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Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開(kāi)關(guān)損耗

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設計人員提供兩種業(yè)內先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業(yè)應用大電流逆變級導通或開(kāi)關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節
  • 關(guān)鍵字： Vishay  INT-A-PAK  IGBT功率模塊  
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igbt功率模塊介紹

　　IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域?！　,柵極與任何導電區要絕緣，以免產(chǎn)生靜電而擊穿，所以包裝時(shí)將G極和E極之間要有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到G極管腳進(jìn)行永久性連接?！　、主電路用螺絲 [ 查看詳細 ]

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