鐵電存儲器FM3808在TMS320VC5402系統中的應用
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摘要：FM3808是Ramtrom公司生產(chǎn)的新型超低功耗非易失鐵電存儲器，該器件可支持對存儲區的高速讀寫(xiě)，并可進(jìn)行近乎無(wú)限次的寫(xiě)入。FM3808內部除具有256kB的存儲陣列外還集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘和系統監控模塊，因而功能十分強大。文中介紹了FM3808的性能特點(diǎn)、內部結構和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引導裝載模式。給出了DSP與FM3808組成的并行引導接口方案。
關(guān)鍵詞：鐵電存儲器 數字信號處理器 并行引導裝載模式 FM3808
1 引言
鐵電存儲器（FRAM）是Ramtron公司近年推出的一款掉電非易失性存儲器，它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料的運用使鐵電存儲器可以同時(shí)擁有隨機存儲記憶體（RAM）和非易失存儲器的綜合特性。與EEPROM相比，FRAM可以總線(xiàn)速度寫(xiě)入數據，且在寫(xiě)入之后不需要任何延時(shí)等待。面EEPROM的慢速和大電流寫(xiě)入使其需要用高出FRAM2500倍的能量去寫(xiě)入每個(gè)字節。同時(shí)，FRAM有近乎無(wú)限次的寫(xiě)入壽命，而且價(jià)格比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多，因此，FRAM特別適合那些對數據采集、寫(xiě)入時(shí)間要求很高的場(chǎng)合。自FRAM問(wèn)世以來(lái)，已憑借其各種優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于測量和醫療儀表、航空航天、門(mén)禁系統和汽車(chē)黑匣子等系統之中。
2 主要特性有內部結構
FM3808是一款存儲容量為32k8bits的新型FRAM（減16字節），它具有高速讀寫(xiě)、超低功耗和無(wú)限次讀寫(xiě)等特性。其主要特點(diǎn)如下：
*采用327528位存儲結構；
*讀寫(xiě)次數高達10 11次，具有10年的數據保存能力；
*最快并行讀取速度為70ns，寫(xiě)入無(wú)延時(shí)；
*具有實(shí)時(shí)時(shí)鐘和日歷功能，時(shí)鐘寄存器在地址空間的最上16字節處；
*外部供給后備電源，提供32.768kHz的時(shí)間記錄晶振；
*具有可編程的實(shí)時(shí)、日歷時(shí)鐘和報警時(shí)間；
*可編程的看門(mén)狗定時(shí)器；
*可編程的電源監控模塊。
FM3808芯片上集成了了三種不同的功能：32k8B的存儲單元、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、日歷功能、系統監控功能。其結構框圖如圖1所示。
3 FM3808功能說(shuō)明
3．1 FM3808實(shí)時(shí)時(shí)鐘操作
實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）由晶體振蕩器、時(shí)鐘分頻器和一個(gè)系統寄存器組成。晶體振蕩只有在控制寄存器器（7FF8h）的第7位設置為0時(shí)才能開(kāi)始工作，時(shí)鐘分頻器將32.768kHz的信號分頻成1kHz，并以秒為單位來(lái)計數，可以用標志寄存器（7FF0h）并通過(guò)設置R和W來(lái)對各實(shí)時(shí)鐘寄存器進(jìn)行讀和寫(xiě)。實(shí)時(shí)時(shí)鐘需要提供電源才能工作，當供電電壓VDD下降到低于補給電壓VBAK時(shí)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘電源由VBAK供給。對于FM3808來(lái)說(shuō)，用戶(hù)可以選擇用電流做電源，也可以選擇用電容來(lái)完成供電。使用1000μF的電容時(shí)，其供電時(shí)間可達30分鐘，若使用0.4μF的電容，則供電時(shí)間可長(cháng)達240小時(shí)。
當標志寄存器的第2位（CAL）設置成1時(shí)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘進(jìn)入校準模式。在校準蟶希INT引腳將輸出512Hz的方波，用戶(hù)可以通過(guò)測量INT腳偏離512Hz的誤差來(lái)進(jìn)行時(shí)鐘校準，校準誤差由用戶(hù)寫(xiě)入到7FF8h單元。在進(jìn)行完時(shí)鐘校準以后，在校準溫度下每月的最大誤差為4.34ppm分，通過(guò)置CAL位為0可退出時(shí)鐘校準模式。
3．2 FM3808監控操作
系統監控主要包括：報警功能、看門(mén)狗定時(shí)器、電源監控器和系統中斷。
報警功能是把應用編程寫(xiě)入的時(shí)間值和系統相應的值進(jìn)行對比，如果匹配，就通過(guò)INT產(chǎn)生中斷并設置相應的標志位AF為1。報警功能提供有四種匹配值，分別為秒、分、時(shí)、日，通過(guò)設置相應的位為0可選擇對比位。
看門(mén)狗定時(shí)器由可裝載計數器和自由運行的計數器組成，看門(mén)狗定時(shí)器的工作頻率為32Hz，此時(shí)晶振OSCEN必須設置為0。定時(shí)器溢出值存放在7FF7h。系統上電時(shí)會(huì )自動(dòng)將溢出值加載到裝載寄存器，此時(shí)自由運行計數器開(kāi)始計時(shí)。當計數器的值與裝載值之前，可以通過(guò)設置WDS位為1來(lái)重新裝載溢出值，而此時(shí)不會(huì )有中斷產(chǎn)生。
電源監控功能是將VDD與三個(gè)門(mén)電壓相比比較。這三個(gè)門(mén)電壓分別為中斷門(mén)電壓VINT、存儲器停止門(mén)電壓VLO、外部供給電壓VBAK。當VDD達到不同的電壓門(mén)限時(shí)，FM3808內相應的功能將停止工作。FM3808共可產(chǎn)生四個(gè)外部中斷：看門(mén)狗中斷、報警時(shí)鐘中斷、電源低電壓中斷和供給電源中斷。
3．3 FM3808存儲器操作
FM3808邏輯上可以分成327688位存儲結構，最上面的16字節分給了實(shí)地時(shí)鐘的寄存器。FM3808通過(guò)并行口與外部微處理器進(jìn)行接口，其操作與SRAM十分類(lèi)似。FM3808半存儲單元分成32個(gè)塊，每塊由256行和4列即1k8的結構組成。其中A0~A7為行選擇線(xiàn)，A8~A9為列選擇線(xiàn)，A10~A14為塊選擇線(xiàn)。FM3808芯片的CE不能接地，這與普通SRAM不同。FM3808的讀取過(guò)程是這樣的：在CE的下降沿，地址信號被鎖存，并啟動(dòng)一個(gè)讀周期，此后即使CE發(fā)生變化也不會(huì )影響這個(gè)周期的完成。由于FM3808需要在CE的下降沿才能鎖存地址信號，所以不能被CE接地，有效讀時(shí)序如圖2所示。
在讀時(shí)間數據之前，需把7FF0.0設置為“1”，讀出時(shí)間數據后，應將7FF0.0設置為“0”。在讀數據時(shí)，當地址信號鎖存后，在OE允許的情況下，DQ0~DQ7輸出數據。FM3808共有兩種寫(xiě)工作模式，一種是由WE來(lái)控制，另一種是由CE控制。由WE控制的寫(xiě)時(shí)序如圖3所示。
雖然FM3808要求在CE下降之間，地址信號要存在5ns的時(shí)間，但實(shí)際應用證明，同時(shí)輸出CE與地址信號的接法也是可以的。由于FRAM的讀寫(xiě)過(guò)程會(huì )對內部存儲單元造成改變，因此在一次讀或寫(xiě)后，要很快對原有的數據進(jìn)行“修補”?！靶扪a”的過(guò)程在CE為高電平時(shí)進(jìn)行，所以在一次讀寫(xiě)的操作中，CE為低的時(shí)間不能太長(cháng)，否則FM3808將來(lái)不及“修補”原有數據而造成數據丟失。FM3808規定CE為低的時(shí)間不超過(guò)10μs。
4 與TMS320C5402的引導接口
TMS320C5402上電后將首先檢查MP/MC引腳的狀態(tài)，若該腳為低電平，說(shuō)明DSP被設置為微計算機模式，從片內ROM的0FF80h地址開(kāi)始執行程序。在TMS320C5402的0FF80h地址處，存放著(zhù)一條跳轉至0F800h處執行DSP自引導裝載（Bootloader）程序的指令。當TMS320C5402的Bootloader程序時(shí)，它將會(huì )按HPI裝載模式→串行EEPROM裝載程序→并行裝載模式→標準串行口裝模式→I/O口裝載模式的順序循環(huán)檢測，以決定執行哪種啟動(dòng)模式。
采用并行裝載模式對程序進(jìn)行加載國時(shí)，要根據并行裝載的格式來(lái)配置Flash的程序數據存儲空間?？上仍贒SP對應的數據空間FFFEH和FFFFH地址內寫(xiě)入要存放程序的地址，然后根據并行裝載的數據流，將標識控制字、各個(gè)寄存器的初始化值、裝載后的起始運行地址、程序段的大小和裝載地址依次寫(xiě)入Flash存儲程序的地址中，電子最后寫(xiě)入編寫(xiě)的程序。
FM3808與TMS320C5402的并行接口設計如圖5所示，由于FM3808的工作電源為5V，因而系統中使用了SN74LVTH6244和SN74LVTH2245來(lái)完成接口設計。又由于TMS320C5402數據的尋址范圍最大為64k字，而在自己不編寫(xiě)Bootloader程序的情況下，并行引導裝載模式最大只能裝載32k字的程序或數據。因此，若程序數據大于32k，就需要重新設計。
TMS320C5402上電復位裝載時(shí)，由于Bootloader程序已在初始化時(shí)將XF設置為高電平，因而在通過(guò)EPM3202總的邏輯后，TMS320C5402可以將FM3808 08000h-0FFFFh單元中的數據讀到TMS320C5402對應于000h-3FFFh尋址區的片內DARAM中。而在系統進(jìn)入并行引導裝載模式后，TMS320C5402會(huì )從數據尋址為0FFFFh的單元（A15=1，選中Flash）中讀取將要載入的程序存儲區首地址，然后從程序存儲首地址處將標識控制字、各個(gè)寄存器的初始化值、裝載后的起始運行地址、程序段的大小，裝載地址依次裝載到片內DRAM中。
若程序較大，而系統中還要有其它數據存儲器來(lái)存放數據，那么就需要讓出FM3808所占用的數據空間，此時(shí)可在EPM3202邏輯控制中使用XF。并可用主處理程序的第一條語(yǔ)句RSBX XF來(lái)置XF引腳為低電平，同時(shí)使CE片選無(wú)效，從而讓出數據空間。若程序較小，而FM3808還需做為數據存儲單元，那么可設置XF為高，然后通過(guò)CPLD中的邏輯程序來(lái)控制數據的寫(xiě)入和讀出。CPLD的內部邏輯如圖6所示。
5 設計中應注意的問(wèn)題
（1）該設計方案在TMS320C5402執行Bootloader程序時(shí)所能尋址的并行接口FRAM的最大空間為32k字節，如果脫機獨立運行系統的程序超過(guò)了32k字節，則只能采用另外的替代方法。
（2）FM3808中的程序數據流要嚴格按照并行裝載的數據流來(lái)編寫(xiě)，以確保并行裝載的成功。對FM3808數據的寫(xiě)入和讀出應通過(guò)設置SN74LVTH2245的OE和DIR來(lái)共同完成，本系統就是通過(guò)CPLD來(lái)進(jìn)行邏輯控制的，實(shí)際上也可用VHDL語(yǔ)言來(lái)編寫(xiě)邏輯。
（3）在設計過(guò)程中，可以利用FM3808中的看門(mén)狗電路來(lái)對系統運行進(jìn)行監控。系統必須使用FM3808的低電壓檢測功能，在檢測到掉電后，CPU應立即把CS端的電平置“1”，以防止在上電或掉電時(shí)FM3808中的數據發(fā)生改變。
6 結語(yǔ)
FM3808是擁有高速讀寫(xiě)，超低功耗和無(wú)限次寫(xiě)入等特性的高性能并口存儲器，它內部集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘和系統監控功能，具有很強的實(shí)用性。通過(guò)FM3808與TMS320C540組成的硬件系統，可完成證實(shí)系統的穩定性和FM3808的性能優(yōu)勢。FRAM以其快速寫(xiě)入、抗干擾、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，必須成為一種頗具競爭力的存儲器。
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