TDK5110與TlDA5220的無(wú)線(xiàn)溫度采集系統
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其中，CL表示晶振的負載電容；CSW是FSK開(kāi)關(guān)的對地電容，包括了布線(xiàn)時(shí)的分布電容，一般可以3 pF計入；對于13．56 MHz的晶振，R=100 Ω；L=4．6μH。該電路是通過(guò)外接的Cv1、Cv2值改變晶振負載電容來(lái)實(shí)現頻率變化的。當FSKDTA=0，開(kāi)關(guān)閉合，Cv2和CSW都被短路，Cv1和L構成等效負載電容；當開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)，CSW、Cv2都計入回路，Cv1、CSW、Cv2和L構成等效負載電容。晶振振蕩頻率與負載電容之間的關(guān)系為：
其中：
CL為晶體振蕩在中心頻率f時(shí)所要求的負載電容。
C0、C1為晶振內部等效電容值。
f'=32f，為晶振振蕩在中心頻率f時(shí)的發(fā)射頻率。
△f為想要實(shí)現的距離晶振中心振蕩頻率的頻偏。
當采用TDK5110推薦的NX6035SA晶振時(shí)，f=13．568 75 MHz，C0=1．5 pF，C1=5．8 pF，CL=12 pF。
假設為實(shí)現“O”的發(fā)射△f，計算得到CL0值。但由于芯片內部等效電感的存在，需要修正Cv1值，此時(shí)開(kāi)關(guān)閉合，所以修正式子：本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202512.htm
其中ω0為發(fā)射“0”時(shí)晶振振蕩角頻率。
得到：
在晶振f=13．568 75 MHz時(shí)，芯片等效電感L=4．6μH，所以計算可得Cv1=10 pF。
同樣實(shí)現“1”的發(fā)射△f，計算得到CL1值為此時(shí)晶振回路中Cv2和CSW并聯(lián)后再與Cv1、L串聯(lián)后的等效電容值。即
其中ω1為發(fā)射“1”時(shí)晶振振蕩角頻率。
計算得到
從中可以看出，在Cv1不變情況下，增大Cv2的取值可以減小表示“1”的發(fā)送信號頻率；在Cv2不變的情況下，增大Cv1也可以減小發(fā)射頻率。
本設計采用FSK調制模式，其時(shí)序圖如圖3所示，根據此時(shí)序圖，發(fā)射端單片機選擇Atmel公司的AT89C52，用單片機的控制口PO．1、P0．2分別作為發(fā)射芯片的FSKDTA和ASKDTA進(jìn)行數據的調制控制。根據前面計算，設計發(fā)射芯片部分電路如圖4所示。
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