市場(chǎng)，主要係鎖定智慧汽車(chē)（Smart Car）、智慧大樓（Smart Building）及智慧家庭（Smart Home）叁大應用，并將持續借重40奈米eFlash製程，開(kāi)發(fā)出更高存取速度與記憶體容量的32位元微控制器，以迎合市場(chǎng)對于更高性?xún)r(jià)比Flash MCU的要求。

　　黎柏均強調，該公司憑藉自有的eFlash專(zhuān)利技術(shù)開(kāi)發(fā)的40奈米製程，已量產(chǎn)出業(yè)界最高存取速度的Flash MCU，達120MHz，在相同記憶體容量之下，相較于其他競爭對手的Flash MCU存取速度可高出一倍之多。 黎柏均進(jìn)一步指出，該公司新一代通用型32位元Flash MCU內嵌的快閃記憶體容量已達4MB，未來(lái)將持續透過(guò)40奈米製程開(kāi)發(fā)記憶體容量高達8MB的32位元Flash MCU。

　　除瑞薩電子之外，NOR Flash龍頭大廠(chǎng)飛索看準快閃記憶體在微控制器應用的眾多市場(chǎng)機會(huì )點(diǎn)，除出手收購富士通半導體微控制器和類(lèi)比部門(mén)，跨足MCU市場(chǎng)外，亦已與聯(lián)電達成 40奈米製程合作協(xié)議，將採用40奈米製程量產(chǎn)Flash MCU和系統單晶片（SoC），加入40奈米製程賽局。

　　整合富士通資源　飛索2015年發(fā)布Flash MCU

　　2013年5月，飛索宣布收購富士通半導體（Fujitsu Semiconductor）微控制器和類(lèi)比部門(mén)，如此大動(dòng)作跨足微控制器產(chǎn)業(yè)，已引發(fā)半導體業(yè)界的關(guān)注。飛索預定于2013年7？9月，正式完成富士通半導體微控制器、類(lèi)比及混合訊號部門(mén)購併，未來(lái)將加速整合該部門(mén)技術(shù)資源，以及自家的嵌入式電荷擷?。╡CT）快閃記憶體技術(shù)，全力加速Flash微控制器研發(fā)，預計于2015年發(fā)布首款產(chǎn)品。

　　飛索資深副總裁暨全球技術(shù)長(cháng)Saied Tehrani（圖3）談到，該公司在嵌入式市場(chǎng)與快閃記憶體領(lǐng)域已累積不少成果，若再結合富士通半導體微控制器、類(lèi)比業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)，以及其在日本市場(chǎng)的優(yōu)勢，將可進(jìn)一步擴大市場(chǎng)版圖，帶動(dòng)飛索快閃記憶體產(chǎn)品銷(xiāo)售成長(cháng)。

　　Tehrani進(jìn)一步指出，飛索購併富士通半導體微控制器與類(lèi)比業(yè)務(wù)將強化針對嵌入式市場(chǎng)的產(chǎn)品線(xiàn)，包括汽車(chē)、工業(yè)及消費性電子，預計7？9月完成購併案后，將于2014年為飛索挹注高達4億5，000萬(wàn)至5億5，000萬(wàn)美元的收入。

　　據悉，在雙方購併作業(yè)完成后，富士通半導體將成為飛索微控制器和類(lèi)比業(yè)務(wù)的晶圓代工廠(chǎng)，并將沿用既有的55奈米、65奈米及90奈米製程，為飛索量產(chǎn)Flash MCU。

　　Tehrani認為，該公司收購富士通半導體的MCU與類(lèi)比業(yè)務(wù)后，將會(huì )產(chǎn)生諸多綜效，特別是快閃記憶體在微控制器應用有眾多機會(huì )點(diǎn)；而在結合雙方的優(yōu)勢后，更可利用飛索在嵌入式市場(chǎng)的地位和能見(jiàn)度來(lái)擴大微控制器、類(lèi)比及混合訊號產(chǎn)品于汽車(chē)、工業(yè)和消費性電子的市場(chǎng)滲透率。

　　不僅如此，飛索也與聯(lián)電展開(kāi)更先進(jìn)的40奈米eFlash製程合作。Tehrani認為，飛索的eCT快閃記憶體技術(shù)，結合聯(lián)電40奈米製程，將為旗下的SoC提供更高性能、更低功耗及更具成本競爭力的微控制器和SoC方案，大舉插旗嵌入式市場(chǎng)。

　　飛索與聯(lián)電的40奈米合作協(xié)議中，將授權聯(lián)電其獨家的eCT快閃記憶體技術(shù)，該技術(shù)類(lèi)似飛索的MirrorBit技術(shù)，但經(jīng)過(guò)修改和邏輯優(yōu)化，故具備更快存取時(shí)間（低于10奈秒）和更低功率的特色，并易于與邏輯整合，較傳統NOR快閃記憶體生產(chǎn)方式使用更少的光罩製程步驟，讓eCT能整合快閃記憶體和高性能邏輯SoC產(chǎn)品，成為具有成本效益的解決方案。

　　面對Flash MCU市場(chǎng)競爭者眾，Tehrani強調，該公司在非揮發(fā)性記憶體發(fā)展有悠久的歷史，并在嵌入式MCU和SoC獨立式快閃記憶體的eCT技術(shù)發(fā)展上有超過(guò) 10年經(jīng)驗，且擁有的嵌入式快閃記憶體技術(shù)係專(zhuān)為先進(jìn)的邏輯設計，因此具備更快存取速度、低功耗及高運算效率的優(yōu)勢，有利于提高日后旗下Flash MCU產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。

　　在智慧化嵌入式系統蔚為風(fēng)潮之下，國外半導體大廠(chǎng)正爭相加入新一輪先進(jìn)奈米Flash製程賽局，藉由更先進(jìn)的40奈米製程，開(kāi)發(fā)出內嵌更高NOR快閃記憶體容量、更高存取速度、更具成本競爭力的高階32位元Flash MCU，以避免陷入入門(mén)級產(chǎn)品線(xiàn)打價(jià)格戰的泥淖，同時(shí)積極壯大高毛利的智慧化嵌入式系統市場(chǎng)版圖。