浙大聯(lián)合實(shí)驗室制備出厚度達100 mm碳化硅單晶
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近日，浙大杭州科創(chuàng )中心官微發(fā)文稱(chēng)，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng )中心（簡(jiǎn)稱(chēng)科創(chuàng )中心）先進(jìn)半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實(shí)驗室（簡(jiǎn)稱(chēng)聯(lián)合實(shí)驗室）首次生長(cháng)出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202405/458306.htm文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯(lián)合實(shí)驗室開(kāi)展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長(cháng)超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。
source：先進(jìn)半導體研究院
采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實(shí)驗室成功生長(cháng)出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100mm。測試加工而得的襯底片的結果顯示，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結晶質(zhì)量良好（圖2b），電阻率平均值不超過(guò)～ 30 mΩ·cm。
source：先進(jìn)半導體研究院
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