?印度半導體崛起：塔塔計劃在古吉拉特邦薩南德建造美光價(jià)值27.5億美元的芯片制造設施

印度半導體崛起：塔塔計劃在古吉拉特邦薩南德建造美光價(jià)值27.5億美元的芯片制造設施

該公司在一份聲明中表示，授予Tata Projects的合同鞏固了該公司在印度制造業(yè)領(lǐng)域大規模、可持續基礎設施發(fā)展的程度。

塔塔項目贏(yíng)得了一份建筑合同美光技術(shù)位于古吉拉特邦薩南德的最先進(jìn)的半導體組裝和測試設施。

位于...古吉拉特邦工業(yè)發(fā)展公司該項目位于薩南德的Chaarodi地區，占地93英畝。

“這個(gè)持久的項目是一個(gè)重要的里程碑，也是最大的投資印度半導體代表團（ISM）”，隨后并補充說(shuō)道，第一階段的建設將包括50萬(wàn)平方英尺的潔凈室空間，計劃于2024年底投入運營(yíng)。

該項目包括印度首創(chuàng )的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器）和NAND（非易失性閃存）組裝和測試設施的設計和建造。

它補充說(shuō)，塔塔項目旨在通過(guò)4D BIM和混合模塊化加速施工使用涉及集成EPC交付的現代施工方法和技術(shù)。

Sanand工廠(chǎng)將按照LEED黃金標準設計綠色建筑委員會(huì )，還將整合先進(jìn)的節水技術(shù)。

聯(lián)邦部長(cháng)Ashwini Vaishnaw周六表示，兩項大型半導體提案正在處理中，預計將在未來(lái)幾個(gè)月內成形。

部長(cháng)在沒(méi)有透露提案細節的情況下，表示，這些項目將集中在一個(gè)特殊領(lǐng)域，在那里印度可以成為全球層面的領(lǐng)導者。

Vaishnaw在美光半導體工廠(chǎng)奠基儀式期間與PTI交談時(shí)表示，這家全球半導體公司注意到了印度在該領(lǐng)域取得的進(jìn)展，以及總理Narendra Modi執行重大而復雜政策決策的能力。

“這使印度成為全球行業(yè)參與者，希望進(jìn)入的主要值得信賴(lài)的地理區域。我們可以看到，在未來(lái)幾個(gè)月里，至少還有兩個(gè)大型半導體提案正在成形，”Vaishnaw如此說(shuō)道。