共探新機遇，瑞能半導體出席2024國際汽車(chē)半導體創(chuàng )新發(fā)展交流會(huì )

近日，由I.S.E.S國際半導體高管峰會(huì )參與主辦的“2024國際汽車(chē)半導體創(chuàng )新發(fā)展交流會(huì )”在無(wú)錫盛大舉行，瑞能半導體首席戰略及商務(wù)運營(yíng)官沈鑫作為代表受邀出席。本次交流會(huì )匯聚了來(lái)自全球的汽車(chē)與半導體領(lǐng)域的頂尖專(zhuān)家和企業(yè)高管，旨在聚焦汽車(chē)電子、功率半導體以及智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)的前沿發(fā)展，共探全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)智能化與綠色轉型升級的新機遇。

大會(huì )伊始，無(wú)錫市政協(xié)副主席、惠山區委書(shū)記吳建元致歡迎辭，表達了對進(jìn)一步推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新發(fā)展的堅定決心。近年來(lái)，惠山區緊密?chē)@產(chǎn)業(yè)升級和技術(shù)創(chuàng )新，著(zhù)力打造汽車(chē)電子和集成電路產(chǎn)業(yè)集群，未來(lái)將繼續加大投入，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)邁向更高水平。國際半導體高管峰會(huì )(ISES)總裁、聯(lián)合創(chuàng )始人Salah Nasri表示，“隨著(zhù)新能源汽車(chē)和智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)的發(fā)展，半導體技術(shù)將在推動(dòng)汽車(chē)行業(yè)變革中發(fā)揮不可或缺的作用，全球協(xié)同創(chuàng )新就是應對未來(lái)技術(shù)挑戰的關(guān)鍵?！?/p>

全新視野，“種子選手”鎖定轉型新機遇

瑞能半導體首席戰略及商務(wù)運營(yíng)官沈鑫在現場(chǎng)就圍繞“高電壓SiC MOSFET用于可再生能源應用，具有更簡(jiǎn)單的設計和更高的功率密度”進(jìn)行了深度分享。他強調，“從汽車(chē)到可再生能源，碳化硅的一系列場(chǎng)景應用正在改變電力電子領(lǐng)域。瑞能半導體憑借敏銳的行業(yè)嗅覺(jué)，早已意識到這一技術(shù)的重要性正在與日俱增，已經(jīng)對碳化硅器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)展開(kāi)積極的布局?！?/p>

瑞能半導體首席戰略及商務(wù)運營(yíng)官沈鑫

特別是在高壓電力電子系統中，與硅相比，碳化硅功率器件擁有更多的應用優(yōu)勢。碳化硅不僅能夠提供比現有硅技術(shù)更高的操作電壓、更寬的溫度范圍和更高的開(kāi)關(guān)頻率，而且工作損耗降低帶來(lái)了效率提升，同時(shí)也減少了散熱需求，整體系統成本有望降低約30%。

事實(shí)上，瑞能半導體SiC MOSFET系列產(chǎn)品具有高擊穿電壓、低比導通RDSON、高熱導率和高結溫（Tj）高門(mén)極可靠性等特點(diǎn)，允許SiC MOSFET處理比相近規格的Si MOSFET高得多的電流和電壓，因此功率密度更高。這些優(yōu)勢可轉化為更低的功率變換損耗、更高的效率、更簡(jiǎn)單的變換器拓撲結構以及更好的高溫性能。

應用場(chǎng)景優(yōu)勢下，尋求更大突破

當下，碳化硅器件作為第三代半導體，已成為被多個(gè)行業(yè)所共同追捧的創(chuàng )新技術(shù)。市場(chǎng)分析顯示，碳化硅市場(chǎng)正在蓬勃發(fā)展，預計到2028年市場(chǎng)規模將達到50億美元。

基于碳化硅廣泛的應用場(chǎng)景，瑞能半導體正積極致力于碳化硅器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。在去年，位于上海金山高新區的瑞能半導體全球首座模塊工廠(chǎng)正式投入運營(yíng)，專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)應用于消費、通訊、新能源以及汽車(chē)相關(guān)的各類(lèi)型功率模塊及分立器件產(chǎn)品，串聯(lián)客戶(hù)和生態(tài)圈，積極推動(dòng)行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

近年來(lái)，瑞能半導體尤其關(guān)注快速擴張的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)，在碳化硅生產(chǎn)過(guò)程中，瑞能通過(guò)使用經(jīng)行業(yè)認證的代工廠(chǎng)，確保其車(chē)規半導體產(chǎn)品生產(chǎn)設施符合汽車(chē)行業(yè)的要求。為確保產(chǎn)品的可靠性和產(chǎn)品服務(wù)能力，瑞能還在運營(yíng)自有的可靠性實(shí)驗室和故障分析中心，目前已經(jīng)通過(guò)了CNAS實(shí)驗室認證。

在產(chǎn)品和技術(shù)布局方面，瑞能半導體SiC  MOSFET產(chǎn)品系列：覆蓋電壓范圍650V~2200V、擁有極具競爭力的比導通電阻（RON,SP）和包括頂部散熱和模塊產(chǎn)品在內的各種封裝類(lèi)型，極大的拓寬了瑞能SiC 產(chǎn)品的應用范圍。特別需要指出的是，瑞能第二代SiC MOSFET擁有極強的短路能力，在18V和800V電壓下的短路耐受時(shí)間長(cháng)達3.5uS，從而確保了可靠性，保證了足夠的短路保護時(shí)間，配合控制端采用多種靈活的短路保護策略可以有效避免了故障擴大化，確保器件應用安全。以上諸多特性非常適用于EV主逆變器和OBC等應用，有助于提升電動(dòng)汽車(chē)效率和增加續航里程，同時(shí)最大程度確保應用安全。

此外，瑞能半導體的SiC MOSFET在推薦18V 驅動(dòng)電壓以獲得更低的導通阻抗，突出設計經(jīng)濟型，同時(shí)提供15V柵極驅動(dòng)電壓下的RDSON明確標注，確保兼容性，器件設計可確保此較低驅動(dòng)電壓下正常工作，也便于應用到硅器件的設計架構中。瑞能SiC MOS產(chǎn)品的柵氧設計經(jīng)過(guò)特別的優(yōu)化和嚴格的可靠性驗證，HTGB測試條件范圍達到了-12V~24V，試驗前后Vth均未發(fā)生明顯漂移， 最大程度上保證了長(cháng)期應用安全。

瑞能會(huì )持續深耕SiC領(lǐng)域，不斷挖掘SiC 器件潛力，拓展SiC產(chǎn)品類(lèi)型和應用范圍，最大程度上服務(wù)市場(chǎng)需求，領(lǐng)導產(chǎn)業(yè)升級，持續為市場(chǎng)貢獻高性能，高可靠，多樣化的SiC產(chǎn)品選擇，為客戶(hù)和產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng )造更大價(jià)值。

本次交流會(huì )匯聚全球行業(yè)專(zhuān)家及領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)分享與思想碰撞，瑞能半導體的受邀參與，不僅彰顯了瑞能在行業(yè)創(chuàng )新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也進(jìn)一步深化了其與廣大半導體制造商和設備制造商的交流與合作。未來(lái)，瑞能半導體將依托專(zhuān)業(yè)的技術(shù)和開(kāi)發(fā)團隊，打造更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，為客戶(hù)提供更多優(yōu)秀的解決方案，助推全球汽車(chē)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與升級。

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關(guān)于瑞能半導體瑞能半導體專(zhuān)注于功率半導體領(lǐng)域，傳承逾50年的核心技術(shù)，全球銷(xiāo)售點(diǎn)遍布大中華區、歐洲、亞太及美洲，產(chǎn)品應用覆蓋智能家電，電動(dòng)汽車(chē)，通訊工業(yè)等行業(yè)，為客戶(hù)在各自細分行業(yè)提供可靠專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持。瑞能半導體掌握獨立的功率半導體技術(shù)，憑借優(yōu)異的品質(zhì)和性能，其產(chǎn)品已被全球眾多知名企業(yè)驗證并使用。