羅姆即將亮相2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月29日～31日參加在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：W2館2D03）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“第三代半導體論壇”以及“電力電子應用技術(shù)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。

展位效果圖

羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅為核心的功率元器件技術(shù)，以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和模塊技術(shù)，在提供電源解決方案的同時(shí)，為工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的節能化、小型化做出貢獻。在本次PCIM Asia展會(huì )上，針對日益增長(cháng)的中國市場(chǎng)需求，羅姆將重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品和解決方案：

碳化硅：憑借低開(kāi)關(guān)損耗、低導通電阻特性，為節能做貢獻

與傳統的硅器件相比，碳化硅器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選元器件。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，其先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻，充分地減少了開(kāi)關(guān)損耗，并支持15V和18V的柵極-源極電壓，有助于在包括汽車(chē)逆變器和各種開(kāi)關(guān)電源在內的各種應用中實(shí)現顯著(zhù)的小型化和低功耗。在本次展會(huì )上，羅姆將帶來(lái)面向車(chē)載應用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產(chǎn)品展示。

氮化鎵相關(guān)產(chǎn)品：助力應用產(chǎn)品進(jìn)一步節能和小型化

GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，羅姆將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產(chǎn)；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發(fā)揮出GaN性能的控制IC技術(shù)。近期，為助力各種電源系統的效率提升和小型化，推出了器件性能達到業(yè)界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。此外，還結合自身功率電子和模擬兩大核心技術(shù)優(yōu)勢，又推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產(chǎn)品集GaN HEMT和柵極驅動(dòng)器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實(shí)現安裝，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會(huì )上，羅姆將展示氮化鎵相關(guān)的一系列重點(diǎn)產(chǎn)品。

用于電動(dòng)汽車(chē)以及工業(yè)設備領(lǐng)域的高性能解決方案：

內置絕緣元件的柵極驅動(dòng)器“BM611x系列”，是3.75kV隔離、AEC-Q100認證的柵極驅動(dòng)器，專(zhuān)為xEV牽引逆變器應用而設計。其中，“BM6112FV-C”專(zhuān)為高功率IGBT和SiC應用而設計，柵極驅動(dòng)電流20A。此外，AC-DC轉換器IC產(chǎn)品系列（650V、800V、1700V）為各種外接交流電源產(chǎn)品提供更佳系統，準諧振操作可實(shí)現軟開(kāi)關(guān)，并有助于保持較低的EMI。其中，“BM2SC12xFP2-LBZ”內置1700V SiC MOSFET，方便設計，有效降低輕負載時(shí)的電力消耗，具備各種保護功能。

一直以來(lái)，羅姆不僅在產(chǎn)品研發(fā)上投入力量，還積極與行業(yè)伙伴建立戰略關(guān)系，聯(lián)合推動(dòng)技術(shù)創(chuàng )新，旨在解決社會(huì )面臨的問(wèn)題。除了以上豐富的產(chǎn)品及解決方案展示以外，屆時(shí)還將展示眾多合作伙伴的應用案例，不容錯過(guò)！在現場(chǎng)更有來(lái)自羅姆的專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售和經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員助陣，互動(dòng)交流。

【展會(huì )信息】

時(shí)  間：2023年8月29日（周二）～31日（周四）09:30～17:00（僅31日16:00結束）

會(huì )  場(chǎng)：上海新國際博覽中心W2館

展位號：2D03

地  址：上海市浦東新區龍陽(yáng)路2345號

【羅姆演講場(chǎng)次】

論壇名稱(chēng)：第三代半導體論壇

地點(diǎn)：W2館二樓M9會(huì )議室

時(shí)間：8月30日（周三）10:40～11:00

主題：氮化鎵相關(guān)新產(chǎn)品及系統介紹

論壇名稱(chēng)： “電力電子應用技術(shù)論壇”

地點(diǎn)：W2館G40論壇區

時(shí)間：8月30日（周三）13:00～13:20

主題：第四代SiC以及模塊設計的注意點(diǎn)

<關(guān)于PCIM Asia 上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )>

作為全球電力電子頂尖展會(huì )PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia 國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )是一場(chǎng)在亞洲領(lǐng)先的電力電子國際展覽會(huì )及研討會(huì )。PCIM Asia 作為一個(gè)涵蓋組件、驅動(dòng)控制、散熱管理及終端智能系統的全方位展示平臺，向業(yè)界人士呈現一條完整的產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈。