英特爾推進(jìn)面向未來(lái)節點(diǎn)的技術(shù)創(chuàng )新，在2025年后鞏固制程領(lǐng)先性

英特爾正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。正在順利推進(jìn)中的Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節點(diǎn)，將繼續采用EUV技術(shù)，并應用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，助力英特爾于2025年重奪制程領(lǐng)先性。

在“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃之后，英特爾將繼續采用創(chuàng )新技術(shù)推進(jìn)未來(lái)制程節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)和制造，以鞏固制程領(lǐng)先性。High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線(xiàn)能力的指標。通過(guò)升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統，High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節點(diǎn)，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術(shù)。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數個(gè)演化版本，以幫助客戶(hù)開(kāi)發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管，在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí)，英特爾也在同步開(kāi)發(fā)新的晶體管結構，并改進(jìn)工藝步驟，如通過(guò)PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡(jiǎn)化流程。

將研究成果轉化為可量產(chǎn)、可應用的先進(jìn)產(chǎn)品，是英特爾50多年來(lái)的卓越所在。英特爾將繼續致力于通過(guò)創(chuàng )新技術(shù)推進(jìn)摩爾定律，以推動(dòng)AI和其它新興技術(shù)的發(fā)展。