新一代化合物半導體有望在2027年大規模生產(chǎn)？

2月20日，據日刊工業(yè)新聞報道，電子元器件廠(chǎng)商Qualtec將于2027年開(kāi)始大規模生產(chǎn)超寬帶隙半導體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。

據了解，GeO2被認為是下一代功率半導體，并且是使用即將普及的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的下一代化合物半導體的候選者。與SiC相比，GeO2制成的功率半導體在高電壓和高輸出范圍內表現出良好性能的潛力。

目前，該公司正在與主要開(kāi)發(fā)商Patentix合作，以盡快將其推向市場(chǎng)。

Qualtec計劃在2027年之前提供用于設備原型開(kāi)發(fā)的2英寸外延晶圓樣品。與此同時(shí)，該公司還將努力把用于大規模生產(chǎn)的襯底直徑增加到4-6英寸。通過(guò)利用Patentix的研究成果，讓GeO2晶圓直徑增大的同時(shí)，也有望實(shí)現缺陷更少且低成本的薄膜沉積。

值得一提的是，2023年12月，Qualtech向立命館大學(xué)創(chuàng )業(yè)公司Patentix投資5000萬(wàn)日元（折合人民幣約239萬(wàn)元），結成資本與業(yè)務(wù)聯(lián)盟。8月，該公司在草津市開(kāi)設實(shí)驗室，以支持Patentix的研發(fā)，并正在考慮GeO2外延片的制造。由GeO2晶圓制成的器件預計將應用于電源、電機和逆變器上。

目前，參與以Patentix為中心的“琵琶湖半導體計劃”的公司數量正在不斷增加，該計劃目標是盡快實(shí)現GeO2功率半導體的商業(yè)化。Qualtech將加速開(kāi)發(fā)GeO2外延片量產(chǎn)技術(shù)并推進(jìn)其實(shí)際應用。