Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設計，可將溫度降低30%，采用集成半有源橋，效率高達96%

位于英國劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng )新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設計，該設計旨在解決電源中的復雜熱性能挑戰。這一備受期待的突破性開(kāi)發(fā)成果將提供其他設計中所未有的獨特功能和優(yōu)勢組合，必將徹底改變USB-C快速充電領(lǐng)域。

PSV-RDAD-65USB參考設計將Pulsiv OSMIUM技術(shù)與行業(yè)標準的準諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結合。它能大幅降低工作溫度、盡量減小損耗并縮小尺寸，引領(lǐng)了一系列突破功率轉換現有邊界的設計，旨在打造一個(gè)可持續的USB-C標準平臺。

Pulsiv的首席產(chǎn)品官Tim Moore博士一直負責該設計的開(kāi)發(fā)，他表示：“我們的宗旨一直是開(kāi)發(fā)‘消耗更少，能力更強’的解決方案，這款設計就展示了Pulsiv OSMIUM技術(shù)如何既實(shí)現快速充電又不造成復雜的高溫管理問(wèn)題。人們對使用更高功率更快地為無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品充電的需求正在迅速增長(cháng)，從手機到電動(dòng)工具等各個(gè)領(lǐng)域都受到了影響。這意味著(zhù)要在小體積中實(shí)現更大的功率，而在開(kāi)發(fā)對熱量敏感的壁掛式/臺式解決方案時(shí)，這一點(diǎn)尤為重要。由于降低了30%的組件溫度、實(shí)現無(wú)浪涌電流和高效率，我們能夠讓設計變得更安全、更小巧、更可靠。”

規格一覽表

·       輸入電壓范圍：                  90 – 265V交流電（不降低額定輸入電源）

·       輸出電壓：                          5 – 20V直流電，支持PD3.0、QC4.0、BC1.2和PPS（快速充電）

·       輸出功率：                          最高65W

·       轉換器溫度：                      30.3°C（在環(huán)境溫度下）

·       工作頻率：                          125kHz

·       最高效率：                          96%

·       平均效率：                          95%

·       半有源橋：                          內含

·       線(xiàn)路電流：                          最高0.5A

·       浪涌電流：                          已消除

·       優(yōu)化的GaN：                           有

·       直流轉換器：                      準諧振反激變換器

讓超低溫運行和快速充電更上一層

Pulsiv OSMIUM參考設計在熱性能方面展現出了顯著(zhù)提升，相較于其他設計，關(guān)鍵組件溫度降低了30%以上。在滿(mǎn)載情況下，盡管環(huán)境溫度為26.1°C，反激式轉換器在230V直流電下的溫度會(huì )低到令人印象深刻的33.9°C，在265V下溫度會(huì )低到30.3°C。這一非凡成就極有可能樹(shù)立新的標桿，并允許在空間有限的環(huán)境中和/或對熱敏感的應用中（如帶有USB-C接口的墻壁插座）實(shí)現65W快速充電。

（Pulsiv PSV-EBAD-65USB評估板：V_in = 230V直流電；V_out = 20V；I_out = 3.25A；環(huán)境溫度為26.1°C）

使用半有源橋優(yōu)化效率和空間

Pulsiv OSMIUM技術(shù)通過(guò)感應交流電線(xiàn)路電壓和頻率來(lái)調整電容器充電時(shí)間，從而讓電路在交流零電壓交越時(shí)不消耗線(xiàn)路電流。這能夠實(shí)現簡(jiǎn)單的半有源橋，以提高效率，特別是在低壓條件下。它對位于下半部分交流轉直流橋中的MOSFET進(jìn)行精細控制，并與高側二極管結合使用。此設計中的半有源橋在效率、成本和復雜性之間實(shí)現了微妙平衡，支持通用輸入，并在115V交流電源下將滿(mǎn)載效率提升0.7%。

（Pulsiv獨特的半有源橋控制裝置）

創(chuàng )新的磁性器件將轉換器體積縮小了20%

Pulsiv OSMIUM技術(shù)可產(chǎn)生高壓直流電（HVDC）輸出，該輸出的電壓介于峰值交流電輸入電壓和150V之間，能以極大效率驅動(dòng)準諧振反激變換器。更寬的電壓范圍顯著(zhù)降低了初級側電感，從而能夠使用Pulsiv與磁性器件專(zhuān)家Frenetic合作開(kāi)發(fā)的EQ20轉換器。后者的首席執行官Chema Molina評論道：“我們的磁性器件專(zhuān)家團隊已經(jīng)證明，Pulsiv OSMIUM技術(shù)可以最大限度地提高效率，并將反激變換器的尺寸縮小到我們前所未見(jiàn)的水平。這一重要發(fā)展將幫助客戶(hù)提高性能、縮小尺寸、降低設計成本，我們很高興能參與這一創(chuàng )新解決方案。”

與其他設計中常見(jiàn)的RM8核相比，它能將體積縮小20%，將效率提高50%。

借助GaN優(yōu)化盡量減少損耗

Innoscience的GaN晶體管降低了RDSon和寄生電容，可減少反激變換器和同步整流器子系統中的損耗并優(yōu)化成本。Innoscience EMEA總經(jīng)理Denis Marcon補充道：“我們已經(jīng)證明，GaN技術(shù)非常適合提高效率、減少損耗和優(yōu)化成本，而Pulsiv OSMIUM技術(shù)能顯著(zhù)提高整體性能和減少能源浪費，帶來(lái)額外的好處。他們的技術(shù)是真正的顛覆性技術(shù)，我很高興Pulsiv選擇在這款參考設計中采用Innoscience GaN器件。”         

設計包和評估板

可從Pulsiv網(wǎng)站免費下載PSV-RDAD-65USB文檔包，包括數據表、原理圖、材料清單和Altium文件。PSV-EBAD-65USB評估板可實(shí)現快速實(shí)驗室測試，預計于8月下半月交付，現可通過(guò)包括全球庫存商Digikey在內的特許經(jīng)銷(xiāo)合作伙伴網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行預訂。

（Pulsiv PSV-EBAD-65USB評估板）