意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器提升智能邊緣設備的性能和能效

意法半導體的 Page EEPROM兼備EEPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫(xiě)速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場(chǎng)景提供了一個(gè)混合存儲器。

嵌入式系統需要支持日益復雜的先進(jìn)功能，運行數據密集型的邊緣 AI 算法，意法半導體的新存儲器可以滿(mǎn)足嵌入式應用對存儲容量的日益增長(cháng)的需求。例如，在耳背式助聽(tīng)器中，Page EEPROM可以降低物料清單成本，讓助聽(tīng)器變得更纖薄，佩戴更舒適。

除了可穿戴設備外，Page EEPROM 還是醫療設備、資產(chǎn)追蹤器、電動(dòng)自行車(chē)以及其他工業(yè)和消費產(chǎn)品等應用的理想選擇。意法半導體 EEPROM 產(chǎn)品線(xiàn)經(jīng)理 Philippe Ganivet 表示：“智能邊緣技術(shù)發(fā)展迅速，正在深刻改變市場(chǎng)對嵌入式存儲器的容量、性能和功耗的需求。我們的新 Page EEPROM是一個(gè)非常好的超低功耗存儲器，是電池供電的遠程物聯(lián)網(wǎng)模塊微控制器的理想搭檔?！?/p>

BitFlip Engineering公司是新系列存儲器芯片的首批用戶(hù)，該公司的業(yè)主 Patrick Kusbel表示：“ST的Page EEPROM是一個(gè)真正地實(shí)現了兩全其美的的非易失性存儲器解決方案，當我們在開(kāi)發(fā)新一代旗艦系列產(chǎn)品時(shí)，包括 GPS 追蹤器、物聯(lián)網(wǎng)設備，以及其他的所有的需要高性能、高可靠性、小尺寸和低功耗的設計，新系列存儲器讓我們能夠實(shí)現預設的大目標。M95P的讀取速度是我們以前用的存儲器的50 倍，而功耗卻只有十分之一，產(chǎn)品可靠性提高了四倍，可擦寫(xiě)次數達到50萬(wàn)次，而我們以前用的產(chǎn)品的耐擦寫(xiě)能力只有10萬(wàn)次，這是一個(gè)顛覆性的改變?！?/p>

意法半導體Page EEPROM系列的容量分為8Mbit、16Mbit 和 32Mbit，大大高于標準 EEPROM產(chǎn)品的存儲容量。嵌入式智能頁(yè)面管理允許進(jìn)行字節級寫(xiě)操作，適合數據記錄等數據處理，同時(shí)還支持頁(yè)面/扇區/塊擦除和高達 512 字節的頁(yè)面寫(xiě)操作，可以高效處理固件無(wú)線(xiàn) (OTA) 更新需求。新系列存儲器還允許進(jìn)行緩存載入操作，同時(shí)向多個(gè)頁(yè)面寫(xiě)入數據，以縮短在生產(chǎn)線(xiàn)上安裝軟件的時(shí)間。320 Mbit/s 的數據讀取速度大約是標準 EEPROM 的16 倍，而 50萬(wàn)次耐擦寫(xiě)能力是傳統串行閃存的幾倍。

Page EEPROM還具有新穎的峰值電流控制功能，可最大限度地降低電源噪聲，延長(cháng)電池供電設備的續航時(shí)間。寫(xiě)入電流低于許多傳統 EEPROM，并且還有深度斷電模式和快速喚醒功能，可將工作電流降至 1μA 以下。

新系列產(chǎn)品的數據保存期長(cháng)達100 年，并享受意法半導體10年產(chǎn)品壽命保障計劃，保證該系列產(chǎn)品長(cháng)期供貨。

X-NUCLEO-PGEEZ1擴展板和 X-CUBE-EEPRMA1 軟件包現已上市，供用戶(hù)可學(xué)習如何與 Page EEPROM交互，如何使用該系列產(chǎn)品設計開(kāi)發(fā)應用。在軟件包中有一個(gè)展示如何測試該存儲器的混合架構，快速構建概念驗證的演示應用程序。

M95P08、M95P16 和 M95P32 Page EEPROM 現已投產(chǎn)。X-NUCLEO-PGEEZ1現已在意法半導體網(wǎng)站eSTore上架開(kāi)售。