Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開(kāi)關(guān)損耗
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設計人員提供兩種業(yè)內先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開(kāi)關(guān)損耗。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202402/455815.htm日前發(fā)布的半橋器件使用節能效果優(yōu)于市場(chǎng)上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復特性的第四代FRED Pt?反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34 mm工業(yè)標準封裝100%兼容，可采用機械插接方式更換。
這款工業(yè)級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備；發(fā)電、配電和儲電系統；焊接設備；電機驅動(dòng)器和機器人。為降低TIG焊機輸出級導通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下，集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達到業(yè)內先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用，開(kāi)關(guān)損耗極低，+125 °C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。
模塊符合RoHS標準，集電極至發(fā)射極電壓為650 V，集電極連續電流為100 A至200 A，結到外殼的熱阻極低。器件通過(guò)UL E78996認證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對吸收電路的要求。
器件規格表：
產(chǎn)品編號 | VCES | IC | VCE(ON) | Eoff | 速度 | 封裝 |
@ IC和 +125 °C | ||||||
VS-GT100TS065S | 650 V | 100 A | 1.02 V | 6.5 mJ | DC~1 kHz | |
VS-GT150TS065S | 650 V | 150 A | 1.05 V | 10.3 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S | 650 V | 200 A | 1.07 V | 13.7 mJ | DC~1 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N | 650 V | 100 A | 2.12 V | 1.0 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N | 650 V | 200 A | 2.13 V | 3.86 mJ | 8 kHz~30 kHz | INT-A-PAK |
新型IGBT功率模塊現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為15周。
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