電子元器件在電路仿真中的建模

圖2中，電容的求解過(guò)程參見(jiàn)參考文獻[1]，以下給出結果：

Cgs是最大電容，需要較高精確度時(shí)可表示為：其中LD是重疊區的距離。
第2大電容Csb表示為：式中，As是源極的結面積，Ps是源極的結周長(cháng)，不包括與溝道相鄰的一邊，Cj-sw表示0 V偏置下的側壁電容。（Cj0偏置下的耗盡結電容)。
Cgd稱(chēng)為密勒電容，其值為：Cgd=WCoxLD。
源極主體電容Cdb表示為：Cdb=C'db+Cd-sw=AdCjd+PdCj-sw,其中，Ad是漏極的結面積，Pd是不包括與柵極相鄰部分的結周長(cháng)，
在仿真工具中建模，可指定如表1所示參數，系統自動(dòng)根據上述計算式確定等效電路參數，從而完成該器件的建模。

在pspice中仿真得到預期結果，如圖4所示。

可見(jiàn)參數建模法省去了構建等效電路的過(guò)程，只需通過(guò)廠(chǎng)商提供的器件特性參數就可以直接建模。但該方法只適用于固定結構的半導體器件。

3 子電路建模法
隨著(zhù)電子器件的不斷更新，單純依靠修改參數值進(jìn)行建模已經(jīng)遠遠不能滿(mǎn)足現在電子電路仿真的需求。針對常用電路單元和集成電路新產(chǎn)品，本文提出一種為新產(chǎn)品建立一個(gè)子電路模型的方法，并將該模型作為一個(gè)器件添加到仿真軟件的模型庫，在仿真電路時(shí)用戶(hù)可以像調用自帶庫一樣直接使用該模型。