中國在光子學(xué)材料領(lǐng)域獲突破 可用于激光防護

中科院上海光機所研究員王俊與張龍、趙全忠以及上海光機所中科院外國專(zhuān)家特聘研究員WernerBlau等人合作，首次報道了二維層狀MoS2納米材料在近紅外波段的優(yōu)異超快飽和吸收性能。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于《美國化學(xué)學(xué)會(huì )—納米》。

　　據介紹，過(guò)渡金屬硫化物二維納米材料，如MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2等受到了學(xué)界的高度重視，許多獨特的光電性質(zhì)在該材料由體材料降解到二維單分子層后體現出來(lái)，該類(lèi)材料已成為新一代高性能納米光電器件國際前沿研究的核心材料之一。然而，針對這類(lèi)寬禁帶直接帶隙半導體二維納米片的超快非線(xiàn)性光學(xué)性質(zhì)及相應光子器件的研究還鮮有報道。

　　上述研究小組利用液相剝離技術(shù)成功制備出高品質(zhì)MoS2納米片分散液。透射電子顯微鏡、可見(jiàn)—紅外吸收光譜、拉曼光譜、原子力顯微鏡研究表明，分散液中存在大量高品質(zhì)MoS2納米片層。超快非線(xiàn)性光學(xué)實(shí)驗證實(shí)MoS2納米片對100fs、800nm近紅外激光脈沖具有比石墨烯更加優(yōu)異的飽和吸收響應。

　　業(yè)內專(zhuān)家表示，這些結果預示著(zhù)以MoS2為代表的過(guò)渡金屬硫化物二維納米半導體材料在超短脈沖鎖模器、激光防護光限幅器以及光開(kāi)關(guān)等光子學(xué)器件開(kāi)發(fā)方面的巨大潛力。